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Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR	-	Richiesta di offerta	8836	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				MT38Q2071				-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato			0000.00.0000	1.000
MT53E768M64D4HJ-046 PESO:C	48.1050	Richiesta di offerta	8999	Micron Technology Inc.	-	Scatola	Attivo								-				557-MT53E768M64D4HJ-046WT:C			1
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B	31.9350	Richiesta di offerta	2628	Micron Technology Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Scatola	Attivo	-	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-LPDDR mobile5	1,05 V	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F1G32D2DS-023AAT:B			1	4.266GHz	Volatile	32Gbit		DRAM	1G x 32	Parallelo	-
N25Q128A11EF840FTR	-	Richiesta di offerta	3325	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN	N25Q128A11	FLASH-NOR	1,7 V~2 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	4.000	108 MHz	Non volatile	128Mbit		FLASH	32M x 4	SPI	8ms, 5ms
M29W400FT5AZA6F TR	-	Richiesta di offerta	4251	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFBGA	M29W400	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	2.500		Non volatile	4Mbit	55 nn	FLASH	512K x 8, 256K x 16	Parallelo	55ns
MT53B192M64D2SG-062 PESO ES:A	-	Richiesta di offerta	8305	Micron Technology Inc.	-	Massa	Obsoleto	-30°C ~ 85°C (TC)	-	-	MT53B192	SDRAM-Mobile LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimitato)			OBSOLETO	0000.00.0000	1.190	1,6GHz	Volatile	12Gbit		DRAM	192Mx64	-	-
MT46V16M16FG-5B:FTR	-	Richiesta di offerta	2221	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	60-FBGA	MT46V16M16	SDRAM-DDR	2,5 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x14)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	200 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
MT46V32M8FG-75 L:G TR	-	Richiesta di offerta	7673	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	60-FBGA	MT46V32M8	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-FBGA (8x14)	scaricamento	RoHS non conforme	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	133 MHz	Volatile	256Mbit	750 CV	DRAM	32Mx8	Parallelo	15ns
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR	3.7300	Richiesta di offerta	1	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	MT29F1G08	FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.000		Non volatile	1 Gbit		FLASH	128Mx8	Parallelo	-
MT47H16M16BG-5E:BTR	-	Richiesta di offerta	4143	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-FBGA	MT47H16M16	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x14)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	200 MHz	Volatile	256Mbit	600 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR	-	Richiesta di offerta	6716	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-TBGA	MT29F256G08	FLASH NAND (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	100 TBGA (12x18)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.000	100 MHz	Non volatile	256Gbit		FLASH	32G x 8	Parallelo	-
MT41K128M16V89C3WC1	5.6000	Richiesta di offerta	1259	Micron Technology Inc.	-	Massa	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)			MT41K128M16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V		-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato			0000.00.0000	1		Volatile	2Gbit		DRAM	128Mx16	Parallelo	-
MT62F512M32D2DS-031 AAT:B TR	17.4150	Richiesta di offerta	3865	Micron Technology Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 105°C	Montaggio superficiale	200-WFBGA		SDRAM-LPDDR mobile5	-	200-WFBGA (10x14,5)	-				557-MT62F512M32D2DS-031AAT:BTR			2.000	3,2GHz	Volatile	16Gbit		DRAM	512Mx32	Parallelo	-
N25Q008A11EF440FTR	-	Richiesta di offerta	5504	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)			N25Q008A11	FLASH-NOR	1,7 V~2 V		-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	4.000	108 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M×8	SPI	8ms, 5ms
N25Q00AA13G1241E	-	Richiesta di offerta	6210	Micron Technology Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-LBGA	N25Q00AA13	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	24LPBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	187	108 MHz	Non volatile	1 Gbit		FLASH	256Mx4	SPI	8ms, 5ms
