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Gestione energetica (PMIC)(1138)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Rapporto - Ingresso:Uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Corrente - Uscita/Canale Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Interfaccia Numero di uscite Corrente - Quiescente (Iq) Corrente - Fornitura (max) Cambia interni Topologia Frequenza - Commutazione Protezione dai guasti Funzionalità di controllo Tensione - Alimentazione (max) Configurazione dell'uscita Corrente - Uscita Rds attivato (tip.) Tensione - Carico Tipo di motore: passo-passo Tipo di motore: CA, CC Risoluzione del passaggio Oscuramento Tensione - Alimentazione (Min) Tensione-Uscita Modalità Corrente - Avvio Tipo di interruttore Corrente - Uscita (max) Tensione - Uscita (Min/Fissa) Tensione - Uscita (max) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
TB62781FNG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG,8,EL -
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 ECAD 8436 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montaggio superficiale 20-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) Lineare TB62781 - 20-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 40mA 9 SÌ - 5,5 V - 3V 28 V
TB9053FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9053FTG(EL) 5.0200
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 ECAD 4509 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Automobilistico Montaggio superficiale 40-LFQFN Tampone esposto TB9053 DMOS 4,5 V~28 V 40-QFN (6x6) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 3.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM, SPI Mezzo ponte (4) 6A 4,5 V~28 V Bipolare DC spazzolato -
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP,F(J -
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 ECAD 8489 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -30°C~85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA78L075 35 V Fisso LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 6,5mA - Positivo 150mA 7,5 V - 1 1,7 V a 40 mA (tip.) 45 dB (120 Hz) Sovracorrente
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U(TE85L,F) 0,6000
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 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto TAR5S16 15 V Fisso UFV scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Abilitare Positivo 200mA 1,6 V - 1 - 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR2EF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF105,LM(CT 0,0618
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 ECAD 3343 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 1,05 V - 1 0,77 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TCR5RG14A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG14A,LF 0,5300
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR5RG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP TCR5RG14 5,5 V Fisso 4-WCSPF (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 13 µA - Positivo 500mA 1,4 V - 1 - 100 dB ~ 59 dB (1 kHz ~ 1 MHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TA78L005AP(TE6,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP(TE6,F,M -
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 ECAD 9780 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -30°C~85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA78L005 35 V Fisso LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positivo 150mA 5 V - 1 1,7 V a 40 mA (tip.) 49 dB (120 Hz) -
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A,LF(SE 0,4600
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3RM Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto TCR3RM12 5,5 V Fisso 4-DFNC (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 12 µA Limite corrente, Abilita Positivo 300mA 1,2 V - 1 - - Sovracorrente, sovratemperatura
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG,EL -
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 ECAD 3311 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro tagliato (CT) Obsoleto -25°C~85°C Montaggio superficiale 16-SOP (0,181", larghezza 4,60 mm) TB6818 8,4 V~26 V 16-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 20kHz~150kHz Conduzione continua (CCM) 30 µA
TBD62789APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62789APG 1.7400
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Foro passante 20 DIP (0,300", 7,62 mm) - TBD62789 - Canale P 1:1 20 DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile EAR99 8542.39.0001 20 2 V ~ 5,5 V Acceso/Spesso 8 - Lato alto 1,4 Ohm 4,5 V~50 V Scopo generale 400mA
TCR5RG17A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG17A,LF 0,5300
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR5RG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP TCR5RG17 5,5 V Fisso 4-WCSPF (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 13 µA - Positivo 500mA 1,7 V - 1 - 100 dB ~ 59 dB (1 kHz ~ 1 MHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR2DG20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG20,LF 0,1394
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 ECAD 3769 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2DG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-UFBGA, WLCSP 5,5 V Fisso 4-WCSP (0,79x0,79) scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Abilitare Positivo 200mA 2V - 1 0,16 V a 100 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
TCR3RM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A,LF -
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 ECAD 2170 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3RM Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto TCR3RM10 5,5 V Fisso 4-DFNC (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 - Positivo 300mA 1 V - 1 0,13 V a 300 mA 100dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto TCR2EN105 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 1,05 V - 1 0,75 V a 150 mA - Sovracorrente
TCR2DG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG33,LF 0,5000
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2DG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG33 5,5 V Fisso 4-WCSP (0,79x0,79) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA - Positivo 200mA 3,3 V - 1 0,11 V a 100 mA - Corrente di spunto, sovracorrente, spegnimento termico
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG,EL 1.3100
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 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 18-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) - TBD62183 Inversione CanaleN 1:1 18-SOP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile EAR99 8542.39.0001 1.000 2,8 V~25 V - 8 - Lato basso - 50 V (massimo) Scopo generale 50mA
TCR2EF31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF31,LM -
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 ECAD 9546 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR2EF31 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 3,1 V - 1 0,2 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TCR2EE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE12,LM(CT 0,3300
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 ECAD 6687 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-553 TCR2EE12 5,5 V Fisso ESV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 1,2 V - 1 0,57 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50TE85LF 0,4400
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TAR5S50 15 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA ACCESSO/SPENTO Positivo 200mA 5 V - 1 0,2 V a 50 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9052FNG(EL) 3.6153
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 ECAD 4372 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Automobilistico Montaggio superficiale Platorello esposto 48-TFSOP (0,240", larghezza 6,10 mm). TB9052 Bi-CMOS 6 V~18 V 48-HTSSOP scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 1.000 Controllore - Velocità PWM Pre-Driver - Mezzo ponte (2) 100mA - - DC spazzolato -
TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 1 V - 1 1,38 V a 150 mA - Sovracorrente
TB62777FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG,EL -
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 ECAD 4937 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montaggio superficiale 16-SOP (0,181", larghezza 4,60 mm) Lineare TB62777 - 16-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 40mA 8 SÌ Registro a scorrimento 5,5 V - 3V 25 V
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTGEL 8.3300
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Automobilistico Montaggio superficiale 28-PotenzaQFN TB9051 Bi-CMOS 4,5 V ~ 5,5 V 28-QFN (6x6) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 3.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM Mezzo ponte (2) 6A - - DC spazzolato -
TCR2LE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE285,LM(CT 0,3900
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 ECAD 923 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-553 TCR2LE285 5,5 V Fisso ESV scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 2,85 V - 1 0,38 V a 150 mA - Sovracorrente
TBD62387AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62387AFNG,EL 1.5200
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 ECAD 7086 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 20-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) - TBD62387 Inversione CanaleN 1:1 20-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TBD62387AFNGELCT EAR99 8542.39.0001 2.000 4,5 V ~ 5,5 V Acceso/Spesso 8 - Lato basso 1,5 Ohm 0 V~50 V Scopo generale 500mA
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM08A,LF(SE 0,4700
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN 5,5 V Fisso 4-DFN (1x1) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 580 nA Limite corrente, Abilita Positivo 300mA 0,8 V - 1 1.257 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG,EL -
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 ECAD 1759 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montaggio superficiale 24-SOP (0,236", larghezza 6,00 mm) Lineare TC62D776 - 24-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 90 mA 16 SÌ Registro a scorrimento 5,5 V - 3V 17V
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG,EL 2.1700
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -20°C ~ 150°C (TJ) Apparecchio Montaggio superficiale 36-WFQFN Tampone esposto TB62262 MOSFET di potenza 4,75 V ~ 5,25 V 36-WQFN (6x6) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM Mezzo ponte (4) 800 mA 10 V~35 V Bipolare DC spazzolato 1, 1/2, 1/4
TCR3DF39,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF39,LM(CT 0,0906
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 ECAD 3123 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3DF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR3DF39 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Abilitare Positivo 300mA 3,9 V - 1 0,22 V a 300 mA 70dB (1kHz) Corrente di spunto, sovracorrente, sovratemperatura
TA58L08F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08F(TE16L1,NQ -
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 ECAD 1016 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 TA58L08 29V Fisso PW-STAMPO scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 1 mA 50 mA Abilitare Positivo 250 mA 8 V - 1 0,4 V a 200 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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