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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Caratteristiche | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Tensione - Ingresso (max) | Tipo di uscita | Numero di circuito | Rapporto - Ingresso:Uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Funzione | -3 dB di larghezza di banda | Corrente - Uscita/Canale | Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) | Circuito di commutazione | Circuito multiplexer/demultiplexer | Resistenza allo stato attivo (max) | Corrispondenza canale-canale (ΔRon) | Tensione - Alimentazione, singola (V+) | Tensione - Alimentazione, doppia (V±) | Tempo di cambio (Ton, Toff) (Max) | Inizio della carica | Capacità del canale (CS (spento), CD (spento)) | Corrente - Dispersione (IS(off)) (Max) | Diafonia | Interfaccia | Numero di uscite | Corrente - Quiescente (Iq) | Topologia | Frequenza - Commutazione | Protezione dai guasti | Funzionalità di controllo | Configurazione dell'uscita | Raddrizzatore sincronizzato | Corrente - Uscita | Tipo di carico | Rds attivato (tip.) | Corrente - Uscita di picco | Tensione - Carico | Tipo di interruttore | Corrente - Uscita (max) | Tensione - Uscita (Min/Fissa) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Ingresso (Min) | Numero di regolatori | Caduta di tensione (max) | PSRR | Funzionalità di protezione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DG442LDY-E3 | - |  | 1676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DG442 | 4 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 280 MHz | SPST-NO | 1:1 | 30Ohm | 100mOhm | 2,7 V~12 V | ±3 V~6 V | 60ns, 35ns | 5pC | 5pF, 6pF | 1nA | -95 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG9454EN-T1-E4 | - | | 1978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-WFQFN | DG9454 | 3 | 16-miniQFN (1,8x2,6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 540 MHz | SPDT | 2:1 | 120Ohm | 4Ohm | 2,7 V ~ 13,2 V | - | 180ns, 110ns | 0,86 p.c | 2pF, 3pF | 1nA | -81 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG418BAK-E3 | - | | 6385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | DG418 | 1 | 8-CERDIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | - | SPST-NO | 1:1 | 25Ohm | - | 13 V~36 V | ±7 V~22 V | 89ns, 80ns | 38pC | 12pF, 12pF | 250pA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG442DY-T1 | - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DG442 | 4 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | SPST-NO | 1:1 | 85Ohm | 4 Ohm (massimo) | 12V | ±15 V | 250ns, 210ns | -1pC | 4pF, 4pF | 500pA | -100 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG417LEDY-T1-GE3 | - | | 8477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DG417 | 8-SO | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 3V~16V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG9424EDN-T1-GE4 | 3.0700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 16-VQFN Tampone esposto | DG9424 | 4 | 16-QFN (4x4) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | SPST-NC | 1:1 | 3Ohm | - | 3V~16V | ±3 V~8 V | 51ns, 35ns | 38pC | 49pF, 37pF | 1nA | -77 dB a 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21107DT-28-E3 | - | | 3612 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilita, Potere Buono | Positivo | 150mA | 2,8 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 72 dB ~ 38 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG411DY-E3 | 2.5100 | | 8814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DG411 | 4 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | DG411DYE3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | - | SPST-NC | 1:1 | 35Ohm | - | 5 V~44 V | ±5 V~20 V | 175ns, 145ns | 5pC | 9pF, 9pF | 250pA | -85 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG2532DQ-T1-E3 | - | | 2200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 10-TFSOP, 10-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) | DG2532 | 2 | 10-MSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | SPDT | 2:1 | 600mOhm | 50mOhm (massimo) | 1,8 V ~ 5,5 V | - | 70ns, 65ns | 54pC | 143pF | 1nA | -69 dB a 100 kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SJM200BIA01 | - | | 1423 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | SJM20 | - | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DT-18-E3 | - | | 1708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilita, Potere Buono | Positivo | 150mA | 1,8 V | - | 1 | - | 72 dB ~ 38 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG9431EDY-T1-GE3 | 2.2300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DG9431 | 1 | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | SPDT | 1:2 | 30Ohm | 400mOhm | 2,7 V~12 V | - | 75ns, 50ns | 2pC | 7pF | 100pA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG401BDY-T1-E3 | 2.2580 | | 9213 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DG401 | 2 | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | SPST-NO | 1:1 | 45Ohm | - | 13 V~36 V | ±7 V~22 V | 150 n., 100 n | 60pC | 12pF, 12pF | 500pA | -94,8 dB a 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC641CD-T1-GE3 | 2.9800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP55-31L | Circuito Bootstrap, emulazione diodi | SIC641 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP55-31L | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 55A | Logica, PWM | Sovracorrente, Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo, Capacitivo, Resistivo | 3Ohm LS + HS | 100A | 16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9105DN02-E3 | - | | 3251 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 20-LCC (cavo J) | SI9105 | 120 V | - | 20-PLCC (9x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | Step-Up/Step-Down | 1 | Ritorno di ritorno | 40kHz~1MHz | Positivo o negativo, capace di isolamento | NO | - | - | - | 10 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1867DL-T1-GE3 | - | | 9417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | - | SI1867 | - | Canale P | 1:1 | SC-70-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | Acceso/Spesso | 1 | - | Lato alto | 480mOhm | 1,8 V~8 V | Scopo generale | 600mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC788ACD-T1-GE3 | 2.8800 | | 2248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Convertitori Buck sincroni | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP66-40 | Circuito bootstrap, emulazione diodi, flag di stato | SIC788 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP66-40 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 50A | PWM | Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo | - | - | 4,5 V~18 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC654ACD-T1-GE3 | 2.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP55-31L | Circuito Bootstrap, emulazione diodi | SIC654 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP55-31L | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 50A | Logica, PWM | Sovracorrente, Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo, Capacitivo, Resistivo | 3Ohm LS + HS | 100A | 24 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG2799DN-T1-E4 | - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-WFQFN | DG2799 | 2 | 16-miniQFN (1,8x2,6) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | DPDT | 2:2 | 450mOhm | 50mOhm | 1,65 V ~ 4,3 V | - | 57ns, 45ns | 160pC | 102pF | 1nA | -75 dB a 100 kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG441AK-E3 | - | | 9816 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 16-CDIP (0,300", 7,62 mm) | DG441 | 4 | 16-CERDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | - | SPST-NC | 1:1 | 85Ohm | 4 Ohm (massimo) | 12V | ±15 V | 250ns, 120ns | -1pC | 4pF, 4pF | 500pA | -100 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG412LDQ-E3 | - | | 9992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | DG412 | 4 | 16-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 360 | 280 MHz | SPST-NO | 1:1 | 17Ohm | - | 2,7 V~12 V | ±3 V~6 V | 19ns, 12ns | 5pC | 5pF, 6pF | 250pA | -95 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG441BDN-T1-E4 | 3.9200 | | 8138 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-VQFN Tampone esposto | DG441 | 4 | 16-QFN (4x4) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | SPST-NC | 1:1 | 80Ohm | 2Ohm | 13 V~36 V | ±7 V~22 V | 220ns, 120ns | -1pC | 4pF, 4pF | 500pA | -95 dB a 100 kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI3865CDV-T1-GE3 | - | | 4132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | Velocità di risposta controllata | SI3865 | - | Canale P | 1:1 | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | Acceso/Spesso | 1 | - | Lato alto | 50mOhm | 1,8 V~12 V | Scopo generale | 2,8 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP4280DT-1-T1-E3 | - | | 4199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | Velocità di risposta controllata | SIP4280 | Non invertito | Canale P | 1:1 | TSOT-23-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | UVLO | Lato alto | 80mOhm | 1,8 V ~ 5,5 V | Scopo generale | 2,3 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG636EN-T1-E4 | - | | 6551 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-WFQFN | DG636 | 2 | 16-miniQFN (1,8x2,6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 610 MHz | SPDT | 2:1 | 115Ohm | 1Ohm | 2,7 V~12 V | ±2,7V~5V | 60ns, 52ns | 0,1 pz | 2,1 pF, 4,2 pF | 100pA | -88 dB a 10 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DG403DJ | - | | 8775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | DG403 | 2 | 16-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | DG403DJVSI | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | - | SPST-NA/NC | 1:1 | 45Ohm | - | 13 V~36 V | ±7 V~22 V | 150 n., 100 n | 10pC | 12pF, 12pF | 500pA | -90 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3861BDV-T1-GE3 | - | | 2751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | Velocità di risposta controllata | SI3861 | - | Canale P | 1:1 | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - | Acceso/Spesso | 1 | - | Lato alto | 60mOhm | 4,5 V~20 V | Scopo generale | 2,3 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DT-25-E3 | - | | 4523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilita, Potere Buono | Positivo | 150mA | 2,5 V | - | 1 | 0,3 V a 150 mA | 72 dB ~ 38 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG1413EQ-T1-GE3 | - | | 6929 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | DG1413 | 4 | 16-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 210 MHz | SPST-NA/NC | 1:1 | 1,8 Ohm | 80mOhm | 4,5 V~24 V | ±4,5V~15V | 150ns, 120ns | -20pC | 11pF, 24pF | 550pA | -100 dB a 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DG413LEDQ-T1-GE3 | 1.9800 | | 7022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | DG413 | 4 | 16-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | SPST-NA/NC | 1:1 | 26Ohm | - | 3V~16V | ±3 V~8 V | 50ns, 30ns | 6,6% | 5pF, 6pF | 1nA | -114 dB a 1 MHz |
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