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Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
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![]() | FOD8173SD | 0,1100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.642 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
![]() | HCPL0500R2V | 0,9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 306 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
![]() | HCPL2530WV | 1.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
![]() | FOD2743CS | 0,3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | FOD2743CSD | 0,3700 | ![]() | 985 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | H11AA4VM | - | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | MCT5210S | 0,1800 | ![]() | 1985 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 5300 Vrm | 70% a 3 mA | - | 10 µs, 400 ns | 400mV | ||||||||||||||||
FOD4216S | 1.0000 | ![]() | 8555 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4216 | cUL, FIMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,28 V | 30 mA | 5000 Vrm | 600 V | 500 µA | NO | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||||
![]() | 4N28TVM | - | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 791 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 10% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 500mV | |||||||||||||||||
![]() | CNY172SM | 0,1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.685 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | CNY17F4SR2VM | 1.0000 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | MOC8103300 | 0,1000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 108% a 10 mA | 173% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | FOD817CW | 0,1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
![]() | H11B3 | 0,1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | ||||||||||||||||
![]() | FOD814300W | - | ![]() | 8857 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 105°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 974 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
![]() | MOC3032SM | 0,3700 | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC303 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 200 | 1,25 V | 60 mA | 4170Vrm | 250 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||||
![]() | FOD250LT | 0,8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 7V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | 50% a 16 mA | 1μs, 1μs (massimo) | - | ||||||||||||||||
![]() | H11L1SR2M | - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 mA | 1 megahertz | 100ns, 100ns | 1,2 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 4μs, 4μs | |||||||||||||||||
![]() | MOC205R1-M | - | ![]() | 3808 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||
![]() | FOD2742C | 0,3000 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | - | 70 V | 1,2 V | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | HCPL2530S | - | ![]() | 9360 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 24 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||
![]() | MCT2EVM | - | ![]() | 9563 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 1,5μs | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 7500Vpk | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | ||||||||||||||||
![]() | FOD2741B | 0,7300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 413 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||
![]() | 4N26S | 0,0900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 500mV | ||||||||||||||||
![]() | HCPL0501V | 1.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 316 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - | |||||||||||||||||
![]() | HCPL2530SM | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 266 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - | |||||||||||||||||
![]() | MOCD223VM | 0,6900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 2 | Darlington | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 471 | 150mA | 8μs, 110μs | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 500% a 1 mA | - | 10μs, 125μs | 1 V | |||||||||||||||||
![]() | HCPL2611S | 1.0000 | ![]() | 7756 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 mA | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1,4 V | 50mA | 2500 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
![]() | FOD2743CV | 0,3300 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 980 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
![]() | MOC207VM | 1.0000 | ![]() | 6163 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,15 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV |
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