SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Numero di circuito Rapporto - Ingresso:Uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione -3 dB di larghezza di banda Corrente - Uscita/Canale Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Circuito di commutazione Circuito multiplexer/demultiplexer Resistenza allo stato attivo (max) Corrispondenza canale-canale (ΔRon) Tensione - Alimentazione singola (V+) Tensione - Alimentazione, doppia (V±) Tempo di cambio (Ton, Toff) (Max) Inizio della carica Capacità del canale (CS (spento), CD (spento)) Corrente - Dispersione (IS(off)) (Max) Diafonia Protocollo Numero di autisti/ricevitori Duplex Velocità dati Interfaccia Numero di uscite Corrente - Quiescente (Iq) Topologia Frequenza - Commutazione Protezione dai guasti Funzionalità di controllo Configurazione dell'uscita Fase di uscita Ciclo di lavoro (massimo) Raddrizzatore sincronizzato Sincronizzazione dell'orologio Interfacce seriali Corrente - Uscita Tipo di carico Rds attivato (tip.) Corrente - Uscita di picco Tensione - Carico Tipo di motore: passo-passo Tipo di motore: CA, CC Risoluzione del passaggio Tipo di interruttore Corrente - Uscita (max) Tensione - Uscita (Min/Fissa) Tensione - Uscita (max) Tensione - Ingresso (Min) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
SIP32475DN-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32475DN-T1-GE4 0,6400
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ECAD 9 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Velocità di risposta controllata SIP32475 Non invertito Canale P 1:1 4-uDFN (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Logica 1 Corrente inversa Lato alto 47mOhm 0 V ~ 5,5 V Scopo generale 2A
DG428DJ-E3 Vishay Siliconix DG428DJ-E3 -
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ECAD 7488 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Foro passante 18 DIP (0,300", 7,62 mm) DG428 1 18-PDIP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) DG428DJE3 EAR99 8542.39.0001 400 - - 8:1 100Ohm 5Ohm 12V ±15 V 150ns, 150ns 1pC 11pF, 40pF 500pA -
DG202BDK Vishay Siliconix DG202BDK -
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ECAD 5828 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Foro passante 16 CDIP (0,300", 7,62 mm) DG202 4 16-CERDIP - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 25 - SPST-NO 1:1 85Ohm 2Ohm 4,5 V~25 V ±4,5V~22V 300ns, 200ns 1pC 5pF, 5pF 500pA -95 dB a 100 kHz
DG506BEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix DG506BEQ-T1-GE3 3.6053
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ECAD 9182 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Montaggio superficiale 28-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) DG506 1 28-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 114 MHz - 16:1 300Ohm 10Ohm 12V~44V ±5 V~20 V 250ns, 200ns 1pC 3pF, 13pF 1nA -85 dB a 1 MHz
SIC651ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC651ACD-T1-GE3 2.8800
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ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix VRPower® Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale PowerPAK®MLP55-31L Circuito Bootstrap, emulazione diodi SIC651 MOSFET di potenza 4,5 V ~ 5,5 V PowerPAK®MLP55-31L scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 50A Logica, PWM Sovracorrente, Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO Mezzo ponte Induttivo, Capacitivo, Resistivo 3Ohm LS + HS 100A 24 V
SIC641ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC641ACD-T1-GE3 3.0700
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ECAD 9551 0.00000000 Vishay Siliconix VRPower® Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale PowerPAK®MLP55-31L Circuito Bootstrap, emulazione diodi SIC641 MOSFET di potenza 4,5 V ~ 5,5 V PowerPAK®MLP55-31L - 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 55A Logica, PWM Sovracorrente, Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO Mezzo ponte Induttivo, Capacitivo, Resistivo 3Ohm LS + HS 100A 16V
SIC645ALR-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC645ALR-T1-GE3 2.4288
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ECAD 9751 0.00000000 Vishay Siliconix VRPower® Nastro e bobina (TR) Attivo -10°C~100°C Convertitori buck sincroni, regolatori di tensione Montaggio superficiale 32-PotenzaWFQFN Circuito di bootstrap, bandiera di stato SIC645 NMOS 4,75 ~ 5,25 V PowerPAK® MLP55-32 Doppio raffreddamento scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 - PWM Limitazione di corrente, sovratemperatura, shoot-through, UVLO Mezzo ponte Induttivo 0,76 mOhm LS, 3,6 mOhm HS - 4,5 V~18 V
