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Circuiti integrati (CI)(312)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tensione - Ingresso SIC programmabile Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Interfaccia Tipo di canale Metodo di rilevamento Precisione Corrente - Uscita Configurazione guidata Numero di conducenti Tipo di cancello Tensione logica - VIL, VIH Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) Orario di salita/discesa (tip.) Tensione lato alta: massima (bootstrap)
IXDN514D1T/R IXYS IXDN514D1T/R -
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 ECAD 1580 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 6-VDFN IXDN514 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 6-DFN (4x5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 1 V, 2,5 V 14A, 14A 25ns, 22ns
IXDD504PI IXYS IXDD504PI -
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 ECAD 2055 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) IXDD504 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3 V 4A, 4A 9ns, 8ns
IXD611P7 IXYS IXD611P7 -
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 ECAD 8646 0.00000000 IXYS - Scatola Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) IXD611 Non invertito Non verificato 10 V~35 V 14-PDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 400 Indipendente Mezzo ponte 2 IGBT, MOSFET al canale N 2,4 V, 2,7 V 600 mA, 600 mA 28ns, 18ns 600 V
IXDI414YI IXYS IXDI414YI -
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 ECAD 7427 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-6, D²Pak (5 conduttori + lingua), TO-263BA IXDI414 Inversione Non verificato 4,5 V~35 V TO-263-5 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3,5 V 14A, 14A 22ns, 20ns
IXCY50M35A IXYS IXCY50M35A -
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 ECAD 5078 0.00000000 IXYS IXC Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 IXCY50 - TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Regolatore di corrente - - 50mA
IXDI404SIA IXYS IXDI404SIA -
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 ECAD 8154 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXDI404 Inversione Non verificato 4,5 V~35 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 94 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,5 V 4A, 4A 16ns, 13ns
IX2R11S3T/R IXYS IX2R11S3T/R -
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 ECAD 4802 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) IX2R11 Non invertito Non verificato 10 V~35 V 16-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 Indipendente Mezzo ponte 2 IGBT, MOSFET al canale N 6 V, 9,6 V 2A, 2A 8ns, 7ns 500 V
IXDN509PI IXYS IXDN509PI -
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 ECAD 9381 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) IXDN509 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,4 V 9A, 9A 25ns, 23ns
IX2R11M6T/R IXYS IX2R11M6T/R -
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 ECAD 7154 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 16-VDFN Tampone esposto IX2R11 Non invertito Non verificato 10 V~35 V 16-MLP (7x6) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 3.000 Indipendente Mezzo ponte 2 IGBT, MOSFET al canale N 6 V, 9,5 V 2A, 2A 8ns, 7ns 500 V
IXA611P7 IXYS IXA611P7 -
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 ECAD 7471 0.00000000 IXYS - Scatola Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 14 DIP (0,300", 7,62 mm) IXA611 Non invertito Non verificato 10 V~35 V 14-PDIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 375 Indipendente Mezzo ponte 2 IGBT, MOSFET al canale N 6V, 7V 600 mA, 600 mA 23ns, 22ns 650 V
IXDD408SI IXYS IXDD408SI -
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 ECAD 9084 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXDD408 Non invertito Non verificato 4,5 V~25 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato IXDD408SI-NDR EAR99 8542.39.0001 94 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3,5 V 8A, 8A 14ns, 15ns
IXDN514SIA IXYS IXDN514SIA -
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 ECAD 5405 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXDN514 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 94 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 1 V, 2,5 V 14A, 14A 25ns, 22ns
IXI848S1T/R IXYS IXI848S1T/R -
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 ECAD 1327 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXI848 2,7 V~40 V 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 Monitoraggio corrente Lato alto ±0,7% -
IXDP610PI IXYS IXDP610PI 6.7914
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 ECAD 3613 0.00000000 IXYS - Tubo Design non per nuovi Controller motore PWM Foro passante 18 DIP (0,300", 7,62 mm) IXDP610 4,5 V ~ 5,5 V 18-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 21 Microprocessore
IXDN404PI IXYS IXDN404PI -
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 ECAD 1249 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) IXDN404 Non invertito Non verificato 4,5 V~35 V 8-DIP scaricamento Non applicabile REACH Inalterato IXDN404PI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,5 V 4A, 4A 16ns, 13ns
