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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25P64-VMF6G | - |  | 1660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | M25P64 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 50 | 50 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | M29W400DB70N6E | - | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4Mbit | 70 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT58L512Y36PF-10 | 18.3500 | | 177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | MT58L512Y36 | SRAM | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 18Mbit | 5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||
 | MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR | - | | 5265 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 130-VFBGA | MT29C2G24 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128 MB x 16 (NAND), 32 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||
 | MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | - | | 2423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | |||
 | N25Q064A13E12D1E | - | | 2973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q064A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.122 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR | - | | 1649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT58L512L18PT-10 | - | | 6829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 8Mbit | 5 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||
 | MT46V32M8TG-75 L:G | - | | 4880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | EMFP112A3PB-DV-FR TR | - | | 7712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | MT28F400B3WG-8T | - | | 9883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F400B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | |||
 | MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR | - | | 3077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT53E4G32D8GS-046 PESO ES:C TR | 127.0200 | | 5172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | - | - | SDRAM-Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WTES:CTR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 128 Gbit | DRAM | 4G×32 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT40A4G4DVN-075H:E | - | | 8926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MT40A4G4DVN-075H:E | OBSOLETO | 210 | 1,33GHz | Volatile | 16Gbit | 27 ns | DRAM | 4G×4 | Parallelo | - | |||
| MT28F400B3WG-8B TR | - | | 7339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F400B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | |||
| MTFC128GAZAOTD-AIT TR | 40.2300 | | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MTFC128GAZAOTD-AITTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| M29F040B70N6E | - | | 4990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F040 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Non volatile | 4Mbit | 70 ns | FLASH | 512K×8 | Parallelo | 70ns | |||
| MT29F4G16ABCWC:C TR | - | | 5341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F4G16 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 256Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR | - | | 3946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C8G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||
 | MT25QL128ABA1EW9-0SIT | 4.1200 | | 7303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | MT25QL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | PC28F256M29EWHB TR | - | | 9339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | PC28F256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 256Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 100ns | |||
| MT53D256M16D1NY-046XT ES:B | - | | 9521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 105°C (TC) | MT53D256 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | - | - | ||||||||
| MTFC16GLTAM-WT | - | | 1881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | - | MTFC16G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | |||||
| M29F800DB55N6E | - | | 8066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F800 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Mbit | 55 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 55ns | |||
| MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 11.8300 | | 9604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D768M64D8NZ-046 PESO:E | 179.4900 | | 8185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 376-WFBGA (14x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | |||
| MT53B384M64D4NZ-053 PESO:C | - | | 1632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 1.866 GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | ||||
| MT29F2G08ABDWP:D | - | | 2475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F2G16ABDHC:D TR | - | | 9580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F2G16 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR | 52.9800 | | 6135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC:ETR | 2.000 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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