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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC128GAOANAM-WT TR | - |  | 6076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | MTFC128 | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| EDFA112A2PF-JD-FRTR | - | | 1259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDFA112 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 128Mx128 | Parallelo | - | |||
 | PC28F256J3F95A | - | | 7298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | Non volatile | 256Mbit | 95 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 95ns | ||
 | MT53D1G64D8NZ-046 PESO:E | 98.1150 | | 1247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 376-WFBGA | MT53D1G64 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 376-WFBGA (14x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | ||
 | MT29F4G08ABAEAH4-S:E | - | | 7765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||
 | MTFC4GMCAM-1M PESO | - | | 1258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||||||
| MT53D8DBPM-DC | - | | 7045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Scatola | Attivo | MT53D8 | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.190 | ||||||||||||||||||
| MT53B192M64D2SG-062 PESO ES:A TR | - | | 9982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B192 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 192Mx64 | - | - | ||||
 | MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR | - | | 2000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 1 Gbit | 5 nn | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 15ns | |
| MT48LC2M32B2B5-6A:J TR | - | | 1824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | 12ns | |
 | MT48LC8M8A2P-7E L:G TR | - | | 4689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC8M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx8 | Parallelo | 14ns | |
 | MT42L32M32D2AC-25AIT:A | - | | 6056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | MT42L32M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 1 Gbit | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | - | ||
 | MT55L256L18F1T-11 | 4.4800 | | 558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatile | 4Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | ||
 | N25Q128A13TF840E | - | | 2648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR | - | | 8175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 6 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | 15ns | |
 | MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR | - | | 7378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F32G08QAAWP:ATR | - | | 1580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | |||
| EDF8164A3MA-GD-FD | - | | 4605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDF8164 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 253-FBGA (11x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.980 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 128Mx64 | Parallelo | - | |||
 | MT28F004B5VP-8T | - | | 3245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 40-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F004B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 40-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K×8 | Parallelo | 80ns | ||
| MT29C2G24MAABAKAML-5IT | - | | 1525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | MT29C2G24 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 153-VFBGA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2 Gbit (NAND), 1 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128 MB x 16 (NAND), 32 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||
 | EDB5432BEPA-1DAAT-FR TR | - | | 8552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | EDB5432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 512Mbit | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
| MT48LC16M16A2P-75:D TR | - | | 7468 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| M29F200BB70N6 | - | | 4810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F200 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 2Mbit | 70 ns | FLASH | 256K x 8, 128K x 16 | Parallelo | 70ns | ||
| MT29F64G08CFACBWP-12:C | - | | 9710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||
 | M25P40-VMN3TP/XTR | - | | 8776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | M25P40 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 50 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||
 | MT48LC8M32LFB5-10 IT | - | | 3073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 256Mbit | 7nn | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 15ns | |
| N25Q064A13ESEC0G | - | | 9164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | N25Q064A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO O | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | JS28F512M29EWHA | - | | 5273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F512M29 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512Mbit | 110 n | FLASH | 64Mx8, 32Mx16 | Parallelo | 110ns | ||
 | MT29F64G08AEAAAC5-Z:A | - | | 2667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 52-VLGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT46V32M16P-6T:FTR | - | | 4618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns |
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Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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