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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G8SA-062E AAT:E TR | 10.1250 |  | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT40A1G8SA-062EAAT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | 15ns | |
 | MTFC32GAPALBH-AAT | - | | 2868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT45V256KW16PEGA-70WTTR | - | | 2496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | MT45V256KW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 70 ns | PSRAM | 256K×16 | Parallelo | 70ns | ||||
 | MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR | - | | 6499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C4G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| M58LT128KST8ZA6E | - | | 2815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M58LT128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 85 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
| MT28FW02GBBA1LPC-0AAT | 33.7050 | | 4991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28FW02 | FLASH-NOR | 1,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.104 | Non volatile | 2Gbit | 105 n | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT53D768M64D4SQ-053 PESO ES:A | - | | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||||||
| MT29TZZZ8D5JKETS-107 L.95Q | - | | 5161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29TZZZ8 | FLASH-NAND, DRAM-LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.008 | 933 MHz | Non volatile, volatile | 64 Gbit (NAND), 8 Gbit (LPDDR3) | FLASH, RAM | 68 GB x 8 (NAND), 256 MB x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
 | MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR | - | | 7275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G01 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 1G x 1 | SPI | - | ||||
| MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR | - | | 1927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 137-VFBGA | MT29C4G48 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 8 (NAND), 64 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| MTFC32GAZAQDW-AAT | 19.0800 | | 2752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFC32GAZAQDW-AAT | 980 | ||||||||||||||||||
 | JS28F256J3F105A | - | | 9844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F256J3 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256Mbit | 105 n | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 105ns | |||
| MT52L256M64D2PD-107 PESO ES:B TR | - | | 5348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,2 V | 216-FBGA (15x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | - | - | ||||
 | MT29F128G08CFAABWP-12:A | - | | 5134 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR | - | | 9406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT38W2011 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||
 | MT53E128M32D2DS-053AUT:A | 12.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E128M32D2DS-053AUT:A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | - | - | ||
| EDFA112A2PF-JD-FD | - | | 9346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDFA112 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 933 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 128Mx128 | Parallelo | - | ||||
| MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR | - | | 9922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 272-VFBGA | MT29F1T208 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 272-VBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 1.125 Tbit | FLASH | 144G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT53E768M64D4HJ-046 PESO:C | 48.1050 | | 8999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT48H16M32L2B5-10 IT TR | - | | 2720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 100 MHz | Volatile | 512Mbit | 7,5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
 | NAND01GR3B2CZA6E | - | | 6641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | NAND01 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9,5x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -NAND01GR3B2CZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 1Gbit | 25 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 25ns | ||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT:B | 31.9350 | | 2628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| JR28F032M29EWBA | - | | 4504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JR28F032M29 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| EDB8164B4PT-1DAT-FD | - | | 2611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 216-WFBGA | EDB8164 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 533 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 128Mx64 | Parallelo | - | |||
| EDFA232A2PF-GD-FR TR | - | | 4452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | - | EDFA232 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 168-FBGA (12x12) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR | - | | 7736 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 272-VFBGA | MT29F1T208 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 272-VBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 1.125 Tbit | FLASH | 144G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT46H256M32R4JV-5IT:B | - | | 1512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT46H256M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 8Gbit | 5 nn | DRAM | 256Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
| M50FW040NB5G | - | | 7239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -20°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,488", larghezza 12,40 mm) | M50FW040 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 32-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | Non volatile | 4Mbit | 250 n | FLASH | 512K×8 | Parallelo | - | ||
| MT53D768M32D4BD-053 PESO:C | - | | 2235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | - | - | |||
| PC28F128G18FFTR | - | | 7926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | 96 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 96ns |
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Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
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