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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28F400B5SG-8 SCOMMESSA | - |  | 3407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | MT28F400B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | ||||
 | MT28HL16GJBB3ERK-0SCT | - | | 5429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 960 | |||||||||||||||||||
 | JS28F640P33T85A | - | | 3090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F640P33 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 64Mbit | 85 nn | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z:A | - | | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR | - | | 3401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F8G16 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 512Mx16 | Parallelo | - | |||||
 | MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F | - | | 7479 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.620 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||||
 | MTFC4GMUEA-WT TR | - | | 6346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | ||||||
| MTFC8GLDEA-1M PESO TR | - | | 8567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC8 | FLASH-NAND | 1,65 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 | - | | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | 121-WFBGA | 121-VFBGA (8x7,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | |||||||||||||||
| MT29C4G96MAZBACJG-5WTTR | - | | 1173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C4G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||||
| MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR | - | | 2604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28FW512 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 512Mbit | 105 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
 | MT46H32M16LFCK-6 IT TR | - | | 7177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 nn | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| MT53D384M64D4KA-046XT:E | 36.7950 | | 3804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 2.133GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | ||||
| MT47H256M8EB-25E AIT:C TR | - | | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (9x11,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 400 CV | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
| MT53D2048M32D8QD-053 PESO:D TR | - | | 8575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | - | - | ||||
 | PC28F064M29EWTX | - | | 7493 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | PC28F064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | Non volatile | 64Mbit | 60 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 60ns | |||||
| MT53B2DARN-DC TR | - | | 8860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | - | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F512G08EMCBBJ5-6:B | - | | 9114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | - | MT29F512G08 | FLASH NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 167 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | |||||
 | MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR | - | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
| M29F160FB55N3E2 | - | | 2809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F160 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 16Mbit | 55 ns | FLASH | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 55ns | ||||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR | - | | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||||
| MT29F3T08EUHBBM4-3R:B | - | | 8994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F3T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | Non volatile | 3 bit | FLASH | 384G x 8 | Parallelo | - | ||||||
 | M29F160FT5AN6F2TR | - | | 8861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F160 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 16Mbit | 55 ns | FLASH | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 55ns | ||||
| MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F | 8.1100 | | 5650 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-F | 1 | ||||||||||||||||||||||
| MT53D1G32D4BD-053 PESO:D | - | | 1221 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||||||||
| MT40A512M16TB-062E IT:J TR | - | | 2783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT40A512M16TB-062EIT:JTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| MT51J256M32HF-70:B | - | | 8825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM-GDDR5 | 1,31 V ~ 1,39 V, 1,46 V ~ 1,55 V | 170-FBGA (12x14) | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1,75GHz | Volatile | 8Gbit | RAM | 256Mx32 | Parallelo | - | |||||||
| M50FLW080BK5TGTR | - | | 8271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -20°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | M50FLW080 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11,35x13,89) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | Non volatile | 8Mbit | 250 n | FLASH | 1M x 8 | Parallelo | - | |||
| M29F400FB5AM62 | - | | 5239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | M29F400 | FLASH-NOR | Non verificato | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 240 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT48V8M32LFB5-10 TR | - | | 3673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48V8M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 256Mbit | 7nn | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 15ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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