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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46H64M32LFMA-5 PESO:B | - |  | 6304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 ns | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT28FW512ABA1LPC-0AAT | - | | 8298 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28FW512 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | - | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Non volatile | 512Mbit | 105 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 60ns | |||||
| MT29F2T08CUCBBK9-37:B | - | | 6772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F2T08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | Non volatile | 2 bit | FLASH | 256G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT53B4DAANK-DC | - | | 7697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | 366-WFBGA | MT53B4 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 366-WFBGA (15x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | Volatile | DRAM | ||||||||||
 | MT45W1MW16BABB-706 PESO TR | - | | 3345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 16Mbit | 70 ns | PSRAM | 1Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT29F32G08AECCBH1-10:C TR | - | | 8057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-VBGA | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | ||||
| MTFC32GANALEA-WT | - | | 1124 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | MTFC32G | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
| DC0232A-D | - | | 2349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.900 | |||||||||||||||
| EDW4032BABG-70-FRTR | - | | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 170-TFBGA | EDW4032 | SGRAM-GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V | 170-FBGA (12x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,75GHz | Volatile | 4Gbit | RAM | 128Mx32 | Parallelo | - | |||
 | MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR | - | | 7722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F384G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 384Gbit | FLASH | 48G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT46V16M16P-75:F | - | | 8595 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V16M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT53D4DACR-DC | - | | 5353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | - | - | MT53D4 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | Volatile | DRAM | ||||||||||||
| MT53B1024M64D8PM-062 PESO:D TR | - | | 3404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | |||
| MT29F16T08GWLCEM5-QJ:C | 312.5850 | | 2599 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5-QJ:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR | - | | 5642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28EW512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 64Mx8, 32Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
 | MT53E128M32D2FW-046IT:A | 7.4714 | | 9836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046IT:A | 1 | 2.133GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | 18ns | |||||||
 | MT40A2G4WE-083E:B TR | 14.9900 | | 720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (8x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,2GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 2G×4 | Parallelo | - | |||
 | MT29F1G08ABADAWP-E:D | - | | 6635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | |||||
| MT53B384M64D4EZ-062 PESO ES:A TR | - | | 7269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | ||||
 | MT49H32M9FM-25 TR | - | | 8921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H32M9 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144μBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx9 | Parallelo | - | ||
| MT46V64M16TG-6T:A TR | - | | 6784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V64M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 5 (48 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 1Gbit | 700 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | M29F400BB70N6T TR | - | | 1154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F400 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 4Mbit | 70 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR | 33.7050 | | 5716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28FW02 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT28FW02GBBA1LPC-0AATTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | 105 n | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | 60ns | ||
 | MT41K256M16TW-17 XIT:P TR | - | | 1888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (8x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 2.000 | Volatile | 4Gbit | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | |||||
| MT40A1G8WE-075E:D | - | | 1954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (8x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1,33GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | - | |||
 | N25Q256A33EF840F | - | | 5378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q256A33 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT29TZZZ8D6DKEZB-107 L.9H6 | - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 221-WFBGA | MT29TZZZ8 | FLASH-NAND, DRAM-LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 221-WFBGA (13x11,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6 | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.520 | 933 MHz | Non volatile, volatile | 128 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR3) | FLASH, RAM | 16 GB x 8 (NAND), 256 MB x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | |||
| M28W640FCT70N6F TR | - | | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M28W640 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT29F128G08CFCGBWP-10M:G | - | | 5732 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 100 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT25QU128ABA1EW9-0SIT | - | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | MT25QU128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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