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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G8SA-062E:R TR | 6.0000 |  | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT40A1G8SA-062E:RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | 15ns | |
 | MT46H16M32LFB5-6 IT:C | - | | 1858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT62F768M64D4ZU-031 RF PESO:B TR | 27.9300 | | 5757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT:BTR | 2.500 | ||||||||||||||||||||
| MT29F256G08AUCABK4-10:A | - | | 8434 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT53B512M64D4EZ-062 PESO:C | - | | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.120 | 1,6GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | |||||
 | MTFC64GJVDN-3F PESO | - | | 3268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-LFBGA | MTFC64 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR | 3.0165 | | 9912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UDFN | MT29F4G01 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MT29F4G01ABAFDWB-IT:FTR | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | ||||
 | MT58L64L32PT-7.5 | 6.3000 | | 13 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L64L32 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 2Mbit | 4nn | SRAM | 64K x 32 | Parallelo | - | ||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C | 78.1500 | | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-25E:H | - | | 8328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 400 CV | DRAM | 512M x 4 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT29F4G08AACHC:C TR | - | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | MT41K512M16HA-107IT:A | - | | 8491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT41K1G4RH-107:E TR | - | | 1743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (9x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 4 | Parallelo | - | |||
| MT29F2T08CVCCBG6-6C:C | - | | 3638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 272-LFBGA | MT29F2T08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 272-LFBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 167 MHz | Non volatile | 2 bit | FLASH | 256G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | RC28F128P33TF60A | - | | 9910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | RC28F128 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (10x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 60 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 60ns | |||
| MT46H32M32LFCG-6IT:A | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 1 Gbit | 5 ns | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| MT41DC11TW-V88A | - | | 4776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | MT41DC | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||
| MT41J512M8THU-15E:A | - | | 9862 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 82-FBGA | MT41J512M8 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 4Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
| MT53D768M64D4SQ-053 PESO ES:A TR | - | | 8332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||||||
 | MT53B2DBDS-DC | - | | 2016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | Volatile | DRAM | |||||||||||
| MT41K512M16TNA-125:ETR | - | | 3160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT41J256M8JE-15E:A | - | | 7444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 82-FBGA | MT41J256M8 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 82-FBGA (12,5x15,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | - | ||
| MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR | 3.8498 | | 3606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT29F4G08ABBFAH4-AAT:FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||
 | MT40A2G8NRE-083E:B | - | | 5313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (8x12) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1,2GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 2G×8 | Parallelo | - | ||||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D | - | | 2010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||
 | MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR | - | | 2465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 12ns | ||
 | MT46V64M8P-5B IT:J | - | | 7005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.080 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | PC28F512P30BF0 | - | | 8004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F512 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | Non volatile | 512Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 100ns | ||
| MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR | - | | 5665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29E512G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | |||
| MTFC256GAZAOTD-AIT TR | 90.5250 | | 9917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MTFC256GAZAOTD-AITTR | 2.000 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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