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Isolatori - Gate driver(305)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP5754(D4-TP,E | 2.9200 |  | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5754 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||
 | TLP358H(TP1,F) | - | | 5751 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP358 | Accoppiamento ottico | cUL, UL | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 5A, 5A | 6A | 17ns, 17ns | 1,57 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 250ns | 15 V~30 V | ||
 | TLP700(F) | 1.9700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP700 | Accoppiamento ottico | UR | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1,5 A, 1,5 A | 2A | 50ns, 50ns | 1,57 V | 20 mA | 5000 Vrm | 15 kV/μs | 500ns, 500ns | - | 15 V~30 V | ||
 | TLP5754(TP4,E | 2.8500 | | 8639 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5754 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||
| TLP250F(D4INV-F4,F | - | | 9755 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250F(D4INV-F4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
| TLP350F(D4,Z,F) | - | | 9353 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350F(D4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
| TLP5701(D4-LF4,E | 1.3800 | | 8258 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5701 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | - | 1 (illimitato) | 264-TLP5701(D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 10 V~30 V | ||
| TLP523-2(LF1,F) | - | | 2226 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP523 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP523-2(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
| TLP5752(D4-TP4,E | 2.6700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5752 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2,5 A, 2,5 A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||
| TLP5774H(TP4,E | 2.6800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5774 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4A, 4A | 4A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | ||
| TLP700F(D4ABB-TP,F | - | | 6946 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP700 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP700F(D4ABB-TPF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 2A | - | - | 5000 Vrm | 15 kV/μs | 500ns, 500ns | - | 15 V~30 V | ||||
 | TLP5214A(D4-TP,E | 7.6900 | | 982 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5214 | Accoppiamento ottico | 1 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 32ns, 18ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||
| TLP250(D4SND-LF1,F | - | | 8057 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4SND-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
 | TLP350H(F) | 1.9900 | | 7118 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP350 | Accoppiamento ottico | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 3 mA, 3 mA | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 15 V~30 V | |||
| TLP350F(D4-TP4,Z,F | - | | 4855 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP350 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP350F(D4-TP4ZFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||
| TLP5774H(D4TP4,E | 2.6800 | | 4338 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5774 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4A, 4A | 4A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||
| TLP701HF(F) | - | | 9730 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 2 | 6-SDIP | scaricamento | 264-TLP701HF(F) | 1 | 400 mA, 400 mA | 200mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 700ns, 700ns | 500ns | 10 V~30 V | ||||||
| TLP701AF(TP,F) | - | | 9577 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701AF(TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600 mA, 600 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,57 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20kV/μs | 500ns, 500ns | 350ns | 10 V~30 V | |||
 | TLP351H(TP1,F) | 1.6400 | | 1209 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP351 | Accoppiamento ottico | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 700ns, 700ns | 500ns | 10 V~30 V | ||
| TLP5212(D4,E | 5.4900 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5212 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2,5 A | 57ns, 56ns | 1,67 V | 25 mA | 5000 Vrm | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | 50ns | 15 V~30 V | ||||
| TLP352(F) | 1.9900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP352 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP352F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2,5 A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20kV/μs | 200ns, 200ns | 50ns | 15 V~30 V | |
| TLP250(D4MBINVT5,F | - | | 7345 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4MBINVT5FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||
| TLP5774H(D4LF4,E | 2.6800 | | 5798 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5774 | Accoppiamento capacitivo | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 4A, 4A | 4A | 56ns, 25ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||
| TLP701(TOJS-TP,F) | - | | 7911 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP701 | Accoppiamento ottico | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | 264-TLP701(TOJS-TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600 mA, 600 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | |||
| TLP5212(E | 5.4900 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5212 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP5212(E | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2,5 A | 57ns, 56ns | 1,67 V | 25 mA | 5000 Vrm | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | 50ns | 15 V~30 V | ||
| TLP5214(D4-TP,E | 6.8400 | | 52 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5214 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 3A, 3A | 4A | 32ns, 18ns | 1,7 V (massimo) | 25 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | ||
| TLP250(D4-FANUC,F) | - | | 5990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP250 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250(D4-FANUCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||
 | TLP5754H(D4TP4,E | 2.0800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5754 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4A, 4A | 4A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||
| TLP700AF(TP,S) | - | | 7697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP700 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP700AF(TPS)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||
| TLP250F(INV-TP4,F) | - | | 5846 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (illimitato) | 264-TLP250F(INV-TP4F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 |
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