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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR | - |  | 8934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-LBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-LBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | |||||
 | MT45W1MW16BAFB-856 PESO TR | - | | 3771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 16Mbit | 85 ns | PSRAM | 1Mx16 | Parallelo | 85ns | ||||
 | MT53D8DAWF-DC | - | | 3717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Scatola | Attivo | MT53D8 | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.190 | ||||||||||||||||||||
 | MT46V16M16TG-75 IT:F TR | - | | 2303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V16M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | JS28F00AP30TFA | - | | 5670 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F00AP30 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 1 Gbit | 110 n | FLASH | 64Mx16 | Parallelo | 110ns | |||
 | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F | - | | 3067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT29F4G01 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | |||||
| MT29F512G08CMCABK7-6:A | - | | 2918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | |||||
 | MT40A4G4NRE-075E:B TR | - | | 3992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (8x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 4G×4 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR | - | | 4916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F256G08CMCGBJ4-37R:GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MTFC256GAVATTC-AAT | 90.4350 | | 2840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MTFC256GAVATTC-AAT | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MT48H8M16LFB4-6:K | - | | 2301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5 nn | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| MT53D512M64D4NW-046 PESO:F TR | - | | 4102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | 557-MT53D512M64D4NW-046WT:FTR | OBSOLETO | 1.000 | |||||||||||||||||||||
| MT41J256M16HA-125:E | - | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 4Gbit | 13,75 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | |||
| M50FLW080BN5G | - | | 2274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -20°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 40-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M50FLW080 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 40-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | Non volatile | 8Mbit | 250 n | FLASH | 1M x 8 | Parallelo | - | |||
| MT53E1G32D4NQ-046 PESO:F | - | | 2861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 557-MT53E1G32D4NQ-046WT:F | OBSOLETO | 1 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | ||||||||
| MT52L256M32D1PU-107 PESO ES:B TR | - | | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT52L256 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,2 V | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 256Mx32 | - | - | |||||||||
 | MT29F1G08ABADAWP-ITE:D | - | | 3869 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||||
 | MTFC4GLUDM-AIT | - | | 4664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-TFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-TFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | ||||||
| MT29F4T08EULCEM4-R:C TR | - | | 5069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F4T08 | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F4T08EULCEM4-R:CTR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Tbit | FLASH | 512G x 8 | Parallelo | - | |||||
 | MT48LC16M16A2P-6A L:G | - | | 3368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 12ns | |||
| MT29F2G16ABAGAWP-AITES:G | 5.0400 | | 6094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G16 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||||
| MT46V32M8P-5B IT:M TR | - | | 6854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M8 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT46H16M16LFBF-5 IT:H | - | | 9997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 5 nn | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT47H32M8BP-3:B TR | - | | 3751 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT47H32M8B | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 333 MHz | Volatile | 256Mbit | 450 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT29F1G08ABBDAHC-IT:D TR | - | | 8041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | |||||
 | MT28FW01GABA1HPC-0AAT TR | - | | 1276 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28FW01 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 1 Gbit | 105 n | FLASH | 64Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
 | M25PE20-VMP6TGTR | - | | 7188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | M25PE20 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 15 ms, 3 ms | ||||
| MT28F320J3BS-11GMET | 2.0000 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | - | 3277-MT28F320J3BS-11GMET | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 32Mbit | 110 n | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | Non verificato | ||||||||
| MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K TR | - | | 3937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | MT29VZZZAD8 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8KTR | OBSOLETO | 2.000 | Non verificato | ||||||||||||||||
| MT53B256M64D2NW-062 PESO ES:C | - | | 5818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | - | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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