MT53E2G32D8QD-046 PESO:E	-	Richiesta di offerta	7676	Micron Technology Inc.	-	Scatola	Obsoleto	-30°C ~ 85°C (TC)			MT53E2G32	SDRAM-Mobile LPDDR4	1,1 V		-					OBSOLETO	0000.00.0000	1.360	2.133GHz	Volatile	64Gbit		DRAM	2G x 32	-	-
MT29F512G08CFCBBWP-10:B	-	Richiesta di offerta	3908	Micron Technology Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	MT29F512G08	FLASH NAND (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			OBSOLETO	0000.00.0000	960	100 MHz	Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	Parallelo	-
MT44K16M36RB-093:ATR	-	Richiesta di offerta	1077	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	168-TBGA	MT44K16M36	DRAM	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0024	1.000	1.066GHz	Volatile	576Mbit	10 ns	DRAM	16Mx36	Parallelo	-
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F	-	Richiesta di offerta	9404	Micron Technology Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	-	MT29F8G01	FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.122		Non volatile	8Gbit		FLASH	8G×1	SPI	-
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 L.80U	-	Richiesta di offerta	5653	Micron Technology Inc.	-	Massa	Obsoleto				MT29RZ4				-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			3A991B1A	8542.32.0071	1.000
MT46V64M8FN-75:D TR	-	Richiesta di offerta	3203	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	MT46V64M8	SDRAM-DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12,5)	-	RoHS non conforme	5 (48 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	133 MHz	Volatile	512Mbit	750 CV	DRAM	64Mx8	Parallelo	15ns
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR	-	Richiesta di offerta	9720	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (9x14)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.000	800 MHz	Volatile	8Gbit	13,5 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	-
MT40A1G4RH-075E:B	-	Richiesta di offerta	1551	Micron Technology Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	MT40A1G4	SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (9x10,5)	-			REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	1.260	1,33GHz	Volatile	4Gbit		DRAM	1G x 4	Parallelo	-
MT55L256L18F1T-12	4.4800	Richiesta di offerta	89	Micron Technology Inc.	ZBT®	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP		SRAM-ZBT	3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x20,1)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		3A991B2A	8542.32.0041	500	83 MHz	Volatile	4Mbit	9 ns	SRAM	256K×18	Parallelo	-
MT40A512M8SA-062E AAT:F	15.5100	Richiesta di offerta	8010	Micron Technology Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Massa	Attivo	-40°C ~ 105°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM-DDR4	1,14 V ~ 1,26 V	78-FBGA (7,5x11)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	MT40A512M8SA-062EAAT:F	EAR99	8542.32.0036	1.260	1,6GHz	Volatile	4Gbit	19 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns
MT53B1G64D8NW-062 PESO:D TR	-	Richiesta di offerta	3232	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-30°C ~ 85°C (TC)			MT53B1G64	SDRAM-Mobile LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimitato)			OBSOLETO	0000.00.0000	1.000	1,6GHz	Volatile	64Gbit		DRAM	1G x 64	-	-
EDBA164B2PF-1D-FD	-	Richiesta di offerta	6282	Micron Technology Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	-30°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	-	EDBA164	SDRAM-LPDDR mobile2	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	1.260	533 MHz	Volatile	16Gbit		DRAM	256Mx64	Parallelo	-
MT28F400B3WG-8 TET TR	-	Richiesta di offerta	9304	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	MT28F400B3	FLASH-NOR	3 V ~ 3,6 V	48-TSOP I	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	1.000		Non volatile	4Mbit	80 ns	FLASH	512K x 8, 256K x 16	Parallelo	80ns
M29W128FL70N6FTR	-	Richiesta di offerta	3711	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	M29W128	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	56-TSOP	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.200		Non volatile	128Mbit	70 ns	FLASH	16Mx8, 8Mx16	Parallelo	70ns
MT41K512M16VRP-107 IT:P TR	15.2250	Richiesta di offerta	9429	Micron Technology Inc.	TwinDie™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA		SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	96-FBGA (8x14)	-				557-MT41K512M16VRP-107IT:PTR			2.000	933 MHz	Volatile	8Gbit	20 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns