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Gestione energetica (PMIC)(396)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Caratteristiche | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Tensione - Ingresso (max) | Tipo di uscita | SIC programmabile | Rapporto - Ingresso:Uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Funzione | Corrente - Uscita/Canale | Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) | Interfaccia | Numero di uscite | Corrente - Quiescente (Iq) | Corrente - Fornitura (max) | Tipo di canale | Topologia | Frequenza - Commutazione | Protezione dai guasti | Funzionalità di controllo | Configurazione dell'uscita | Raddrizzatore sincronizzato | Corrente - Uscita | Tipo di carico | Rds attivato (tip.) | Corrente - Uscita di picco | Tensione - Carico | Configurazione guidata | Numero di conducenti | Tipo di cancello | Tensione logica - VIL, VIH | Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione lato alta: massima (bootstrap) | Tipo di interruttore | Corrente - Uscita (max) | Tensione - Uscita (Min/Fissa) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Ingresso (Min) | Numero di regolatori | Caduta di tensione (max) | PSRR | Funzionalità di protezione | Tensione/corrente - Uscita 1 | Tensione/corrente - Uscita 2 | Tensione/corrente - Uscita 3 | con driver LED | con supervisore | con sequenziatore |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIC931BED-Y1-GE3 | 18.6600 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | microBUCK® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-PotenzaBFQFN | SIC931 | 18 V | Regolabile | PowerPAK®MLP60-A6C | scaricamento | 1 (illimitato) | 742-SIC931BED-Y1-GE3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 210 | Diminuzione | 1 | Buck | 600 kHz, 1 MHz, 1,5 MHz, 2 MHz | Positivo | SÌ | 20A | 0,6 V | 5,5 V | 4,5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP4610ADT-T1-E3 | - | | 8494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | - | SIP4610 | Non invertito | Canale P | 1:1 | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | Limitazione di corrente (regolabile), sovratemperatura, UVLO | Lato alto | 145mOhm | 2,4 V ~ 5,5 V | Scopo generale | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC652ACD-T1-GE3 | 2.7400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP55-31L | Circuito Bootstrap, emulazione diodi | SIC652 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP55-31L | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 55A | Logica, PWM | Sovracorrente, Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo, Capacitivo, Resistivo | 3Ohm LS + HS | 100A | 24 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC769CD-T1-E3 | - | | 6890 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Convertitori Buck sincroni | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP66-40 | Circuito bootstrap, emulazione diodi, flag di stato | SIC769 | DrMOS | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP66-40 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 35A | PWM | Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo | 1,7 mOhm LS, 6 mOhm HS | - | 3V~16V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32433ADN-T1E4 | 1.6400 | | 7680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-VFDFN Tampone esposto | Funzione Latch, Power Good, velocità di risposta controllata | SIP32433 | Non invertito | CanaleN | 1:1 | 10-DFN (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | Limitazione di corrente (regolabile), sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito, UVLO | Lato alto | 78mOhm | 2,8 V~23 V | Scopo generale | 3,5 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC779ACD-T1-GE3 | 2.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Convertitori Buck sincroni | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP66-40 | Circuito bootstrap, emulazione diodi, flag di stato | SIC779 | DrMOS | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP66-40 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.31.0001 | 3.000 | 35A | PWM | Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo | - | - | 3V~16V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC789ACD-T1-GE3 | 3.1700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Convertitori Buck sincroni | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP66-40 | Circuito bootstrap, emulazione diodi, flag di stato | SIC789 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP66-40 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60A | PWM | Sparatori, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo | - | - | 4,5 V~18 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1865DDL-T1-GE3 | 0,4300 | | 9548 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Velocità di risposta controllata | SI1865 | - | Canale P | 1:1 | SC-70-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | Acceso/Spesso | 1 | - | Lato alto | 165mOhm | 1,8 V~12 V | Scopo generale | 1.1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC431CED-T1-GE3 | 3.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-PotenzaWFQFN | 24 V | Regolabile | PowerPAK®MLP44-24 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Diminuzione | 1 | Buck | 300kHz~1MHz | Positivo | SÌ | 24A | 0,6 V | 21,6 V | 3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DVP-285-E3 | - | | 8000 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | PowerPAK®TSC-75-6 | SIP211 | 6V | Fisso | PowerPAK®TSC75-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 2,85 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 75 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP21106DR-28-E3 | - | | 7111 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | Fisso | SC-70-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 2,8 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 75 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DT-12-E3 | - | | 4203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilita, Potere Buono | Positivo | 150mA | 1,2 V | - | 1 | - | 72 dB ~ 38 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21107DT-33-E3 | - | | 6971 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilita, Potere Buono | Positivo | 150mA | 3,3 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 72 dB ~ 38 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DT-18-E3 | - | | 