- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JS28F640P30BF75A | - |  | 2729 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | JS28F640P30 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 64Mbit | 75 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 75ns | ||
 | M29W400FT55N3E | - | | 1283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
| MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K | 36,9000 | | 1779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D | - | | 4981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||||
 | MT41K512M8DA-107 AAT:P | 8.8700 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
 | MT57W1MH18CF-4 | 30.4500 | | 587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | SRAM: sincronizzato | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 450 CV | SRAM | 1Mx18 | HSTL | - | |||
| MT29F8T08ESLEEG4-QD:E | 211.8900 | | 4696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F8T08ESLEEG4-QD:E | 1 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A23BF840FTR | - | | 5095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A23 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT48LC16M16A2P-7E IT:G | - | | 6730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.080 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns | ||
| MT46H64M32LFCX-5 IT:B | - | | 3402 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 2Gbit | 5 nn | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
| MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR | - | | 1938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | |||||||||||||||||
| N25Q128A31EF840E | - | | 8034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q128A31 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.920 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
 | MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | 2.9984 | | 8103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 1Gbit | 20 ns | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | 20ns | |||
| MT29F512G08CKCABK7-6:ATR | - | | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT53E128M32D2FW-046 PESO:A TR | 7.9200 | | 9758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 557-MT53E128M32D2FW-046WT:ATR | 1 | 2.133GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | 18ns | ||||||
| MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A | - | | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | MT53E768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E768M64D4SQ-046AAT:A | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||||
 | MT58L64L36PT-7.5 | 4.2600 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatile | 2Mbit | 4 ns | SRAM | 64K x 36 | Parallelo | - | |||
 | MT47H32M16HR-25E AAT:G | - | | 6168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| N25Q064A13EF8H0E | - | | 5187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25Q064A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT46V64M8BN-6 L:F | - | | 7982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT46H128M32L2KQ-5 PESO:B TR | - | | 6678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 4Gbit | 5 nn | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT53B2DBNP-DC | - | | 3218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | Volatile | DRAM | |||||||||||
 | MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR | 14.0850 | | 3984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E256M32D2DS-053AIT:BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 256Mx32 | - | - | ||
| MT58L256V36PS-6TR | 5.9800 | | 32 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 MHz | Volatile | 8Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
| MT53E768M32D2FW-046 AAT:C TR | 32.0250 | | 3941 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AAT:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT38M5041A3034EZZI.XR6 | - | | 4105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-VFBGA | MT38M5041 | FLASH-NÉ, PSRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 56-VFBGA (8x8) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.560 | 133 MHz | Non volatile, volatile | 512 Mbit (FLASH), 128 Mbit (RAM) | FLASH, RAM | 32Mx16, 8Mx16 | Parallelo | - | ||||
| MTFC16GAPALGT-S1 IT | 17.6400 | | 6046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | FLASH-NAND (SLC) | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||||
 | MTFC4GMVEA-4M IT | - | | 3351 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | ||||
| M29W128GH70ZA6F TR | - | | 8350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 128Mbit | 70 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| MT53D512M32D2NP-062 PESO:D TR | - | | 6971 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)