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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53B4DANW-DC | - |  | 3964 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | - | MT53B4 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 960 | Volatile | DRAM | ||||||||||||
 | MT29F4T08GMLBEJ4:B | - | | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F4T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F4T08GMLBEJ4:B | OBSOLETO | 1.120 | Non volatile | 4Tbit | FLASH | 512G x 8 | Parallelo | - | |||||||
 | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR | - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | - | - | |||
| EDB2432B4MA-1DIT-FD | - | | 2672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | EDB2432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | |||
 | MT28F320J3BS-11 INCONTRATO | - | | 5900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-FBGA | MT28F320J3 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Mbit | 110 n | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | - | |||
| MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR | - | | 5411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29E3T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 3 bit | FLASH | 384G x 8 | Parallelo | - | |||
| MTFC256GAVATTC-AAT TR | 90.4350 | | 3154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MTFC256GAVATTC-AATTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | M29W320EB70ZE6E | - | | 6433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT53D1536M64D8EG-046 PESO:A | - | | 6779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT:A | OBSOLETO | 1.360 | ||||||||||||||||||
 | MT55L256L36PT-10 | 8.2400 | | 82 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT55L256L | SRAM-Sincrono, ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 8Mbit | 5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
| MT53E4D1CDE-DC | 22.5000 | | 6888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | MT53E4 | - | REACH Inalterato | 557-MT53E4D1CDE-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | MT48LC2M32B2P-6A IT:J | - | | 2534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | 12ns | ||
| MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR | - | | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 267 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT45W2MW16BGB-701ITTR | - | | 1680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT29F8G08ABABAWP-IT:B | - | | 3375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F8G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F8G08ABACAWP:C TR | - | | 4847 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F8G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT53E512M64D2HJ-046 PESO:B TR | 26.1150 | | 4853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12,4x12,4) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT:BTR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | 3,5 ns | DRAM | 512Mx64 | Parallelo | 18ns | ||||
| MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR | - | | 5276 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F256G08 | FLASH NAND (SLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT53D2G32D8QD-062 PESO:D TR | - | | 6529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | - | - | ||||||||
 | MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR | - | | 2990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT38M4041A3034EZZI.XK6 | - | | 2839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-VFBGA | MT38M4041 | FLASH-NÉ, PSRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 56-VFBGA (8x8) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.560 | 133 MHz | Non volatile, volatile | 256 Mbit (FLASH), 128 Mbit (RAM) | FLASH, RAM | 16Mx16, 8Mx16 | Parallelo | - | ||||
| MT58L256L18D1T-6 | 6.7700 | | 17 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatile | 4Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||
| MT42L128M64D2MC-25 PESO:A | - | | 2870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 240-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 240-FBGA (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 128Mx64 | Parallelo | - | ||||
 | MT40A512M16JY-083E AUT:B TR | - | | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,2GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | |||
| MT28F800B5WP-8B | - | | 1356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F800B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Mbit | 80 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 80ns | |||
| MTFC32GAZAQHD-WTTR | 14.3400 | | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||||
| M29F200FT55N3F2TR | - | | 7685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F200 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 2Mbit | 55 ns | FLASH | 256K x 8, 128K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | JS28F640J3F75G | - | | 2999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F640J3 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -JS28F640J3F75G | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64Mbit | 75 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 75ns | ||
 | MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR | - | | 4559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | MT53E1536 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E1536M32D4DT-046AIT:ATR | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 1,5G x 32 | - | - | |||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR | - | | 7665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E1G64D4SQ-046AAT:ATR | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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