SI3865CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3865CDV-T1-GE3 -
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ECAD 4132 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 Velocità di risposta controllata SI3865 - Canale P 1:1 6-TSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 - Acceso/Spesso 1 - Lato alto 50mOhm 1,8 V~12 V Scopo generale 2,8 A
SI1040X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1040X-T1-GE3 0,8100
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ECAD 1697 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 Velocità di risposta controllata SI1040 - Canale P 1:1 SC-89 (SOT-563F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 - Acceso/Spesso 1 - Lato alto 500mOhm 1,8 V~8 V Scopo generale 430 mA
DG307BDJ-E3 Vishay Siliconix DG307BDJ-E3 -
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ECAD 7309 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) DG307 2 14-PDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) DG307BDJE3 EAR99 8542.39.0001 500 - SPDT 2:1 50Ohm - - ±15 V 110 ns, 70 ns (tipico) 30pC 14pF, 14pF 5nA -74 dB a 500 kHz
DG201HSDY-E3 Vishay Siliconix DG201HSDY-E3 4.7500
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ECAD 5853 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DG201 4 16-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) DG201HSDYE3 EAR99 8542.39.0001 50 - SPST-NC 1:1 50Ohm 1,5 Ohm 13 V~36 V ±7 V~22 V 60ns, 50ns -5pC 5pF 1nA -100 dB a 100 kHz
DG181AP/883 Vishay Siliconix DG181AP/883 -
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ECAD 8935 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C (TA) Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) DG181 2 14-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 25 - SPST-NC 1:1 30Ohm - - ±15 V 150ns, 130ns - 9pF, 6pF 1nA -
DG9461DY-T1 Vishay Siliconix DG9461DY-T1 -
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ECAD 2648 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DG9461 1 8-SOIC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 - SPDT 2:1 60Ohm 400mOhm 2,7 V~5 V - 75ns, 50ns 2pC 7pF 100pA -
DG442BDY Vishay Siliconix DG442BDY -
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ECAD 3669 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DG442 4 16-SOIC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 500 - SPST-NO 1:1 80Ohm 2Ohm 13 V~36 V ±7 V~22 V 220ns, 120ns -1pC 4pF, 4pF 500pA -95 dB a 100 kHz
SI9114ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9114ADY-T1-E3 -
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ECAD 4074 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 14-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SI9114 Driver del transistor 14-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.31.0001 2.500 Step-Up/Step-Down 9,5 V~16,5 V 1 Flyback, convertitore avanti 20kHz~2MHz Abilita, avvio graduale Positivo, capace di isolamento 1 50% NO -
DG201AAK Vishay Siliconix DG201AAK -
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ECAD 7836 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C (TA) Foro passante 16 CDIP (0,300", 7,62 mm) DG201 4 16-CERDIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 25 - SPST-NC 1:1 175Ohm - - ±15 V 600ns, 450ns 20pC 5pF, 5pF 1nA -90 dB a 100 kHz
SI9200EY Vishay Siliconix SI9200EY -
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ECAD 6474 0.00000000 Vishay Siliconix - Massa Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Ricetrasmettitore SI9200 4,75 V ~ 5,25 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.31.0001 500 CANbus 1/1 - -
SIP32430DN-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32430DN-T1-GE4 2.1600
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ECAD 2757 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 10-VFDFN Tampone esposto Power Good, velocità di risposta controllata, flag di stato SIP32430 Non invertito Canale P 1:1 10-DFN (3x3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.500 Non richiesto Acceso/Spesso 1 Limitazione di corrente (regolabile), sovratemperatura, UVLO Lato alto 99mOhm 6V~28V Scopo generale 3.2A
