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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29C4G48MAZBAAKS-5 EPESO | - |  | 3121 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 137-VFBGA | MT29C4G48 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 16 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
 | MT47H256M4CF-3 IT:H | - | | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | 450 CV | DRAM | 256Mx4 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT55L256L | SRAM-Sincrono, ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatile | 8Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | N25Q00AA13G1240FTR | - | | 7257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | N25Q00AA13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24LPBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 256Mx4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| EDB4432BBBJ-1DAIT-FD | - | | 4607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-FBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.520 | 533 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | |||
 | MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR | - | | 6497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F128G08CECGBJ4-37R:GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | |||
| M58LT128KST8ZA6E | - | | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M58LT128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 85 nn | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
| MT28FW02GBBA1LPC-0AAT | 33.7050 | | 4991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28FW02 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.104 | Non volatile | 2Gbit | 105 n | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT53D768M64D4SQ-053 PESO ES:A | - | | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||||||
| MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 | 16.7100 | | 5444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MTFC32GAZAQDW-AAT | 19.0800 | | 2752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFC32GAZAQDW-AAT | 980 | ||||||||||||||||||
| MT29TZZZ8D5JKETS-107 L.95Q | - | | 5161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29TZZZ8 | FLASH-NAND, DRAM-LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.008 | 933 MHz | Non volatile, volatile | 64 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR3) | FLASH, RAM | 68 GB x 8 (NAND), 256 MB x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
 | MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR | - | | 7275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G01 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 1G x 1 | SPI | - | ||||
 | MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR | - | | 3563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-VBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR | - | | 6499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C4G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
 | MT44K16M36RB-107E:B | 46.0350 | | 8109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-TBGA | MT44K16M36 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.190 | 933 MHz | Volatile | 576Mbit | 8 ns | DRAM | 16Mx36 | Parallelo | - | ||
| MTFC128GAOAMEA-WT ES TR | - | | 7523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - | MTFC128 | FLASH-NAND | - | - | - | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | MMC | - | ||||||
 | MTFC32GAPALBH-AAT | - | | 2868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E384M32D2DS-046 PESO:E TR | - | | 5803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E384M32D2DS-046WT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | |||
| MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR | - | | 9849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 121-WFBGA | MT42L32M16 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 121-FBGA (6,5x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | MT46V16M16TG-75IT:F | - | | 6503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V16M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A | - | | 4983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 556-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12,4x12,4) | - | Conformità ROHS3 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT:A | OBSOLETO | 1 | 2.133GHz | Volatile | 48Gbit | 3,5 ns | DRAM | 768Mx64 | Parallelo | 18ns | |||||
 | MT41K64M16TW-107IT:J | - | | 8187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 933 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | - | ||
 | MT49H8M36FM-25:B TR | - | | 3165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H8M36 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 8Mx36 | Parallelo | - | ||
 | MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G | 2.8500 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | MT47H64M8B6-3:D TR | - | | 7809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 333 MHz | Volatile | 512Mbit | 450 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT45W2MW16PAFA-85 PESO | - | | 9752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | MT45W2MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 32Mbit | 85 nn | PSRAM | 2Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
| MT48LC32M8A2BB-6A:G | - | | 5114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 12ns | ||
| MT47H64M16HR-25E AIT:H TR | - | | 5502 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT40A512M16Z11BWC1 | 9.0100 | | 4406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | - | Montaggio superficiale | Morire | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | Wafer | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1 | Volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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