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Gestione energetica (PMIC)(247)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Caratteristiche | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Frequenza | Tecnologia | Corrente - Fornitura | Chimica della batteria | Numero di celle | Tipo di uscita | Rapporto - Ingresso:Uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Funzione | Corrente - Uscita/Canale | Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) | Interfaccia | Potenza (Watt) | Numero di uscite | Isolamento dell'uscita | Cambia interni | Tensione - Guasto | Topologia | Voltaggio - Avvio | Ciclo di lavoro | Frequenza - Commutazione | Protezione dai guasti | Funzionalità di controllo | Tensione - Alimentazione (max) | Configurazione dell'uscita | Corrente - Uscita | Rds attivato (tip.) | Tensione - Carico | Tipo di motore: passo-passo | Tipo di motore: CA, CC | Risoluzione del passaggio | Oscuramento | Tensione - Alimentazione (Min) | Tensione-Uscita | Tipo di interruttore | Corrente - Uscita (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SLG59H1010V | 0,6734 |  | 6571 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-PotenzaUFQFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 18-STQFN (1,6x3) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 10,8 V~26,4 V | 1 | Lato alto | 13,3 mOhm | - | Scopo generale | 5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG7NT4084V | 0,6500 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | - | Montaggio superficiale | 8-WFDFN Tampone esposto | Lineare | SLG7NT4084 | - | 8-TDFN (2x2) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | 3 | NO | 3,6 V | - | 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG7NT402V | 0,8100 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-PowerWFDFN | SLG7NT | CMOS | CanaleN | 1:1 | 8-FC-TDFN (1,5x2) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2,5 V ~ 5,5 V | 1 | Lato alto | 7,8 mOhm | - | Scopo generale | 4A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IW1709-11 | 0,2579 | | 5798 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IW1709 | 8-SOIC | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 25 V | Isolato | NO | - | Ritorno di ritorno | - | 72kHz | Limitazione di corrente, sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito | Inizio morbido | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG59M1563V | 0,5900 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UFDFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 8-STDFN (1x1,6) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1,5 V ~ 5,5 V | 1 | Lato alto | 22,5 mOhm | - | Scopo generale | 2,5 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG59H1007V | - | | 2955 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-PotenzaUFQFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 18-STQFN (1,6x3) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 4,5 V~22 V | 1 | Lato alto | 13,3 mOhm | - | Scopo generale | 5A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG5NT1477V | 0,6700 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 9-PowerWFDFN | SLG5NT | CMOS | CanaleN | 1:1 | 9-FC-TDFN (1,5x2) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 3 V ~ 5,25 V | 1 | Lato alto | 7,4 mOhm | - | Scopo generale | 6A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG59M1603V | 0,8000 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 14-PowerUFDFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 14-STDFN (1x3) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2,5 V ~ 5,5 V | 2 | Lato alto | 16mOhm | - | Scopo generale | 4,5 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DA9313-02VK2 | 1.6359 | | 9243 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 43-UFBGA, WLCSP | DA9313 | Ioni di litio/polimero | 2 | 43-WLCSP (3,55x2,82) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1695-DA9313-02VK2TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 7.500 | Gestione dell'energia | I²C | Sovracorrente, sovratemperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG5NT1586V | 0,7500 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UFDFN | SLG5NT | CMOS | CanaleN | 1:1 | 8-STDFN (1x1,6) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1,5 V ~ 5,5 V | 1 | Lato alto | 22,5 mOhm | - | Scopo generale | 2,5 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG59M1598V | 0,5700 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UFDFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 8-STDFN (1x1,6) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2,5 V ~ 5,5 V | 1 | Lato alto | 17mOhm | - | Scopo generale | 2,5 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IW1602-00B | 0,2430 | | 3188 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | IW1602 | SOT-23-6 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 25 V | 10 W | Isolato | NO | - | Ritorno di ritorno | - | 89kHz | Limitazione di corrente, sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IW3626-02 | 0,2430 | | 9906 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Illuminazione a LED | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | Commutatore offline CA CC | IW3626 | 72kHz | SOT-23-6 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 50mA | 1 | NO | Ritorno di ritorno | - | NO | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DA9061-16AM1 | 4.9300 | | 8197 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TJ) | Processore | Montaggio superficiale | 40-VFQFN Tampone esposto | 11mA | 2,8 V ~ 5,5 V | 40-QFN (6x6) | - | 3 (168 ore) | 6.860 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG59H1020V | 0,8181 | | 6492 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-PotenzaUFQFN | Velocità di risposta controllata | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 18-STQFN (1,6x3) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | Limitazione di corrente (regolabile), sovratemperatura, UVLO | Lato alto | 50mOhm | 4,5 V~20 V | Scopo generale | 3A | |||||||||||||||||||||||||||||
