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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC128GBCAQTC-AAT | 62.4100 |  | 2118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MTFC128GBCAQTC-AAT | 1.520 | |||||||||||||||||||
 | MT47H128M8SH-25E AAT:M TR | - | | 9817 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT47H128M8SH-25EAAT:MTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Volatile | 1Gbit | 400 CV | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| NAND02GW3B2DZA6E | - | | 2107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | NAND02G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9,5x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -NAND02GW3B2DZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 2Gbit | 25 ns | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | 25ns | ||
| MTFC16GAPALGT-S1 IT | 17.6400 | | 6046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | FLASH-NAND (SLC) | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||||
| MT38M5041A3034EZZI.XR6 | - | | 4105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-VFBGA | MT38M5041 | FLASH-NÉ, PSRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 56-VFBGA (8x8) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.560 | 133 MHz | Non volatile, volatile | 512 Mbit (FLASH), 128 Mbit (RAM) | FLASH, RAM | 32Mx16, 8Mx16 | Parallelo | - | ||||
| M29W128GH70ZA6FTR | - | | 8350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 128Mbit | 70 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| MT53D8D1AJS-DC TR | - | | 3345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | MT53D8 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | MT41K512M8DA-107 AAT:P | 8.8700 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
| M29W400FT55N3E | - | | 1283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D | - | | 4981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||||
 | MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR | - | | 9646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
 | MTFC32GAKAEEF-AAT | - | | 9532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-TFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | - | 169-TFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR | - | | 1109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UDFN | MT29F4G01 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | ||||
 | MT40A256M16LY-062E IT:F TR | 9.1650 | | 2654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT40A256M16LY-062EIT:FTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 13,75 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | - | |
| MT62F3G32D8DV-023 AIT:B TR | 86.2050 | | 2719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT:BTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2G08ABBEAHC:E | - | | 1730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT62F1536M32D4DS-026 PESO:B | 34.2750 | | 7167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026WT:B | 1 | 3,2GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||||||
 | MT45W1MW16PDGA-70 IT TR | - | | 9807 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | MT45W1MW16 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 16Mbit | 70 ns | PSRAM | 1Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MTFC64GAXAQEA-WT TR | 7.5600 | | 1846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MTFC64GAXAQEA-WTTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
 | MTFC4GMDEA-4M IT TR | - | | 6557 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-WFBGA | MTFC4 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.000 | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | MMC | - | |||||
| MT62F2G64D8CL-023 PESO:B TR | 74.4900 | | 6617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR5 | 1,05 V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT:BTR | 2.500 | 4.266GHz | Volatile | 128 Gbit | DRAM | 2G×64 | LVSTL | - | ||||||||
 | MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR | - | | 9437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT29F4G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F4G01ABBFD12-IT:FTR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | 83 MHz | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | |||
 | N25Q128A13B1241F TR | - | | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT40A512M8RH-083E AAT:B | - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (9x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,2GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | |||
 | M29W320ET70N6F TR | - | | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L128L36 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | MT46V32M16CY-5B:J | - | | 6704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29C4G96MAYBACJG-5WT TR | - | | 3551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C4G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 8 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| MT62F768M32D2DS-023 FAAT:B TR | 25.6500 | | 3828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT:BTR | 2.000 | 4.266GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR | - | | 9539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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