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Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PC28F256M29EWLBTR | - |  | 5209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | PC28F256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 256Mbit | 100 n | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 100ns | ||||
 | M36W0R6050L4ZSE | - | | 7123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFBGA | M36W0R | FLASH | 1,7 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -M36W0R6050L4ZSE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 384 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | - | ||
 | PC28F512P33BFD | - | | 8900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F512 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 32Mx16 | Parallelo | 95ns | ||
 | MT46V32M8P-6T IT:G TR | - | | 9051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F4G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | |||||
| MT41J256M8JE-15E:A | - | | 7444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 82-FBGA | MT41J256M8 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 82-FBGA (12,5x15,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | - | ||
| MT53D768M32D4CB-053 PESO:C | - | | 3718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | - | - | |||
| MT53B4DATT-DC TR | - | | 5733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | MT53B4 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | Volatile | DRAM | |||||||||||||||
 | MT46H16M16LFBF-5:H | - | | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 5 nn | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT41J512M8THU-15E:A | - | | 9862 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 82-FBGA | MT41J512M8 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 4Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | ||
| MT48LC2M32B2B5-6A IT:J TR | 5.7449 | | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | 12ns | ||
| M29W010B70N6E | - | | 6963 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W010 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Non volatile | 1Mbit | 70 ns | FLASH | 128K×8 | Parallelo | 70ns | |||
| MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR | - | | 7203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | - | - | |||
 | MT25QU01GBBB8E12-0AUT | 24.6000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25QU01 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29C1G12MAACAFAKD-6IT | - | | 1733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 137-TFBGA | MT29C1G12 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile, volatile | 1 Gbit (NAND), 512 Mbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 128 MB x 8 (NAND), 16 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||
| MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR | - | | 5873 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F6T08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 6Tbit | FLASH | 768G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT55L128L36F1T-11 | 6.5800 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatile | 4Mbit | 8,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
| MT29F4T08EQLEEG8-QD:E | 105.9600 | | 1875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD:E | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A | - | | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT53E1G64D4SQ-046AAT:A | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | ||||||
 | MT29F32G08ABCDBJ4-6:D | - | | 6569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | |||
 | MT40A256M16GE-075E:B TR | - | | 5692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT40A256M16GE-075E:BTR | OBSOLETO | 2.000 | 1,33GHz | Volatile | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| EDW2032BBBG-60-FD | - | | 6094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 170-TFBGA | EDW2032 | SGRAM-GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V | 170-FBGA (12x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 1,5GHz | Volatile | 2Gbit | RAM | 64Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT46H16M32LFT67M-N1003 | - | | 9986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | MT46H16M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Volatile | 512Mbit | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | ||||||||
 | N25Q064A13ESF40F TR | - | | 6083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q064A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 16M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR | - | | 8790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G16 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 256Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | - | | 5003 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 5 nn | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR | 37.9050 | | 8089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT:BTR | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | 3,5 ns | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | 18ns | |||||||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12:B | - | | 9843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MTFC8GAMALBH-AAT ES TR | - | | 6870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC8 | FLASH-NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 1 (illimitato) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A | 87.1200 | | 857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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