- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Circuiti integrati (CI)(2201)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Tipo di uscita | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo logico | Numero di elementi | Numero di bit per elemento | Corrente: uscita alta, bassa | Funzione | Interfaccia | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Sorgente di alimentazione di tensione | Dimensioni della memoria | Tipo di trigger | Ritardo di propagazione massimo @ V, CL massimo | Corrente - Quiescente (Iq) | Orario di accesso | Capacità di ingresso | Circuito | Circuiti indipendenti | Tempo di ritardo - Propagazione | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 74LVCH32244AX4BF | 1.0000 |  | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74LVC273APGG | 0,1400 | | 6 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 20-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | Tipo D | 74LVC273 | Tristato, non invertito | 2,7 V ~ 3,6 V | 20-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 8 | 24 mA, 24 mA | Standard | Bordo positivo | 8,5 ns a 3,3 V, 50 pF | 10 µA | 4,5 pF | |||||||||||||||||||
| ZSSC4165BE1C | - | | 7145 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Vassoio | Attivo | ZSSC4165 | Non verificato | - | 0000.00.0000 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZSPM2005ZA3B | - | | 5795 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Vassoio | Attivo | ZSPM2005 | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.260 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZSSC3026CI4R | 1.9650 | | 1083 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ZSSC3026 | - | 0000.00.0000 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZSSC4162BE1B | - | | 3913 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Vassoio | Attivo | ZSSC4162 | Non verificato | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZSPM4141AI1W12 | - | | 1360 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ZSPM4141 | scaricamento | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 71V124SA15PHG | - | | 5038 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 15ns | ||||||||||||||||||||||||
| 42827H | - | | 8037 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Massa | Attivo | Non verificato | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 6116SA120TDB | 22.3600 | | 45 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 24 CDIP (0,300", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-CDIP | scaricamento | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 120 n | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 120ns | ||||||||||||||||||||||||
 | 71V2576YS150PF | - | | 8897 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V2576 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,8 n | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||||||||||||||||||
| 60383D | - | | 8115 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Massa | Attivo | Non verificato | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 74FCT162511CTPAG | 0,5300 | | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | 74FCT | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,240", larghezza 6,10 mm) | 74FCT162511 | - | 3-Stati | 4,5 V ~ 5,5 V | 56-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 34 | Ricetrasmettitore, non invertente | 1 | 16 | 24 mA, 24 mA | |||||||||||||||||||||||||
 | 74FCT16543ATPVG | 1.5400 | | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | 74FCT | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-BSSOP (0,295", larghezza 7,50 mm) | 74FCT16543 | - | 3-Stati | 4,5 V ~ 5,5 V | 56-SSOP | scaricamento | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Ricetrasmettitore, non invertente | 2 | 8 | 32 mA, 64 mA | ||||||||||||||||||||||||||
| 71V2576YS150PFG | 1.5000 | | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V2576 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,8 n | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||||||||||||||||||
| ASI4UE-G1-SR-7 | 9.9598 | | 8442 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Interfaccia sensore attuatore | Montaggio superficiale | 28-SSOP (0,209", larghezza 5,30 mm) | ASI4UE-G1 | 16 V ~ 33,1 V | 28-SSOP | scaricamento | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | AS-i | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ZSC31014EAC | - | | 2480 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Vassoio | Attivo | ZSC31014 | Non verificato | scaricamento | EAR99 | 8542.39.0001 | 8.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74FCT257PBATQ | - | | 7988 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Massa | Obsoleto | 74FCT257 | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZSSC3154BA1C | - | | 2770 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Vassoio | Attivo | ZSSC3154 | Non verificato | scaricamento | 0000.00.0000 | 2.700 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 6116LA15TPG | 2.8000 | | 470 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 24 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116LA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 15 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 15ns | ||||||||||||||||||||||||
 | 74ALVC16244APAG | 1.0000 | | 53 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | 74ALVC | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,240", larghezza 6,10 mm) | 74ALVC16244 | - | 3-Stati | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSSOP | scaricamento | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Buffer, non invertente | 4 | 4 | 24 mA, 24 mA | ||||||||||||||||||||||||||
 | 71V65602S133BQ | - | | 9908 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V65602 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 nn | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||||||||||||||||||||
| 71P74604S200BQG | 6.6800 | | 45 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71P74 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 8,4 n | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||||||||||||||||||||
 | 74FCT573ATSOG | 1.1400 | | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | 74FCT | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 20-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | 74FCT573 | Tri-Stato | 4,75 V ~ 5,25 V | 20-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Chiusura trasparente di tipo D | 15 mA, 48 mA | 8:8 | 1 | 2ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | 71V016SA12BFG | 5.0600 | | 421 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | 71V016 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 48-CABGA (7x7) | scaricamento | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 12ns | ||||||||||||||||||||||||
| QS32XVH2245Z4Q2 | 0,4700 | | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Massa | Attivo | QS32XVH2245 | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QS3VH800QG8 | - | | 9343 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-SSOP (0,154", larghezza 3,90 mm) | Interruttore dell'autobus | 3 V ~ 3,6 V | 24-QSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Fornitura Unica | 10 x 1:1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | 71V124SA20PHG | 1.6600 | | 231 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||||||||||||||||
 | 74LVC273APGG8 | 0,1400 | | 11 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 20-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | Tipo D | 74LVC273 | Tristato, non invertito | 2,7 V ~ 3,6 V | 20-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1 | 8 | 24 mA, 24 mA | Standard | Bordo positivo | 8,5 ns a 3,3 V, 50 pF | 10 µA | 4,5 pF | |||||||||||||||||||
| ZSSC3170EA1D | - | | 2934 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | Vassoio | Attivo | ZSSC3170 | Non verificato | scaricamento | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)