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Gestione energetica (PMIC)(311)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tensione - Ingresso | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Funzione | Tipo di canale | Metodo di rilevamento | Precisione | Corrente - Uscita | Configurazione guidata | Numero di conducenti | Tipo di cancello | Tensione logica - VIL, VIH | Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione lato alta: massima (bootstrap) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXCP02M45A | - |  | 4950 | 0.00000000 | IXYS | IXC | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Foro passante | TO-220-3 | IXCP02 | - | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regolatore di corrente | - | - | 2mA | ||||||||||||||
 | IXS839BQ2T/R | - | | 3258 | 0.00000000 | IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-VFDFN Tampone esposto | IXS839 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V ~ 5,5 V | 10-QFN (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Sincrono | Mezzo ponte | 2 | MOSFET al canale N | 0,8 V, 2 V | 2A, 4A | 20ns, 15ns | 24 V | ||||||||
 | IXDN514PI | - | | 5643 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IXDN514 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 1 V, 2,5 V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||
 | IXDN409SI | - | | 4335 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDN409 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V~35 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 9A, 9A | 10ns, 10ns | |||||||||
| IXDE504SIA | - | | 3991 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDE504 | Inversione | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 4A, 4A | 9ns, 8ns | |||||||||
 | IXCY60M45 | - | | 8579 | 0.00000000 | IXYS | IXC | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | IXCY60 | - | TO-252AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regolatore di corrente | - | - | 60mA | ||||||||||||||
 | IXDI430MYI | - | | 7496 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-6, D²Pak (5 conduttori + lingua), TO-263BA | IXDI430 | Inversione | Non verificato | 8,5 V~35 V | TO-263-5 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 30A, 30A | 18ns, 16ns | |||||||||
| IXDN502SIA | - | | 6286 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDN502 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 2A, 2A | 7,5 n., 6,5 n | |||||||||
| IXDN414PI | - | | 4230 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IXDN414 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V~35 V | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 14A, 14A | 22ns, 20ns | |||||||||
| IXBF14N250 | - | | 1270 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Attivo | - | Foro passante | i4-Pac™-5 (3 derivazioni) | IXBF14 | - | Non verificato | - | ISOPLUS i4-PAC™ | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | - | - | - | - | - | - | |||||||||
| IXDN504PI | - | | 3750 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IXDN504 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 4A, 4A | 9ns, 8ns | |||||||||
| IXA531S10T/R | - | | 4030 | 0.00000000 | IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 48-TFQFN Tampone esposto | IXA531 | Inversione | Non verificato | 8 V~35 V | 48-MLP (7x7) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | Trifase | Mezzo ponte | 6 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 600 mA, 600 mA | 125ns, 50ns | 650 V | ||||||||
| IXCP20M45 | - | | 7989 | 0.00000000 | IXYS | IXC | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Foro passante | TO-220-3 | IXCP20 | - | TO-220-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regolatore di corrente | - | - | 20 mA | ||||||||||||||
| IXDN414YI | - | | 4444 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-6, D²Pak (5 conduttori + lingua), TO-263BA | IXDN414 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V~35 V | TO-263-5 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 14A, 14A | 22ns, 20ns | |||||||||
| IXDF504PI | - | | 8872 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IXDF504 | Invertente, non invertente | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 4A, 4A | 9ns, 8ns | |||||||||
| IXDF404SI | - | | 1857 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDF404 | Invertente, non invertente | Non verificato | 4,5 V~35 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | IXDF404SI-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 2,5 V | 4A, 4A | 16ns, 13ns | ||||||||
| IX2A11P1 | - | | 7203 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | - | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IX2A11 | - | Non verificato | - | 8-DIP | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
| IX6R11M6 | - | | 1075 | 0.00000000 | IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-VDFN Tampone esposto | IX6R11 | Non invertito | Non verificato | 10 V~35 V | 16-MLP (7x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Indipendente | Mezzo ponte | 2 | IGBT, MOSFET al canale N | 6 V, 9,5 V | - | 25ns, 17ns | 600 V | ||||||||
| IXDF502D1 | - | | 2936 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 6-VDFN | IXDF502 | Invertente, non invertente | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 6-DFN (4x5) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 2A, 2A | 7,5 n., 6,5 n | |||||||||
| IXDI430CI | - | | 7296 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-5 | IXDI430 | Inversione | Non verificato | 8,5 V~35 V | TO-220-5 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 30A, 30A | 18ns, 16ns | |||||||||
| IXDE514SIAT/R | - | | 3584 | 0.00000000 | IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDE514 | Inversione | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 1 V, 2,5 V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||
| IXDD409SI | - | | 7964 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDD409 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V~35 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 9A, 9A | 10ns, 10ns | |||||||||
| IX6S11S6 | - | | 5839 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | Platorello esposto 18-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm). | IX6S11 | - | Non verificato | - | 18-SOIC-EP | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 168 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
| IXDN514D1 | - | | 1980 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 6-VDFN | IXDN514 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V ~ 30 V | 6-DFN (4x5) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 1 V, 2,5 V | 14A, 14A | 25ns, 22ns | |||||||||
| IXDD430MCI | - | | 4520 | 0.00000000 | IXYS | - | Scatola | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-5 | IXDD430 | Non invertito | Non verificato | 8,5 V~35 V | TO-220-5 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Separare | Lato basso | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3,5 V | 30A, 30A | 18ns, 16ns | |||||||||
| IXDN402SIA | - | | 9854 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDN402 | Non invertito | Non verificato | 4,5 V~35 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 2A, 2A | 8ns, 8ns | |||||||||
| IXF611S1T/R | - | | 1194 | 0.00000000 | IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXF611 | - | Non verificato | - | 8-SOIC | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
| IXDF402SIA | - | | 4142 | 0.00000000 | IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IXDF402 | Invertente, non invertente | Non verificato | 4,5 V~35 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | Indipendente | Lato basso | 2 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 0,8 V, 3 V | 2A, 2A | 8ns, 8ns | |||||||||
| IXCY40M35 | - | | 5325 | 0.00000000 | IXYS | IXC | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | IXCY40 | - | TO-252AA | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | Regolatore di corrente | - | - | 40mA | ||||||||||||||
 | IXBD4411PI | - | | 4595 | 0.00000000 | IXYS | ISOSMART™ | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | IXBD4411 | Non invertito | Non verificato | 10 V~20 V | 16-DIP | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | IXBD4411PI-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Separare | Lato alto | 1 | MOSFET IGBT, canale N, canale P | 1 V, 3,65 V | 2A, 2A | 15ns, 15ns | 1200 V |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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