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Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina	SIC programmabile
K6F2016U4D-FF70T00	1.6000	Richiesta di offerta	3	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	2,7 V ~ 3,6 V	48-FBGA (6x7)	-				3277-K6F2016U4D-FF70T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	2Mbit		SRAM	128K x 16	Parallelo	70ns	Non verificato
K4F8E304HB-MGCJ	6.5000	Richiesta di offerta	1	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3			3277-K4F8E304HB-MGCJ			128
K6T1008V2E-TF70T	1.8000	Richiesta di offerta	46	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	3,3 V	32-TSOP	-				3277-K6T1008V2E-TF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	1Mbit		SRAM	128K×8	Parallelo	70ns	Non verificato
K6X1008C2D-TF55	2.7500	Richiesta di offerta	1	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	32-TSOP REVERSE	-				3277-K6X1008C2D-TF55	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	1Mbit		SRAM	128K×8	Parallelo	55ns	Non verificato
K6F2016U4E-EF70T	1.6000	Richiesta di offerta	2	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F2016U4E-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	2Mbit		SRAM	128K x 16	Parallelo	70ns	Non verificato
K6E0808C1E-JC15T00	1.1000	Richiesta di offerta	6	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	2.000		Volatile	256Kbit		SRAM	32K×8	Parallelo	15ns	Non verificato
K6T4008C1C-GL55T00	4.5000	Richiesta di offerta	14	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	32-SOP	-				3277-K6T4008C1C-GL55T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	4Mbit		SRAM	512K×8	Parallelo	55ns	Non verificato
MT58L64L32FT-10	4.5000	Richiesta di offerta	360	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM: sincronizzato	3,3 V	100-TQFP	-				3277-MT58L64L32FT-10	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	2Mbit		SRAM	64K x 32	Parallelo	10ns	Non verificato
K6X4008C1F-MF55	5.0000	Richiesta di offerta	3	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	32-TSOP REVERSE	-				3277-K6X4008C1F-MF55	EAR99	8542.32.0041	250		Volatile	4Mbit		SRAM	512K×8	Parallelo	55ns	Non verificato
KM616BV4002J-12	15.0000	Richiesta di offerta	925	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	3,3 V	36-SOJ	-				3277-KM616BV4002J-12	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	4Mbit		SRAM	256K×16	Parallelo	12ns	Non verificato
K6X0808C1D-BF70T	3.5000	Richiesta di offerta	6	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-BF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	256Kbit		SRAM	32K×8	Parallelo	70ns	Non verificato
K4S510432D-UC75T00	10.0000	Richiesta di offerta	18	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	K4S510432D	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento		3 (168 ore)	Venditore non definito	3277-K4S510432D-UC75T00TR	EAR99	8542.32.0028	100	133 MHz	Volatile	512Mbit	65 ns	DRAM	128M x 4	LVTTL	-
K6X0808C1D-GF55T	3.7500	Richiesta di offerta	1	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF55TTR	EAR99	8542.32.0041	250		Volatile	256Kbit		SRAM	32K×8	Parallelo	55ns	Non verificato
K6E0804C1E-JC15T00	1.2500	Richiesta di offerta	109	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	28-SOJ	-				3277-K6E0804C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	256Kbit		SRAM	64K×4	Parallelo	15ns	Non verificato
KM68V1002CJ-15T	2.0000	Richiesta di offerta	2	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	3,3 V	32-SOJ	-				3277-KM68V1002CJ-15TTR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	1Mbit		SRAM	128K×8	Parallelo	15ns	Non verificato
K6F3216U6M-EF70T	7.5000	Richiesta di offerta	800	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	2,7 V ~ 3,6 V	55-TFBGA (7,5x12)	-				3277-K6F3216U6M-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	32Mbit		SRAM	2Mx16	Parallelo	70ns	Non verificato
K6E0808C1E-JC15T00.	1.1000	Richiesta di offerta	124	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00.TR	EAR99	8542.32.0041	2.000		Volatile	256Kbit		SRAM	32K×8	Parallelo	15ns	Non verificato
K6E0808C1E-JC15000	1.0000	Richiesta di offerta	3	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15000	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	256Kbit		SRAM	32K×8	Parallelo	15ns	Non verificato
MT58L64L32PT7.5	5.0000	Richiesta di offerta	500	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM: sincronizzato	3,3 V	100-TQFP	-				3277-MT58L64L32PT7.5	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	2Mbit		SRAM	64K x 32	Parallelo	7,5 ns	Non verificato
K6F4016R4E-EF85T00	2.5000	Richiesta di offerta	4	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	1,65 V~2,2 V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F4016R4E-EF85T00TR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	4Mbit		SRAM	256K×16	Parallelo	85ns	Non verificato
KM681002BJ-10T	2.5000	Richiesta di offerta	5	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	32-SOJ	-				3277-KM681002BJ-10TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Volatile	1Mbit		SRAM	128K×8	Parallelo	10ns	Non verificato
K6E0808C1E-JC12	1.0000	Richiesta di offerta	4	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale			SRAM-Asincrono	5 V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC12	EAR99	8542.32.0041	1.000		Volatile	256Kbit		SRAM	32K×8	Parallelo	12ns	Non verificato
K4F6E3S4HM-MGCJ	11.0000	Richiesta di offerta	1	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3			3277-K4F6E3S4HM-MGCJ			1.280
K9F8008W0M-TCB0	0,7500	Richiesta di offerta	21	Samsung Semiconduttori, Inc.	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C	Montaggio superficiale			FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 5,5 V	48-TSOP	-				3277-K9F8008W0M-TCB0	EAR99	8542.32.0071	480		Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	Parallelo		Non verificato

2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq²
Magazzino in stock

Circuiti integrati (CI)(54)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 mq2

15.000 mq²