- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L64L36PT-6TR | 4.2600 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | Volatile | 2Mbit | 3,5 ns | SRAM | 64K x 36 | Parallelo | - | |||
 | N25Q128A13EF740E | - | | 2701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 | - | | 6350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | MT48LC4M32B2P-6A:L | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 12ns | ||
 | MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR | - | | 4651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F512G08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,6 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R:CTR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | - | | 2723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 256Mx32 | - | - | |||
 | M29F400BB55N6T TR | - | | 2293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F400 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | N25Q256A11ESF40F TR | - | | 5377 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q256A11 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT41J512M4HX-15E:D | - | | 1944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41J512M4 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-FBGA (9x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512M x 4 | Parallelo | - | ||
 | MTFC32GJTED-3F PESO | - | | 3737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-VFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-VFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | |||||
| MT53E512M64D4HJ-046 PESO:D | - | | 3117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT:D | OBSOLETO | 1 | ||||||||||||||||||||
 | M29W320DB70ZE6F TR | - | | 8167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT60B1G16HC-48B:ATR | 16.5750 | | 2988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 102-VFBGA | SDRAM-DDR5 | - | 102-VFBGA (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B:ATR | 2.000 | 2,4GHz | Volatile | 16Gbit | 16 ns | DRAM | 1G x 16 | POD | - | |||||||
 | MTFC128GAPALNS-AIT ES TR | - | | 9038 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC128 | FLASH-NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 1 (illimitato) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | MMC | - | ||||||
| M29W320DT70N6F TR | - | | 4615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT61M512M32KPA-14AAT:C | 42.1050 | | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR | - | | 8189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | |||
| MT29F2G01ABAGD12-AUT:G | 3.2005 | | 6152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT:G | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B | - | | 4582 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B | 1 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | 3,5 ns | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | 18ns | |||||||
 | M25PX80-VMN6TPZ1TR | - | | 9841 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | M25PX80 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SO | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.500 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT46H32M32LFCG-5IT:A | - | | 9409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 1Gbit | 5 ns | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1P | - | | 5782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F16G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | Morire | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | Parallelo | - | |||||||
 | MT48LC16M16A2BG-75:D TR | - | | 9656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR | - | | 5044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F384G08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 384Gbit | FLASH | 48G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR | - | | 7560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | ||||
| MT29F8T08EWLKEM5-ITF:K TR | 257.4000 | | 4452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF:KTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F768M64D4EJ-031 AUT:A TR | 118.2000 | | 8751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT62F768 | - | REACH Inalterato | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT:ATR | 1.500 | |||||||||||||||||||
| N25Q032A13ESEA0F TR | - | | 7534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | N25Q032A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 108 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 8M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR | - | | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC64M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| EDS6432AFTA-75TI-ED | - | | 9194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.080 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)