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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Interfaccia | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Interfaccia di memoria | Altezza | Densità | Numero di pin | Confezione | Tensione di alimentazione operativa | Tempi di consegna dalla fabbrica | Placcatura dei contatti | Montare | Pubblicato | Stato della parte | Temperatura operativa massima | Temperatura operativa minima | Numero parte base | Tensione di alimentazione massima | Tensione di alimentazione minima | Corrente di alimentazione nominale | Indirizzo larghezza bus | Sincronizzazione/Asincrono | Dimensione della parola | Dimensioni della pagina | Intervallo di temperatura ambiente alto |
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| 1616-MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E | - | ![]() | 2450 | 0.00000000 | -40°C~85°C TEMP | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | 2,7 V~3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Parallelo | Non volatile | 1Gb 128Mx8 | 25 ns | FLASH | Parallelo | 1 millimetro | 1GB | 63 | Vassoio | 3,3 V | 5 settimane | Rame, Argento, Stagno | Montaggio superficiale | 2013 | Attivo | 85°C | -40°C | MT29F1G08 | 3,6 V | 2,7 V | 35mA | 28b | Asincrono | 8b | 2kB | 85°C |

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