DGQ2788AEN-T1-GE4 Vishay Siliconix DGQ2788AEN-T1-GE4 1.1700
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ECAD 8668 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Montaggio superficiale 16-UFQFN DGQ2788 2 16-miniQFN (1,8x2,6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 338 MHz DPDT 2:2 500mOhm 50mOhm 1,8 V ~ 5,5 V - 50 µs, 1 µs -245pC - - -61 dB a 1 MHz
DG2501DB-T2-GE1 Vishay Siliconix DG2501DB-T2-GE1 -
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ECAD 7592 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 16-XFBGA, WLCSP DG2501 4 16-WCSP (1,44x1,44) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 550 MHz SPST-NC 1:1 200Ohm - 1,8 V ~ 5,5 V - 100 n., 60 n -2pC 2,9 pF, 2,8 pF 400pA -83 dB a 1 MHz
SIC830AED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC830AED-T1-GE3 4.0796
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ECAD 7090 0.00000000 Vishay Siliconix * Nastro e bobina (TR) Attivo SIC830 - 742-SIC830AED-T1-GE3TR EAR99 8542.39.0001 3.000
SIP21107DR-46-E3 Vishay Siliconix SIP21107DR-46-E3 -
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ECAD 3491 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SIP211 6V Fisso SC-70-5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 3.000 85 µA Abilita, Potere Buono Positivo 150mA 4,6 V - 1 0,22 V a 150 mA 72 dB ~ 38 dB (1 kHz ~ 100 kHz) Sovratemperatura, cortocircuito
DG2301DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG2301DL-T1-E3 -
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ECAD 1537 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 DG2301 1 SC-70-5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 3.000 - SPST-NO 1:1 7Ohm - 4 V ~ 5,5 V - 3,9 n, 4 n - 5pF 10μA -
SI9183DT-33-T1-E3 Vishay Siliconix SI9183DT-33-T1-E3 -
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ECAD 1699 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 SI9183 6V Fisso TSOT-23-5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 3.000 900 µA Abilitare Positivo 150mA 3,3 V - 1 0,22 V a 150 mA 60 dB ~ 30 dB (1 kHz ~ 100 kHz) Sovratemperatura, cortocircuito
SIC467ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC467ED-T1-GE3 5.3600
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ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix microBUCK® Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C (TA) Montaggio superficiale PowerPAK®MLP55-27 SIC467 60 V Regolabile PowerPAK®MLP55-27 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Diminuzione 1 Buck 100kHz~2MHz Positivo 6A 0,8 V 15 V 4,5 V
SIP32460DB-T2-GE1 Vishay Siliconix SIP32460DB-T2-GE1 0,2657
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ECAD 4374 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 4-UFBGA, CSPBGA Velocità di risposta controllata SIP32460 Non invertito CanaleN 1:1 4-WCSP (0,76x0,76) scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 Corrente inversa Lato alto 50mOhm 1,2 V ~ 5,5 V Scopo generale 1,2A
DG445DJ Vishay Siliconix DG445DJ -
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ECAD 3354 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) DG445 4 16-PDIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato DG445DJVSI EAR99 8542.39.0001 500 - SPST-NO 1:1 85Ohm - 5 V~36 V ±5 V~20 V 250ns, 210ns -1pC 4pF, 4pF 500pA -100 dB a 1 MHz
SI9241AEY-T1 Vishay Siliconix SI9241AEY-T1 -
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ECAD 4298 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) Ricetrasmettitore SI9241 4,5 V ~ 5,5 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 ISO 9141 1/1 Metà -
DG4599DL-T1-E3 Vishay Siliconix DG4599DL-T1-E3 -
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ECAD 5402 0.00000000 Vishay Siliconix - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DG4599 1 SC-70-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 3.000 - SPDT 2:1 60Ohm - 2,25 V ~ 5,5 V - 30ns, 25ns 5pC 7pF, 20pF 1nA -70 dB a 1 MHz
SI9979DS-E3 Vishay Siliconix SI9979DS-E3 -
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ECAD 4875 0.00000000 Vishay Siliconix - Vassoio Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 48-LQFP SI9979 MOSFET di potenza 14,5 V ~ 17,5 V 48-SQFP (7x7) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 500 Controller - Commutazione, Gestione Direzione Parallelo Pre-Driver - Mezzo ponte (3) - - - CC senza spazzole (BLDC) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock