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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOCD208VM Fairchild Semiconductor MOCD208VM 0,4400
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ECAD 9567 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Scatola Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Transistor 8-SOIC - Conformità ROHS3 2156-MOCD208VM-FS EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 70 V 1,25 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 125% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
FOD2742BR2V Fairchild Semiconductor FOD2742BR2V -
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ECAD 2833 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -25°C~85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Transistor 8-SOIC scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 50mA - 70 V 1,2 V 2500 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
FOD817A3S Fairchild Semiconductor FOD817A3S 1.0000
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ECAD 5674 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
HCPL0500R2 Fairchild Semiconductor HCPL0500R2 1.0600
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento EAR99 8541.49.8000 306 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 2500 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 450ns, 500ns -
4N26SM Fairchild Semiconductor 4N26SM 0,2300
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ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1.291 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
HMA121FR3 Fairchild Semiconductor HMA121FR3 0,1400
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ECAD 7 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
CNY172M Fairchild Semiconductor 172 milioni di yuan 1.0000
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ECAD 3173 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
TIL113S Fairchild Semiconductor TIL113S 1.0000
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ECAD 6566 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 100 mA 5300 Vrm 300% a 10 mA - 350ns, 55μs 1,25 V
HCPL2630SM Fairchild Semiconductor HCPL2630SM -
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ECAD 9211 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10Mbps 30ns, 10ns 1,45 V 30mA 5000 Vrm 2/0 10 kV/μs (tip.) 75ns, 75ns
CNY17F4SVM Fairchild Semiconductor CNY17F4SVM 0,2000
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1.970 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
4N313SD Fairchild Semiconductor 4N313SD -
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ECAD 4121 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - 5 µs, 40 µs (massimo) 1,2 V
6N139V Fairchild Semiconductor 6N139V 0,7300
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington con base 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 2500 Vrm 500% a 1,6 mA - 1,5 µs, 7 µs -
FOD2711S Fairchild Semiconductor FOD2711S 0,3200
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
MOC3042SR2VM Fairchild Semiconductor MOC3042SR2VM -
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ECAD 2747 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC304 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 1,25 V 60 mA 4170Vrm 400 V 400μA (suggerimento) 1kV/μs 10mA -
HCPL3700S Fairchild Semiconductor HCPL3700S 2.6600
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ECAD 15 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Darlington 8-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 113 30mA 45 µs, 0,5 µs 20 V - 2500 Vrm - - 6μs, 25μs -
FODM3021R1V Fairchild Semiconductor FODM3021R1V 0,4800
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ECAD 2007 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 449 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 400 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
FODM3011R1 Fairchild Semiconductor FODM3011R1 0,3000
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ECAD 6 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 10mA -
FOD814AS Fairchild Semiconductor FOD814AS -
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ECAD 5348 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C ~ 105°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 1 mA 150% a 1 mA - 200mV
FODM121C Fairchild Semiconductor FODM121C -
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ECAD 8710 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
FOD817 Fairchild Semiconductor FOD817 -
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ECAD 3168 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
FODM3010R3 Fairchild Semiconductor FODM3010R3 -
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ECAD 2106 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 250 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 10 V/μs (punta) 15 mA -
CNY17F4VM Fairchild Semiconductor CNY17F4VM -
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ECAD 3443 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 738 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
6N139SVM Fairchild Semiconductor 6N139SVM 0,7100
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 461 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - 240ns, 1,3μs -
FODM3053R2V-NF098 Fairchild Semiconductor FODM3053R2V-NF098 1.0000
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ECAD 9339 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 cUR, UR, VDE 1 Triac 4-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 5mA -
MOC217R2M Fairchild Semiconductor MOC217R2M -
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ECAD 7577 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,07 V 60 mA 2500 Vrm 100% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
4N32W Fairchild Semiconductor 4N32W -
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ECAD 5181 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 970 150mA - 30 V 1,2 V 80 mA 5300 Vrm 500% a 10 mA - 5 µs, 100 µs (massimo) 1 V
6N135SVM Fairchild Semiconductor 6N135SVM 0,8100
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Fairchild * Massa Attivo scaricamento EAR99 8541.49.8000 373
6N135M Fairchild Semiconductor 6N135M 0,7400
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ECAD 25 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento EAR99 8541.49.8000 408 8 mA - 20 V 1,45 V 25 mA 5000 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 350ns, 500ns -
MOC3052TM Fairchild Semiconductor MOC3052TM -
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ECAD 4044 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) MOC305 UR 1 Triac 6-DIP - Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 4170Vrm 600 V 220μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
MOC205R2M Fairchild Semiconductor MOC205R2M 0,2500
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento EAR99 8541.49.8000 1.217 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock