- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Circuiti integrati (CI)(10403)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT44K64M18RCT-125E:ATR | - |  | 1252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 168-LBGA | MT44K64M18 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 1.125Gbit | 12 ns | DRAM | 64Mx18 | Parallelo | ||||
 | MT53D1024M32D4DT-053 PESO ES:D | - | | 9203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||
| MT62F768M64D4ZU-031 RF PESO:B TR | 27.9300 | | 5757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT:BTR | 2.500 | ||||||||||||||||||||
| MT46H32M32LFCG-6IT:A | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 1 Gbit | 5 nn | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR | 3.0165 | | 9912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UDFN | MT29F4G01 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MT29F4G01ABAFDWB-IT:FTR | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | ||||
 | MT29F4G08AACHC:C TR | - | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
| BK58F0088HVX001A | - | | 8027 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||
| MT29F4G08ABBEAH4:E TR | - | | 8016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT53B512M64D4EZ-062 PESO:C | - | | 5519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.120 | 1,6GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | |||||
 | MT41K512M16HA-107IT:A | - | | 8491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
 | MT58L64L32PT-7.5 | 6.3000 | | 13 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L64L32 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 2Mbit | 4nn | SRAM | 64K x 32 | Parallelo | - | ||
 | M29W400DT70N6F TR | - | | 8853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 4Mbit | 70 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 70ns | |||
| EDF8132A3PF-GD-FR TR | - | | 9408 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDF8132 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 256Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C | 78.1500 | | 4940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V32M16TG-6T:C | - | | 5539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | - | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT47H512M4THN-25E:H | - | | 8328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | 400 CV | DRAM | 512M x 4 | Parallelo | 15ns | ||
| MT46V64M8TG-75:D TR | - | | 2844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | - | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 750 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29F2G16ABAFAWP:F | - | | 8708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | MT29F2G16 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT53E512M32D2FW-046 AAT:D | 19.1100 | | 6041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM-Mobile LPDDR4 | - | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | 557-MT53E512M32D2FW-046AAT:D | 1 | 2.133GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C | 56.5050 | | 9598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 556-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12,4x12,4) | scaricamento | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT:C | 1 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | 3,5 ns | DRAM | 1G x 64 | Parallelo | 18ns | |||||||
 | MT35XL256ABA2GSF-0AAT | - | | 1659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.440 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | Autobus Xccela | - | |||||
 | MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR | 29.2650 | | 6307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E768M32D4DT-053AAT:ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | - | - | ||
 | MTFC8GLDDQ-4M IT | - | | 1441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC8 | FLASH-NAND | 1,65 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | ||||
| EDF8164A3PF-GD-FR TR | - | | 1083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | - | EDF8164 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 128Mx64 | Parallelo | - | |||
| MT53E768M32D2FW-046 AIT:C TR | 20.7300 | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AIT:CTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B512M32D2GZ-062AIT:B | - | | 1767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (11x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 1,6GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | - | - | ||||
| M58LT128KSB8ZA6E | - | | 8359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M58LT128 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 85 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
| N25Q256A13E1241FTR | - | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q256A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 64M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT62F1G32D2DS-023 PESO ES:C | 22.8450 | | 9532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES:C | 1 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT29F2G08ABCWP:CTR | - | | 7671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)