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Circuiti integrati (CI)(238)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MR10Q010MBR | 7.0944 |  | 8048 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR10Q010MBRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | 7 ns | RAM | 128K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |
 | EM064LXQADG13CS1T | 42.0000 | | 1037 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM064LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 64 Mbit | RAM | 8Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
 | MR256DL08BMA45 | 7.3191 | | 8414 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR256DL08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-1062 | EAR99 | 8542.32.0071 | 348 | Non volatile | 256Kbit | 45 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 45ns | ||
 | MR5A16ACMA35 | 80.3300 | | 5224 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (10x10) | - | Conformità ROHS3 | 6 (Tempo sull'etichetta) | REACH Inalterato | 819-MR5A16ACMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 32Mbit | 35 ns | RAM | 2Mx16 | Parallelo | 35ns | ||
 | MR25H256AMDFR | 8.5386 | | 9234 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MR25H256 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN-EP, Bandierina piccola (5x6) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR25H256AMDFRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 40 MHz | Non volatile | 256Kbit | 9 ns | RAM | 32K×8 | SPI | - | |
 | MR1A16AMA35 | 15.3663 | | 7734 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR1A16AMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 348 | Non volatile | 2Mbit | 35 ns | RAM | 128K x 16 | Parallelo | 35ns | ||
 | MR4A16BUYS45 | 46.6050 | | 9488 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR4A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR4A16BUYS45 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | Non volatile | 16Mbit | 45 ns | RAM | 1Mx16 | Parallelo | 45ns | ||
| EM008LXQAB313IS1T | 19.0500 | | 5387 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM008LXQADG13IS1T | 19.0500 | | 3932 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQADG13IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM008LXOAB320CS1T | 18.7500 | | 5006 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXOAB320CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM032LXOAB320CS1R | 30,9000 | | 1283 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM032LXOAB320CS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 200 MHz | Non volatile | 32Mbit | RAM | 4M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR256A08BMA35 | 7.3129 | | 9328 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR256A08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-1032 | EAR99 | 8542.32.0071 | 348 | Non volatile | 256Kbit | 35 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 35ns | ||
| EM008LXQAB313CS1R | 15.8270 | | 1066 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQAB313CS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM032LXQAB313IS1T | 31.4250 | | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM032LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 32Mbit | RAM | 4M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM004LXOBB320IS1T | 17.1900 | | 480 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM004LXOBB320IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 4Mbit | 7 ns | RAM | 512K×8 | SPI - I/O ottale | - | |||
| EM016LXOAB320CS1T | 18.6200 | | 4085 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM016LXOAB320CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 2Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
 | MR10Q010SCR | 7.0944 | | 5497 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | MR10Q010 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR10Q010SCRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | 7 ns | RAM | 128K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |
| MR25H256APDF | 7.1663 | | 5076 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MR25H256 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN-EP, Bandierina piccola (5x6) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR25H256APDF | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | Non volatile | 256Kbit | 9 ns | RAM | 32K×8 | SPI | - | |
 | MR256A08BYS35R | 7.3228 | | 8516 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR256A08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 256Kbit | 35 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 35ns | |||
 | MR25H256MDC | 15.0800 | | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-TDFN | MR25H256 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | Non volatile | 256Kbit | RAM | 32K×8 | SPI | - | |||
| MR10Q010VMB | 8.6100 | | 5203 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR10Q010VMB | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | 7 ns | RAM | 128K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |
| MR25H10CDF | 9.7900 | | 3 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MR25H10 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN-EP, Bandierina piccola (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-1039 | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | RAM | 128K×8 | SPI | - | ||
| EM016LXQADG13IS1T | 19.5696 | | 4890 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM016LXQADG13IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 2Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR0A16AMYS35R | 18.6450 | | 6395 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR0A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 1Mbit | 35 ns | RAM | 64K x 16 | Parallelo | 35ns | |||
| MR25H10MDFR | 9.9150 | | 9546 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MR25H10 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN-EP, Bandierina piccola (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | RAM | 128K×8 | SPI | - | |||
 | MR4A16BYS35R | 34,8000 | | 8072 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR4A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Mbit | 35 ns | RAM | 1Mx16 | Parallelo | 35ns | |||
| MR4A16BMA35 | 42.7400 | | 960 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR4A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (10x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 16Mbit | 35 ns | RAM | 1Mx16 | Parallelo | 35ns | |||
| EM008LXQADG13CS1T | 16.3999 | | 7382 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR20H40CDFR | 20.6850 | | 5963 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MR20H40 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 8-DFN-EP, Bandierina piccola (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 50 MHz | Non volatile | 4Mbit | RAM | 512K×8 | SPI | - | |||
| MR4A16BUYS45R | 47.0550 | | 3140 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR4A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR4A16BUYS45RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Mbit | 45 ns | RAM | 1Mx16 | Parallelo | 45ns |
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