| DA9313-02VK6 | - | | 8604 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 43-UFBGA, WLCSP | DA9313 | Ioni di litio/polimero | 2 | 43-WLCSP (3,55x2,82) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 7.500 | Gestione dell'energia | I²C | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IW1760B-00 | 0,3011 | | 8497 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IW1760 | 8-SOIC | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | 20 W | Isolato | NO | - | Ritorno di ritorno | - | 79kHz | Limitazione di corrente, sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito | Inizio morbido | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG59M1730C | 0,2155 | | 8205 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, WLCSP | SLG59 | CMOS | Canale P | 1:1 | 4-WLCSP (0,8x0,8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2,5 V ~ 5,5 V | 1 | Lato alto | 33mOhm | - | Scopo generale | 1A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG5NT1719V | 0,3060 | | 7583 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | SLG5NT | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IW1602-10B | 0,2430 | | 8341 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | IW1602 | SOT-23-6 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 25 V | 10 W | Isolato | NO | - | Ritorno di ritorno | - | 89kHz | Limitazione di corrente, sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DA7281-00FV2 | 0,8310 | | 5296 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Automotive, Gaming, Industriale, Mobile, Indossabile | Montaggio superficiale | 12-VQFN | DA7281 | - | 2,8 V ~ 5,5 V | 12-QFN (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 6 (Tempo sull'etichetta) | EAR99 | 8542.39.0001 | 6.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | I²C | Mezzo ponte (2) | 500mA | - | - | ERM, LRA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG59H1016V | 0,7574 | | 1461 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-PotenzaUFQFN | - | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 18-STQFN (1,6x3) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 4,5 V~22 V | - | 1 | Limitazione di corrente, sovratensione, cortocircuito | Lato alto | 13,1 mOhm | - | Scopo generale | 4A | |||||||||||||||||||||||||||||
| IW1699-03 | 0,2471 | | 8182 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | IW1699 | 8-SOIC | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 18 V | 12 W | Isolato | NO | - | Ritorno di ritorno | - | 89kHz | Limitazione di corrente, sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLG59M308V | 0,8800 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-PowerWFDFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 8-FC-TDFN (1,5x2) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2,5 V ~ 5,5 V | 1 | Lato alto | 7,8 mOhm | - | Scopo generale | 3A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IW3637-05 | 0,3325 | | 4113 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Illuminazione a LED | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | Commutatore offline CA CC | IW3637 | 72kHz, 90kHz | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | - | 1 | NO | Step-down (Buck) | 30 V | Analogico, PWM | 7,5 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DA7280-00FV2 | 0,8310 | | 6684 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Automotive, Gaming, Industriale, Mobile, Indossabile | Montaggio superficiale | 12-VQFN | DA7280 | - | 2,8 V ~ 5,5 V | 12-QFN (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 6.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | I²C | Mezzo ponte (2) | 500mA | - | - | ERM, LRA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IW1707-00 | 0,2741 | | 4881 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | IW1707 | SOT-23-6 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 16V | Isolato | NO | - | Ritorno di ritorno | 11 V | - | 72kHz | Limitazione di corrente, sovratensione, cortocircuito | IT, Avvio graduale | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SLG5NT1464V | 0,5800 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 4-UFDFN | - | SLG5NT | CMOS | CanaleN | 1:1 | 4-STDFN (1x1) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 8.000 | 2,5 V ~ 5,5 V | Acceso/Spesso | 1 | - | Lato alto | 40mOhm | - | Scopo generale | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||
| SLG59M1556V | 0,6000 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 4-UFDFN | SLG59 | CMOS | CanaleN | 1:1 | 4-STDFN (1x1) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 8.000 | 0,85 V ~ 1,9 V | 1 | Lato alto | 15,5 mOhm | - | Scopo generale | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IW1816-20-SO7 | 0,4057 | | 9196 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm), 7 conduttori | IW1816 | 7-SOIC | - | Conforme alla direttiva RoHS | 2 (1 anno) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 4 V~16 V | 5 W | Isolato | SÌ | 800 V | Ritorno di ritorno | 11 V | - | 64kHz | Sovratemperatura, sovratensione, cortocircuito | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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