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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F2G32D4DS-023 FAAT:B TR | 63.8550 |  | 7790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT:BTR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| EDFA164A2PM-JD-FR TR | - | | 4805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDFA164 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | Parallelo | - | ||||
 | MTFC32GJGDQ-AIT TR | - | | 7280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT46H8M16LFBF-5:K | - | | 8802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H8M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 128Mbit | 5 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT53D1024M64D8PM-053 PESO:D | - | | 2455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | |||
 | MT25TL512HBA8E12-0AAT TR | 10.5450 | | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25TL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT29F1G08ABCHC-ET:C | - | | 4323 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | M25PE80-VMS6TGTR | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | M25PE80 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
 | MT48H8M16LFB4-6 IT:K | - | | 5446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT62F2G64D8EK-023 FAAT:B TR | 126.4350 | | 3972 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT:BTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MTFC128GAOAMEA-WT | 37.4400 | | 1342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Attivo | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - | MTFC128 | FLASH-NAND | - | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | MMC | - | ||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-M:C | 78.1500 | | 1718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-M:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L | 7.3700 | | 1032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | - | - | 557-MT29F8G08ABBCAM71M3WC1L | 1 | Non volatile | 8Gbit | 25 ns | FLASH | 1G x 8 | ONFI | 25ns | ||||||||
| MT29F512G08CUCABH3-10R:A TR | - | | 5312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | M29F800FT55N3E2 | - | | 3105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F800 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Mbit | 55 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 55ns | |||
| MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR | 136.1250 | | 4726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF:KTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT28F800B5SG-8 SCOMMESSA TR | - | | 2795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | MT28F800B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 8Mbit | 80 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 80ns | |||
 | MT47H64M8SH-25E AIT:H TR | - | | 7114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT47H64M8SH-25EAIT:HTR | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT53E512M32D2NP-046 | - | | 1305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 95°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | |||||
| MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR | - | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | MT42L64M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 168-FBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | ||||
 | M25PX64-VME6TG TR | - | | 1959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | M25PX64 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E | - | | 1286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||||
 | MT48LC16M8A2BB-75IT:G | - | | 7700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT28F800B3WG-9T | - | | 2046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F800B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Mbit | 90 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 90ns | |||
| MT29F16G08ADACAH4-IT:C TR | - | | 1052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F16G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29C1G12MAADVAMD-5 IT | - | | 4208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 130-VFBGA | MT29C1G12 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1 Gbit (NAND), 512 Mbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 64 MB x 16 (NAND), 32 MB x 16 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| MT29RZ8C4DZZHGPL-18 L.81U | - | | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | JS28F640P33TF70A | - | | 8713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F640P33 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | ||
| MT29F8G08ADADAH4-IT:D | 12.0400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F8G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT62F1G32D2DS-023FAAT:C | 31.9350 | | 9713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT:C | 1 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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