1943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 1,8 V | - | 1 | - | 75 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP43101DQ-T1-E3 | - | | 5348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | - | SIP43101 | Invertente, non invertente | Bipolare | 1:1 | 16-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | Acceso/Spesso | 2 | Limitazione di corrente (fissa), sovratemperatura, UVLO | Lato alto o lato basso | - | 9V~32V | Scopo generale | 200mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DT-26-E3 | - | | 4096 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | SIP211 | 6V | Fisso | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 2,6 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 75 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP32467DB-T2-GE1 | 0,7800 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-UFBGA, WLCSP | Velocità di risposta controllata | SIP32467 | Non invertito | CanaleN | 1:1 | 4-WLCSP (0,76x0,76) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | Corrente inversa | Lato alto | 50mOhm | 1,2 V ~ 5,5 V | Scopo generale | 1,2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC652CD-T1-GE3 | 2.9100 | | 36 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP55-31L | Circuito Bootstrap, emulazione diodi | SIC652 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP55-31L | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 55A | Logica, PWM | Sovracorrente, Sovratemperatura, Shoot-Through, UVLO | Mezzo ponte | Induttivo, Capacitivo, Resistivo | 3Ohm LS + HS | 100A | 24 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC479ED-T1-GE3 | 4.1000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | microBUCK® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP55-27 | SIC479 | 55 V | Regolabile | PowerPAK®MLP55-27 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Diminuzione | 1 | Buck | 100kHz~2MHz | Positivo | SÌ | 3A | 0,8 V | 24 V | 4,5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC417CD-T1-E3 | 3.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | microBUCK® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 32-PotenzaVFQFN | SIC417 | 3 V~28 V | PowerPAK®MLP55-32 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | Step-Down (Buck) Sincrono (1), Lineare (LDO) (1) | 200kHz~1MHz | 0,5 V ~ 5,5 V, 10 A | 0,75 V ~ 5,25 V, 150 mA | - | NO | NO | NO | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9105DN02-T1-E3 | - | | 6053 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 20-LCC (cavo J) | SI9105 | 120 V | - | 20-PLCC (9x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Step-Up/Step-Down | 1 | Ritorno di ritorno | 40kHz~1MHz | Positivo o negativo, capace di isolamento | NO | - | - | - | 10 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIPQ32434ADN-T1E3 | 1.7100 | | 3315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-VFDFN Tampone esposto | Power Good, velocità di risposta controllata, flag di stato | Non invertito | CanaleN | 1:1 | 10-DFN (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2.500 | 2,8 V~23 V | - | 1 | Limitazione di corrente (fissa), sovraccarico, sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito, UVLO | Lato alto | 33mOhm | 2,8 V~23 V | Scopo generale | 6A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIC450ED-T1-GE3 | 6.9600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | microBUCK® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 34-PotenzaWFQFN | SIC450 | 20 V | Regolabile | PowerPAK®MLP34-57 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 742-SIC450ED-T1-GE3TR | EAR99 | 8532.24.0020 | 3.000 | Diminuzione | 1 | Buck | 300kHz~1,5MHz | Positivo | SÌ | 40A | 0,3 V | 12V | 4,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI9912DY-E3 | - | | 9079 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SI9912 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | Sincrono | Mezzo ponte | 2 | MOSFET al canale N | - | 1A, 1A | 30ns, 20ns | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIP4282ADVP2-T1GE3 | - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | PowerPAK®SC-75-6L | Scarico del carico, velocità di risposta controllata | SIP4282 | Non invertito | Canale P | 1:1 | PowerPAK®SC-75-6L | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | - | Lato alto | 350mOhm | 1,5 V ~ 5,5 V | Scopo generale | 1,4A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DR-46-E3 | - | | 2520 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | Fisso | SC-70-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 4,6 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 75 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC403ACD-T1-GE3 | 2.0100 | | 8285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | microBUCK® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 32-PotenzaWFQFN | SIC403 | 3 V~28 V | PowerPAK®MLP55-32 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 | Step-Down (Buck) Sincrono (1), Lineare (LDO) (1) | 200kHz~1MHz | 0,6 V ~ 5,5 V, 6 A | Regolazione su 0,75 V, 200 mA | - | NO | NO | NO | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIC620RCD-T1-GE3 | 3.8400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | VRPower® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Convertitori Buck sincroni | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP55-31L | Circuito bootstrap, emulazione diodi, flag di stato | SIC620 | MOSFET di potenza | 4,5 V ~ 5,5 V | PowerPAK®MLP55-31L | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60A | PWM | UVLO | Mezzo ponte | Induttivo | - | - | 4,5 V~18 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9185DMP-30-T1-E3 | - | | 7890 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | PowerPAK®MLP33-8 | SI9185 | 6V | Fisso | PowerPAK®MLP33-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1,5mA | 4 mA | Abilita, Ripristina all'accensione | Positivo | 500mA | 3V | - | 1 | 0,48 V a 500 mA | 60 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIP21106DR-33-E3 | - | | 6180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SIP211 | 6V | Fisso | SC-70-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 85 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 3,3 V | - | 1 | 0,22 V a 150 mA | 75 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 100 kHz) | Sovratemperatura, cortocircuito |
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