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Circuiti integrati (CI)(3)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina
HYB25D512800CE-6	7.1400	Richiesta di offerta	1	Qimonda	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	HYB25D512	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	1 (illimitato)	EAR99	8542.32.0036	1.500	166 MHz	Volatile	512Mbit	DRAM	64Mx8	Parallelo	-
HYB25D512800CE-5	7.3200	Richiesta di offerta	2	Qimonda	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	HYB25D512	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	1 (illimitato)	EAR99	8542.32.0036	1.500	200 MHz	Volatile	512Mbit	DRAM	64Mx8	Parallelo	-
HYB18T1G800BF-3S	35.1000	Richiesta di offerta	87	Qimonda	-	Nastro tagliato (CT)	Interrotto alla SIC	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	68-TFBGA	HYB18T1G	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V		scaricamento	3 (168 ore)	EAR99	8542.32.0036	2.000	333 MHz	Volatile	1Gbit	DRAM	128Mx8	Parallelo	-