Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Circuiti integrati (CI)(77)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina
EM68C16CWQG-25H	3.1099	Richiesta di offerta	3127	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	EM68C16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM68C16CWQG-25HTR	EAR99	8542.32.0032	2.500	400 MHz	Volatile	1 Gbit	400 CV	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
EM6HE16EWXD-10IH	5.8500	Richiesta di offerta	2565	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	EM6HE16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x13)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.000	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	256Mx16	Parallelo	15ns
EM6GA16LBXA-12H	2.5100	Richiesta di offerta	688	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				EM6GA16				-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	500
EM63B165TS-5SG	6.6986	Richiesta di offerta	9568	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	EM63B165	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM63B165TS-5SGTR	EAR99	8542.32.0028	1.000	200 MHz	Volatile	512Mbit	4,5 ns	DRAM	32Mx16	Parallelo	10ns
EM6GC16EWKG-10IH	2.5809	Richiesta di offerta	1763	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	EM6GC16	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	96-FBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6GC16EWKG-10IHTR	EAR99	8542.32.0032	1.500	933 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
EM6A9160TSC-4IG	1.9342	Richiesta di offerta	4632	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	EM6A9160	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6A9160TSC-4IGTR	EAR99	8542.32.0002	1.000	250 MHz	Volatile	128Mbit	700 CV	DRAM	8Mx16	Parallelo	12ns
EM6HD08EWAHH-12IH	9.0200	Richiesta di offerta	2	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6HD08	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (7,5x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	800 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
EM6GE08EW8D-10IH	5.8500	Richiesta di offerta	8005	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6GE08	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-FBGA (9x10,5)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
EM6GC08EWUG-10IH	3.5700	Richiesta di offerta	448	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6GC08	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-FBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	2.500	933 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	128Mx8	Parallelo	15ns
EM6HE16EWAKG-10IH	10.5100	Richiesta di offerta	7	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	EM6HE16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (7,5x13,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	256Mx16	Parallelo	15ns
EM6AC160TSA-4G	-	Richiesta di offerta	1597	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	EM6AC160	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			OBSOLETO		1.000	250 MHz	Volatile	1 Gbit	700 CV	DRAM	64Mx16	SSTL_2	15ns
EM6HE08EW8D-10H	5.2066	Richiesta di offerta	6676	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6HE08	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (9x10,5)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6HE08EW8D-10HTR	EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
EM6AA160BKE-4H	2.3989	Richiesta di offerta	9994	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	EM6AA160	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6AA160BKE-4HTR	EAR99	8542.32.0024	2.500	250 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
EM6GD08EWUF-10IH	3.5028	Richiesta di offerta	3137	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	EM6GD08	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-FBGA (8x10,5)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6GD08EWUF-10IHTR	EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
EM639165TS-5IG	1.7660	Richiesta di offerta	4448	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	EM639165	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM639165TS-5IGTR	EAR99	8542.32.0002	1.000	200 MHz	Volatile	128Mbit	4,5 ns	DRAM	8Mx16	Parallelo	10ns
EM6HE08EW8D-10IH	5.8500	Richiesta di offerta	1755	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6HE08	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (9x10,5)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6HE08EW8D-10IHTR	EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
EM6HC16EWKG-12IH	3.5700	Richiesta di offerta	8134	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-VFBGA	EM6HC16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	1.500	800 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	64Mx16	Parallelo	15ns
EM6GF16EW5A-10ISH	20.0250	Richiesta di offerta	1348	Etron Technology, Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.000
EM68D16CBQC-18IH	9.5500	Richiesta di offerta	2	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	EM68D16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	533 MHz	Volatile	2Gbit	350 CV	DRAM	128Mx16	SSTL_18	15ns
EM68B16CWQK-25H	2.2334	Richiesta di offerta	9792	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	EM68B16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM68B16CWQK-25HTR	EAR99	8542.32.0028	2.500	400 MHz	Volatile	512Mbit	400 CV	DRAM	32Mx16	Parallelo	15ns
EM63B165TS-5ISG	6.8508	Richiesta di offerta	5761	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	EM63B165	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM63B165TS-5ISGTR	EAR99	8542.32.0028	1.000	200 MHz	Volatile	512Mbit	4,5 ns	DRAM	32Mx16	Parallelo	10ns
EM6HC08EWUG-10IH	4.0102	Richiesta di offerta	1379	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6HC08	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6HC08EWUG-10IHTR	EAR99	8542.32.0032	2.500	933 MHz	Volatile	1 Gbit	20 ns	DRAM	128Mx8	Parallelo	15ns
EM6OE16NWAKA-07IH	8.2500	Richiesta di offerta	9367	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	EM6OE16	SDRAM	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	256Mx16	POD	15ns
EM63A165BM-5IH	2.6189	Richiesta di offerta	5184	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TFBGA	EM63A165	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	54-FBGA (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM63A165BM-5IHTR	EAR99	8542.32.0024	2.500	200 MHz	Volatile	256Mbit	4,5 ns	DRAM	16Mx16	Parallelo	10ns
EM6A9160TSC-4G	1.7660	Richiesta di offerta	5674	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	EM6A9160	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6A9160TSC-4GTR	EAR99	8542.32.0002	1.000	250 MHz	Volatile	128Mbit	700 CV	DRAM	8Mx16	Parallelo	12ns
EM68A16CBQC-25H	1.8198	Richiesta di offerta	7387	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	EM68A16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM68A16CBQC-25HTR	EAR99	8542.32.0024	2.500	400 MHz	Volatile	256Mbit	400 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
EM6HD08EWUF-10IH	3.5028	Richiesta di offerta	6459	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	EM6HD08	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-FBGA (8x10,5)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
EM6OE08NW9A-07H	7.5000	Richiesta di offerta	2	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	EM6OE08	SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x10,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2174-EM6OE08NW9A-07HCT	EAR99	8542.32.0036	2.500	1.333GHz	Volatile	4Gbit	18 ns	DRAM	512Mx8	POD	15ns
EM6GE08EW9G-10IH	8.2800	Richiesta di offerta	1530	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	EM6GE08	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-FBGA (7,5x10,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.500	933 MHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
EM68A16CBQC-25IH	3.3000	Richiesta di offerta	2	Etron Technology, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	EM68A16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	2.500	400 MHz	Volatile	256Mbit	400 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns