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Gestione energetica (PMIC)(1138)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Caratteristiche | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Corrente - Fornitura | Tensione - Ingresso | Tensione - Ingresso (max) | Tipo di uscita | Coefficiente di temperatura | Rapporto - Ingresso:Uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Funzione | Tipo di riferimento | Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) | Interfaccia | Numero di uscite | Corrente - Quiescente (Iq) | Corrente - Fornitura (max) | Topologia | Frequenza - Commutazione | Protezione dai guasti | Funzionalità di controllo | Configurazione dell'uscita | Raddrizzatore sincronizzato | Corrente - Uscita | Rds attivato (tip.) | Tensione - Carico | Tipo di motore: passo-passo | Tipo di motore: CA, CC | Risoluzione del passaggio | Tipo di interruttore | Corrente - Uscita (max) | Tensione - Uscita (Min/Fissa) | Rumore: da 0,1 Hz a 10 Hz | Rumore: da 10 Hz a 10 kHz | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Ingresso (Min) | Numero di regolatori | Caduta di tensione (max) | PSRR | Funzionalità di protezione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TA58L06S,HY-ATQ(M | - |  | 8673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | TA58L06 | 29V | Fisso | TO-220NIS | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 50 mA | - | Positivo | 250 mA | 6V | - | 1 | 0,4 V a 200 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM30,LF(SE | 0,4800 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 4-UDFN | 5,5 V | Fisso | 4-DFN (1x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | Abilitare | Positivo | 300mA | 3V | - | 1 | 0,25 V a 300 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62384APG | 1.9000 | | 777 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 18 DIP (0,300", 7,62 mm) | - | TBD62384 | Inversione | CanaleN | 1:1 | 18-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | 4,5 V ~ 5,5 V | Acceso/Spesso | 8 | - | Lato basso | 1,5 Ohm | 0 V~50 V | Scopo generale | 400mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KIA78L06BP | - | | 4285 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Attivo | KIA78 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L12S,WNLQ(J | - | | 8198 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | TA58L12 | 29V | Fisso | TO-220NIS | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,2 mA | 50 mA | - | Positivo | 250 mA | 12V | - | 1 | 0,4 V a 200 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM28,LF | 0,0926 | | 9748 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3DM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 4-UDFN | TCR3DM28 | 5,5 V | Fisso | 4-DFN (1x1) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 65 µA | 78 µA | Abilitare | Positivo | 300mA | 2,8 V | - | 1 | 0,25 V a 300 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DM10,LF(SE | 0,4800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 4-UDFN | 5,5 V | Fisso | 4-DFN (1x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | Abilitare | Positivo | 300mA | 1 V | - | 1 | 0,75 V a 300 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S112PG,HJ | 2.4300 | | 211 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Scopo generale | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | TB67S112 | MOSFET di potenza | 2 V ~ 5,5 V | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo | Mezzo ponte | 1,5 A | 4,5 V~47 V | Unipolare | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6569FTG,8,EL | 1.0846 | | 7459 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 32-VFQFN Tampone esposto | TB6569 | Bi-CMOS | 10 V~45 V | 32-VQFN (5x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo, PWM | Mezzo ponte (2) | 4A | 10 V~45 V | - | DC spazzolato | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78DS05CP,T6HYF(M | - | | 4194 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA78DS | 33V | Fisso | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 1 mA | - | Positivo | 30mA | 5 V | - | 1 | 0,3 V a 10 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura, sovratensione, tensione transitoria | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EN18,LF | 0,0896 | | 5961 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2EN | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XFDFN Tampone esposto | TCR2EN18 | 5,5 V | Fisso | 4-SDFN (0,8x0,8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 1,8 V | - | 1 | 0,29 V a 150 mA | 73dB (1kHz) | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK104G,LF | 0,2235 | | 5081 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 6-UFBGA, WLCSP | Scarico del carico, velocità di risposta controllata | TCK104 | Non invertito | Canale P | 1:1 | 6-WCSPB (0,80x1,2) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 1 | Limitazione di corrente (fissa), sovratemperatura | Lato alto | 50mOhm | 1,1 V ~ 5,5 V | Scopo generale | 800 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67H450FNG,EL | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Scopo generale | Montaggio superficiale | Platorello esposto 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm). | TB67H450 | - | - | 8-HSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.500 | Autista | - | Mezzo ponte | 3,5 A | 4,5 V~44 V | - | DC spazzolato | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN29,LF | 0,0896 | | 1548 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2EN | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XFDFN Tampone esposto | TCR2EN29 | 5,5 V | Fisso | 4-SDFN (0,8x0,8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 2,9 V | - | 1 | 0,21 V a 150 mA | 73dB (1kHz) | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DF18,LM(CT | 0,4200 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3DF | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF18 | 5,5 V | Fisso | SMV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Abilitare | Positivo | 300mA | 1,8 V | - | 1 | 0,4 V a 300 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431AS(T6CNO,FM | - | | 6014 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | - | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3UG25A,LF | 0,4700 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3UG | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, WLCSP | TCR3UG25 | 5,5 V | Fisso | 4-WCSP-F (0,65x0,65) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 680 nA | Abilitare | Positivo | 300mA | 2,5 V | - | 1 | 0,327 V a 300 mA | 70dB (1kHz) | Corrente di spunto, sovracorrente, spegnimento termico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM10A,LF(SE | 0,4600 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3RM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XDFN Tampone esposto | TCR3RM10 | 5,5 V | Fisso | 4-DFNC (1x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 12 µA | Limite corrente, Abilita | Positivo | 300mA | 1 V | - | 1 | - | - | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6585FG,8,EL | 1.7304 | | 5910 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | TB6585 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | TB6585FG8EL | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EN34,LF | - | | 5294 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2EN | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XFDFN Tampone esposto | TCR2EN34 | 5,5 V | Fisso | 4-SDFN (0,8x0,8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 3,4 V | - | 1 | 0,18 V a 150 mA | 73dB (1kHz) | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR4DG30,LF | 0,1357 | | 9599 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR4DG | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG30 | 5,5 V | Fisso | 4-WCSPE (0,65x0,65) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Abilitare | Positivo | 420mA | 3V | - | 1 | 0,291 V a 420 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura, cortocircuito | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB7107FN(TE85L,F) | - | | 8664 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | TB7107 | 20 V | Regolabile | PS-8 (2,9×2,4) | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Diminuzione | 1 | Buck | 380kHz | Positivo | SÌ | 2A | 0,8 V | 18 V | 4,5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN28,LF(SE | 0,3800 | | 19 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2LN | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFDFN Tampone esposto | 5,5 V | Fisso | 4-SDFN (0,8x0,8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 2,8 V | - | 1 | 0,36 V a 150 mA | - | Sovracorrente | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S50UTE85LF | 0,5400 | | 26 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto | TAR5S50 | 15 V | Fisso | UFV | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 5 V | - | 1 | 0,2 V a 50 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS05CP,ASHIF(M | - | | 6359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA78DS | 33V | Fisso | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 1 mA | - | Positivo | 30mA | 5 V | - | 1 | 0,3 V a 10 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura, sovratensione, tensione transitoria | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S(FJTN,QM) | - | | 3610 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 105°C | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | TA58L05 | 29V | Fisso | TO-220NIS | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 mA | 50 mA | - | Positivo | 250 mA | 5 V | - | 1 | 0,4 V a 200 mA | - | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62214AFNG,C8,EL | 2.8600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | Platorello esposto 48-TFSOP (0,240", larghezza 6,10 mm). | TB62214 | DMOS | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-HTSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo | Mezzo ponte (4) | 2A | 10 V~38 V | Bipolare | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5BM105A,L3F | 0,4900 | | 5309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR5BM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XDFN Tampone esposto | TCR5BM105 | 5,5 V | Fisso | 5-DFNB (1,2x1,2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Limite corrente, Abilita | Positivo | 500mA | 1,05 V | - | 1 | 0,14 V a 500 mA | 98dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S102AFNG,EL | 1.8746 | | 1039 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | Platorello esposto 48-TFSOP (0,240", larghezza 6,10 mm). | TB67S102 | MOSFET di potenza | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-HTSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo | Mezzo ponte (4) | 3A | 10 V~47 V | Bipolare | - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62208FNG,C8,EL | 1.4997 | | 7801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | Platorello esposto 48-TFSOP (0,240", larghezza 6,10 mm). | TB62208 | DMOS | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-HTSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo | Mezzo ponte (4) | 1,8 A | 10 V~38 V | Bipolare | - | 1, 1/2 |
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