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Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo di canale | Configurazione guidata | Numero di conducenti | Tipo di cancello | Tensione logica - VIL, VIH | Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | Tempo di salita/discesa (tip.) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IVCR2405DR | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IVCR2405 | Invertente, non invertente | Non verificato | 4,5 V~20 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | 4084-IVCR2405DRD€ | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Indipendente | Lato basso | 2 | IGBT, MOSFET al canale N | - | 4A, 4A | 6ns, 6ns | |
![]() | IVCR1401DPR | 2.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Platorello esposto 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm). | IVCR1401 | Non invertito | Non verificato | 19 V~25 V | 8-SOIC-EP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Separare | Lato basso | 1 | IGBT, MOSFET SiC | 1,7 V, 1,6 V | 4A, 4A | 13ns, 13ns | ||
![]() | IVCR1407SR | 1.5700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Inventchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | IVCR1407 | Invertente, non invertente | Non verificato | 4,5 V~20 V | SOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Separare | Lato basso | 2 | IGBT, MOSFET al canale N | - | 4A, 4A | 6ns, 6ns | ||
![]() | IVCR1401DR | 2.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IVCR1401 | Non invertito | Non verificato | 19 V~25 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Separare | Lato basso | 1 | IGBT, MOSFET SiC | 1,7 V, 1,6 V | 4A, 4A | 13ns, 13ns | ||
![]() | IVCR2401DPR | 1.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Inventchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Platorello esposto 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm). | IVCR2401 | Non invertito | Non verificato | 8V~20V | 8-SOIC-EP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET a canale N e canale P | 1,7 V, 1,6 V | 4A, 4A | 13ns, 13ns |
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