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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A2G8NEA-062E:R | 21.7650 |  | 3877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT40A2G8NEA-062E:R | 1.260 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | 13,75 ns | DRAM | 2G×8 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT53E1G64D4HJ-046 AIT:A TR | 57.3900 | | 7772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT:ATR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F8T08GULCEM4-QM:C | 156.3000 | | 8640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QM:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT58L128L32P1F-10 | 7.5200 | | 256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4Mbit | 5 nn | SRAM | 128K×32 | Parallelo | - | |||
| MT51K128M32HF-60 N:B TR | - | | 9032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 170-TFBGA | MT51K128 | SGRAM-GDDR5 | - | 170-FBGA (12x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,5GHz | Volatile | 4Gbit | RAM | 128Mx32 | Parallelo | - | |||
 | MT53E128M16D1DS-053 AIT:ATR | - | | 4114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | MT53E128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E128M16D1DS-053AIT:ATR | OBSOLETO | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | - | - | |||||||
| MT53B512M64D4NW-062 PESO:C | - | | 1611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1,6GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | ||||
| EDFP112A3PF-JDTJ-FD | - | | 1612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 105°C (TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 933 MHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 192Mx128 | Parallelo | - | ||||
 | MT41J256M4HX-15E:DTR | - | | 7465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41J256M4 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-FBGA (9x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Volatile | 1Gbit | DRAM | 256Mx4 | Parallelo | - | |||
| M29W040B55K6E | - | | 9184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | M29W040 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11,35x13,89) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K×8 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR | - | | 8753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | ||||
 | M29DW323DT70N6F TR | - | | 6401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29DW323 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA | - | | 5424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM-LPDDR2, MCP-LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 121-VFBGA (11x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 1Gbit (PCM), 512Mbit (MCP) | RAM | 128Mx8 (PCM), 64Mx8 (MCP) | Parallelo | - | ||||
 | JS28F256M29EWHA | - | | 5435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F256M29 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256Mbit | 110 n | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 110ns | |||
 | PC28F640P30BF65A | - | | 5067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F640 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 64Mbit | 65 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 65ns | ||
 | MTFC16GLWDQ-4M AIT ZTR | - | | 4227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC16G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | ||||
 | MTFC32GJVED-WT | - | | 1404 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-VFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-VFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | |||||
| M29W128GH70N3E | - | | 9953 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128Mbit | 70 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MTFC4GLVEA-0M PESO | - | | 3938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||||
| MT53B512M64D4TX-053 PESO:C | - | | 8720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | |||||
 | MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | Volatile | 8Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
 | MT25QL128ABA8E12-1SIT | - | | 4068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25QL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT47H128M8CF-25E IT:H | - | | 8378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT58L256L32PT-6 | 8.9300 | | 844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatile | 8Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K×32 | Parallelo | - | |||
| MT29F4G08BABWP TR | - | | 7955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 PESO:D TR | - | | 2828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||
| MT25QU512ABB8E56-0SIT TR | 7.0650 | | 8759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | - | - | MT25QU512 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| M50FW040K5TGTR | - | | 8340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -20°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | M50FW040 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 32-PLCC (11,35x13,89) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | Non volatile | 4Mbit | 250 n | FLASH | 512K×8 | Parallelo | - | ||
| MT48LC8M16A2B4-6A IT:L | 8.0250 | | 9605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.560 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
 | MT49H16M18SJ-25:B TR | 30.0900 | | 5617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | MT49H16M18 | DRAM | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FBGA (18,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 288Mbit | 20 ns | DRAM | 16Mx18 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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