- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JS28F00AP33TF | - |  | 4095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F00AP33 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | Q4518329 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 1Gbit | 105 n | FLASH | 64Mx16 | Parallelo | 105ns | |
 | MT48LC8M32B2B5-7 | - | | 1110 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 14ns | ||
 | PC28F640J3D75E | - | | 7689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F640 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | Non volatile | 64Mbit | 75 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 75ns | |||
| MT48H4M32LFB5-75:K | - | | 7387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48H4M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | M29W320ET70ZE6F TR | - | | 9759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT29C8G96MAZBADJV-5 PESO | - | | 8727 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C8G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
 | MT48LC4M16A2P-7E:G TR | - | | 3342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
| MT48LC16M16A2TG-7E L:D | - | | 7086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
 | M45PE80-VMP6G | - | | 1174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | M45PE80 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.940 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
| N25Q256A11E1240E | - | | 4923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q256A11 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR | - | | 5274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 137-TFBGA | MT29C1G12 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile, volatile | 1Gbit (NAND), 1Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128 MB x 8 (NAND), 32 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||
 | MT45W4MW16BFB-706 PESO F TR | - | | 3723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 64Mbit | 70 ns | PSRAM | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | RC28F640P33TF60A | - | | 2367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | RC28F640 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | Non volatile | 64Mbit | 60 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
 | N25Q256A83ESFA0F TR | - | | 6446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q256A83 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | N25Q256A13E1241FTR | - | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q256A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR | 6.6000 | | 202 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT42L256M64D4LM-25 PESO:A TR | - | | 1796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 216-VFBGA | MT42L256M64 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | Parallelo | - | ||||
| MT61M512M32KPA-14N:C | 42.1050 | | 8256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT61M512M32KPA-14N:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR | - | | 5520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT TR | - | | 8483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Volatile | 64Mbit | 6 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT41K128M16HA-15E:D | - | | 4380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | ||
| EDFP112A3PF-JDTJ-FR TR | - | | 7866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 192Mx128 | Parallelo | - | ||||
| EMB8132B4PM-DV-FD | - | | 3325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | EMB8132 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.680 | |||||||||||||||||
| NAND512R3A2SZA6E | - | | 2091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | NAND512 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 290 | Non volatile | 512Mbit | 50 n | FLASH | 64Mx8 | Parallelo | 50ns | |||
 | MT53D512M32D2NP-046 PESO ES:D | - | | 2275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | |||||
 | N25Q064A13ESE40G | - | | 9477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | N25Q064A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO O | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT41K512M8DA-107 AAT:P TR | 9.6400 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
 | EDB2432B4MA-1DAAT-FD | - | | 1852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | EDB2432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | |||
 | MTFC4GMWDM-3M AIT TR | - | | 5901 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | ||||
 | MT46H16M16LFBF-6 AT:H | - | | 2860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 12ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)