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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V8M16P-6T:D TR | - |  | 3154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V8M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 700 CV | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | M25P05-AVMN6P | - | | 8412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | M25P05-A | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 50 MHz | Non volatile | 512Kbit | FLASH | 64K×8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT61K512M32KPA-14C:B | - | | 8000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 180-TFBGA | MT61K512 | SGRAM-GDDR6 | 1,31 V ~ 1,391 V | 180-FBGA (12x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MT61K512M32KPA-14C:B | OBSOLETO | 1.260 | 7GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | |||||
 | MT28EW128ABA1LJS-0SIT | 7.7600 | | 524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28EW128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 128Mbit | 95 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
 | EDB4432BBBJ-1D-FD | - | | 5543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-FBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | |||
 | MT25QL128ABA8ESF-0SIT TR | 4.9700 | | 13 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | MT25QL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT29F256G08CKCABH2-12:A | - | | 6862 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT52L512M64D4GN-107 PESO ES:B TR | - | | 1013 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 256-WFBGA | MT52L512 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,2 V | 256-FBGA (14x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | ||||
 | MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR | - | | 4059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 83 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MTFC32GJTED-IT | - | | 5535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-VFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-VFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | |||||
| MT47H64M16HR-25 IT:H TR | - | | 8404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT49H32M9SJ-25:BTR | - | | 4784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H32M9 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 32Mx9 | Parallelo | - | ||
| MT29C3DAMF-DC TR | - | | 3402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT29C3 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||
 | MT41J128M16JT-107:K | - | | 5378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 933 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | ||
 | MT48LC8M32B2F5-7 ITTR | - | | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 6 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 14ns | ||
 | MT47H64M16BT-3:A TR | - | | 2969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 92-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 5 (48 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | 450 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | PC28F00AG18AE | - | | 8570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Tubo | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F00A | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | Non volatile | 1Gbit | 96 ns | FLASH | 64Mx16 | Parallelo | 96ns | |||
| MT53B768M32D4DT-062AIT:B | - | | 3178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1,6GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | - | - | |||
| TE28F640P33B85A | - | | 9171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | 28F640P33 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 64Mbit | 85 nn | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 85ns | ||
| N25Q128A13ESFH0F TR | - | | 3809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT62F2G32D4DS-023 AAT:B | 63.8550 | | 2275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C | 60.5400 | | 4072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | EDB5432BEBH-1DAAT-FD | - | | 4043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | EDB5432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.680 | 533 MHz | Volatile | 512Mbit | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | |||
| MT28EW256ABA1LJS-0SIT | 9.4500 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28EW256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256Mbit | 75 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR | - | | 5061 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | |||
 | PC28F320J3F75DTR | - | | 4903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 32Mbit | 75 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 75ns | ||||
 | MT29F64G08CBAAAWP-IT:A TR | - | | 4014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||||
| EDF8165A3MC-GD-FR | - | | 6681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | - | - | EDF8165 | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 2.000 | - | - | - | - | - | ||||||
 | MT55L256V18P1T | 5.5100 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4Mbit | 5 nn | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||
| N2M400GDB321A3CE | - | | 6109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | - | N2M400 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 52 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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