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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR | - |  | 4826 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | MT47H128M8CF-25E AIT:H TR | - | | 7465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT25QU512ABB8E12-0SIT | 9.7900 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25QU512 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT53B512M64D4PV-053 PESO ES:C | - | | 7693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 840 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | |||||
 | MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR | - | | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
 | N25Q512A13GSFA0F TR | - | | 8062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q512A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 128M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT:C TR | 82.1100 | | 8948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F2G16ABBFAH4:F TR | - | | 1240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F2G16 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | - | |||||
| MT53D768M64D8SQ-053 PESO:E | - | | 1404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 556-VFBGA | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 556-VFBGA (12,4x12,4) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | |||
| N25W256A11EF840E | - | | 8017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | N25W256 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | - | |||
| MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 TR | - | | 2923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||
 | MT25QU128ABA1EW7-0SIT | 4.1200 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | MT25QU128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-WPDFN (6x5)(MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.940 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29VZZZAD8FQKSL-046 L.12H | 47.1600 | | 8959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29VZZZAD8FQKSL-046W.12H | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E4D1ABA-DC | 22.5000 | | 5580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | MT53E4 | - | REACH Inalterato | 557-MT53E4D1ABA-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
| M25P40-VMP6TGBM3TR | - | | 4037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | M25P40 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT53E128M16D1DS-046 AIT:ATR | - | | 6212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | MT53E128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E128M16D1DS-046AIT:ATR | OBSOLETO | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | - | - | |||||||
 | MT58L64L32PT-10 | 1.7900 | | 204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 2Mbit | 5 nn | SRAM | 64K x 32 | Parallelo | - | |||
 | MT28F128J3BS-12ETTR | - | | 1676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-FBGA | MT28F128J3 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128Mbit | 120 n | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | - | |||
 | MT48H32M16LFB4-6 IT:C | 7.0600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.560 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 nn | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT45W8MW16BGX-701IT | - | | 8648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT45W8MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | 104 MHz | Volatile | 128Mbit | 70 ns | PSRAM | 8Mx16 | Parallelo | 70ns | ||
| M58WR032KT70ZB6F TR | - | | 2221 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-VFBGA | M58WR032 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx16 | Parallelo | 70ns | ||
 | MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR | - | | 1670 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT35XU256ABA2G12-0AUT TR | 7.3500 | | 5329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XU256 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT35XU256ABA2G12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | Autobus Xccela | - | ||
 | MT29F64G08AKCBBH2-12:B | - | | 5057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT42L384M32D3LP-25 PESO:A | - | | 6430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT42L384M32 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,3 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Volatile | 12Gbit | DRAM | 384Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT48LC4M16A2P-7E:J | - | | 7639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 133 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
| MT53D384M16D1NY-046XT ES:D | - | | 4671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 105°C (TC) | MT53D384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 2.133GHz | Volatile | 6Gbit | DRAM | 384Mx16 | - | - | ||||||||
| MT53E128M16D1DS-053AIT:A | - | | 9219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | MT53E128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E128M16D1DS-053AIT:A | OBSOLETO | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | - | - | |||||||
 | MT58L64L18DT-7.5TR | 7.0500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatile | 1Mbit | 4,2 ns | SRAM | 64K×18 | Parallelo | - | |||
 | MT28EW512ABA1HPC-1SITTR | - | | 5642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28EW512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 64Mx8, 32Mx16 | Parallelo | 60ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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