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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1G08ABADAH4-ITX:D TR | - |  | 1993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | |||||
 | MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR | - | | 7801 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F256G08AUCABK4-10:A | - | | 8434 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F256G08 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||||
| MT52L4DAGN-DCTR | - | | 4967 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT52L4 | Non verificato | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | MT48H8M16LFB4-75IT:K | - | | 8932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT58L256L18F1T-10 | 5.9800 | | 37 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F32G08CFACAWP:C | - | | 7108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | ||||||
| M36W0R5040B5ZAQE | - | | 7417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 88-TFBGA | M36W0R | FLASH | 1,7 V ~ 1,95 V | 88-TFBGA (8x10) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -M36W0R5040B5ZAQE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx16 | Parallelo | - | |||
 | JS28F128J3F75DTR | - | | 7424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F128J3 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 128Mbit | 75 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 75ns | |||||
| M29F400FT5AM6T2TR | - | | 1936 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | M29F400 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 500 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||||
| MT29F32G08AFABAWP-IT:B | - | | 9164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | |||||
| MT28F800B3WP-9 T TR | - | | 2896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F800B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Mbit | 90 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 90ns | ||||
| MT42L128M32D1LF-25 PESO:A TR | - | | 8471 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | MT42L128M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 168-FBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT58L256L36PT-10 | 6.0300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 8Mbit | 5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||||
 | MT28F320J3BS-11 GMET TR | - | | 5410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-FBGA | MT28F320J3 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Mbit | 110 n | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | - | ||||
| MT58L256L32PS-7.5 | 8.9300 | | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L256L32 | SRAM: sincronizzato | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 8Mbit | 4 ns | SRAM | 256K×32 | Parallelo | - | |||
| M29W160EB7AZA6F TR | - | | 7741 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | M29W160 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 16Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | M25P32-VMF6PBA | - | | 3726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | M25P32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 75 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||||
 | MT46V64M4FG-75:G | - | | 8093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT46V64M4 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 64M x 4 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT47H32M16BN-25E IT:D TR | - | | 1907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (10x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| MT29C8G96MAZBADKD-5 PESO | - | | 5806 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C8G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 8 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||||
 | MT53D384M32D2DS-053 AAT:E TR | - | | 4235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - | ||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A | - | | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E1G64D4SQ-046AAT:A | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | |||||||
| MTFC16GLUAM-WT | - | | 2935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | - | MTFC16G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | ||||||
| MT62F3G32D8DV-026 PESO ES:B TR | 122.7600 | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | - | - | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES:BTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 96Gbit | DRAM | 3G×32 | Parallelo | - | |||||||||
 | N25Q032A11ESE40G | - | | 2631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | N25Q032A11 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 8M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MTFC64GAKAEEY-3M PESO TR | - | | 3875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-LFBGA | MTFC64 | FLASH-NAND | - | 153-LFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | MMC | - | |||||
| M29W800DT45N6FTR | - | | 2332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W800 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 8Mbit | 45 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 45ns | |||||
| M50FW080N1 | - | | 8949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 40-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M50FW080 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 40-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | Non volatile | 8Mbit | 250 n | FLASH | 1M x 8 | Parallelo | - | |||
| MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR | - | | 4577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | - | - |
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Unità di prodotto standard
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