IXDD514PI IXYS IXDD514PI -
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 ECAD 9692 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) IXDD514 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 1 V, 2,5 V 14A, 14A 25ns, 22ns
IXDE514SIA IXYS IXDE514SIA -
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 ECAD 3143 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXDE514 Inversione Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 94 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 1 V, 2,5 V 14A, 14A 25ns, 22ns
IXDN509D1T/R IXYS IXDN509D1T/R -
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 ECAD 6892 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 6-VDFN IXDN509 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 6-DFN (4x5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,4 V 9A, 9A 25ns, 23ns
IX6R11S3 IXYS IX6R11S3 -
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 ECAD 2209 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -40°C ~ 125°C (TA) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) IX6R11 Non invertito Non verificato 10 V~35 V 16-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 46 Indipendente Mezzo ponte 2 IGBT, MOSFET al canale N 6 V, 9,6 V 6A, 6A 25ns, 17ns 600 V
IXDD430CI IXYS IXDD430CI -
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 ECAD 7996 0.00000000 IXYS - Scatola Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-5 IXDD430 Non invertito Non verificato 8,5 V~35 V TO-220-5 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3,5 V 30A, 30A 18ns, 16ns
IXB611S1 IXYS IXB611S1 -
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 ECAD 1234 0.00000000 IXYS - Scatola Obsoleto - Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXB611 - Non verificato - 8-SOIC - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 470 - - - - - -
IXDN509D1 IXYS IXDN509D1 -
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 ECAD 7910 0.00000000 IXYS - Scatola Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 6-VDFN IXDN509 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 6-DFN (4x5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 56 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,4 V 9A, 9A 25ns, 23ns
IXDD404SI-16 IXYS IXDD404SI-16 -
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 ECAD 4864 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) IXDD404 Non invertito Non verificato 4,5 V~35 V 16-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato IXDD404SI-16-NDR EAR99 8542.39.0001 47 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,5 V 4A, 4A 16ns, 13ns
IXDE504D2T/R IXYS IXDE504D2T/R -
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 ECAD 7255 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 8-VDFN IXDE504 Inversione Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-DFN (4x5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3 V 4A, 4A 9ns, 8ns
IXDD414CI IXYS IXDD414CI -
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 ECAD 5042 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-5 IXDD414 Non invertito Non verificato 4,5 V~35 V TO-220-5 scaricamento Non applicabile REACH Inalterato IXDD414CI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3,5 V 14A, 14A 25ns, 22ns
IXDD504D2 IXYS IXDD504D2 -
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 ECAD 7330 0.00000000 IXYS - Scatola Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 8-VDFN IXDD504 Non invertito Non verificato 4,5 V ~ 30 V 8-DFN (4x5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 56 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3 V 4A, 4A 9ns, 8ns
IXG611S1T/R IXYS IXG611S1T/R -
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 ECAD 1020 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXG611 - Non verificato - 8-SOIC - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 - - - - - -
IXDN402SI IXYS IXDN402SI -
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 ECAD 4688 0.00000000 IXYS - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) IXDN402 Non invertito Non verificato 4,5 V~35 V 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 50 Indipendente Lato basso 2 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 3 V 2A, 2A 8ns, 8ns
IXCY10M90S-TRL IXYS IXCY10M90S-TRL 5.0200
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 ECAD 2 0.00000000 IXYS IXC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 IXCY10 900 V TO-252AA - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 2.500 Regolatore di corrente - - 100mA
IXDI509D1T/R IXYS IXDI509D1T/R -
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 ECAD 9676 0.00000000 IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 6-VDFN IXDI509 Inversione Non verificato 4,5 V ~ 30 V 6-DFN (4x5) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 1.000 Separare Lato basso 1 MOSFET IGBT, canale N, canale P 0,8 V, 2,4 V 9A, 9A 25ns, 23ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

Quantità: 1

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