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Gestione energetica (PMIC)(1138)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Rapporto - Ingresso:Uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Corrente - Uscita/Canale Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Interfaccia Numero di uscite Corrente - Quiescente (Iq) Corrente - Fornitura (max) Cambia interni Topologia Frequenza - Commutazione Protezione dai guasti Funzionalità di controllo Tensione - Alimentazione (max) Configurazione dell'uscita Raddrizzatore sincronizzato Corrente - Uscita Rds attivato (tip.) Tensione - Carico Tipo di motore: passo-passo Tipo di motore: CA, CC Risoluzione del passaggio Oscuramento Tensione - Alimentazione (Min) Tensione-Uscita Tipo di interruttore Corrente - Uscita (max) Tensione - Uscita (Min/Fissa) Tensione - Uscita (max) Tensione - Ingresso (Min) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
TA78DS05CP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP,F(J -
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 ECAD 3579 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA78DS 33V Fisso LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 1 mA - Positivo 30mA 5 V - 1 0,3 V a 10 mA - Sovracorrente, sovratemperatura, sovratensione, tensione transitoria
TCR2LF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF36,LM(CT 0,3900
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 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR2LF36 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 3,6 V - 1 0,3 V a 150 mA - Sovracorrente
TC78B009FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B009FTG,EL 2.9800
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 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 36-WFQFN Tampone esposto TC78B009 NMOS 5,5 V~27 V 36-WQFN (5x5) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 5.000 Controller - Commutazione, Gestione Direzione I²C, PWM Pre-driver: lato alto/lato basso 240mA - Multifase CC senza spazzole (BLDC) -
TCR8BM085A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM085A,L3F 0,4600
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR8BM Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 5-DFNB (1,2x1,2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Limite corrente, Abilita Positivo 800 mA 0,85 V - 1 0,215 V a 800 mA - Blocco per sovracorrente, sovratemperatura e sottotensione (UVLO)
TA58M08S(LS2FJT,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S(LS2FJT,AQ -
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 ECAD 6568 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 105°C Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo TA58M08 29V Fisso TO-220NIS scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positivo 500mA 8 V - 1 0,65 V a 500 mA - Sovracorrente, sovratemperatura, polarità inversa
TCR2LN15,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15,LF -
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 ECAD 7538 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LN Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto TCR2LN15 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 1,5 V - 1 1,11 V a 150 mA - Sovracorrente
TC78B006FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FTG,EL 1.3600
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 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 16-WFQFN Tampone esposto TC78B006 MOSFET di potenza 3,5 V~16 V 16-WQFN (3x3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controller - Commutazione, Gestione Direzione PWM Pre-Driver - Mezzo ponte (2) - - - CC senza spazzole (BLDC) -
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12,LM(CT 0,3900
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR2LF12 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 1,2 V - 1 1,25 V a 150 mA - Sovracorrente
TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 1 V - 1 1,38 V a 150 mA - Sovracorrente
TB62777FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG,EL -
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 ECAD 4937 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montaggio superficiale 16-SOP (0,181", larghezza 4,60 mm) Lineare TB62777 - 16-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 40mA 8 SÌ Registro a scorrimento 5,5 V - 3V 25 V
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTGEL 8.3300
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Automobilistico Montaggio superficiale 28-PotenzaQFN TB9051 Bi-CMOS 4,5 V ~ 5,5 V 28-QFN (6x6) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 3.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM Mezzo ponte (2) 6A - - DC spazzolato -
TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG(O,EL) 1.5300
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Scopo generale Montaggio superficiale 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) TC78H651 DMOS - 16-TSSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza - Mezzo ponte (4) 1,5 A 1,8 V ~ 6 V - DC spazzolato -
TPD1044F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPD1044F(TE85L,F) -
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 ECAD 3217 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto - TPD1044 Non invertito CanaleN 1:1 PS-8 (2,9×2,4) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 Limitazione di corrente (fissa), sovratemperatura, sovratensione Lato basso 440mOhm 3 V ~ 6 V Scopo generale 1A
TB67S285FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S285FTG,EL 4.5900
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 48-VFQFN Tampone esposto TB67S285 MOSFET di potenza 4,75 V ~ 5,25 V 48-VQFN (7x7) scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo, seriale Mezzo ponte (8) 3A 10 V~47 V Bipolare - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TA78DS05AF(TE12L,F Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05AF(TE12L,F -
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 ECAD 2237 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale TO-243AA TA78DS 29V Fisso PW-MINI (SOT-89) - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 1 mA - Positivo 30mA 5 V - 1 0,3 V a 10 mA - Sovracorrente, sovratemperatura, sovratensione, tensione transitoria
TA58M08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M08S(FJTN,AQ) -
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 ECAD 4671 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 105°C Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo TA58M08 29V Fisso TO-220NIS scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positivo 500mA 8 V - 1 0,65 V a 500 mA - Sovracorrente, sovratemperatura, polarità inversa
TCR2EN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN27,LF 0,3500
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 ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto TCR2EN27 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 2,7 V - 1 0,21 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TCR3DM285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285,LF -
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 ECAD 9078 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3DM Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN TCR3DM285 5,5 V Fisso 4-DFN (1x1) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Abilitare Positivo 300mA 2,85 V - 1 0,25 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR2EF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF33,LM(CT 0,3300
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 ECAD 271 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR2EF33 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 3,3 V - 1 0,2 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TCV7100F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100F(TE12L,Q) -
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 ECAD 8795 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN TCV71 5,5 V Regolabile Avanzamento 8-SOP (5x5) scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Diminuzione 1 Buck 800kHz Positivo SÌ 2,5 A 0,8 V 5,5 V 2,7 V
TB62777FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FG,8,EL 0,6777
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 ECAD 7758 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Illuminazione a LED Montaggio superficiale 16-SOP (0,181", larghezza 4,60 mm) Lineare TB62777 - 16-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 40mA 8 SÌ Registro a scorrimento 5,5 V - 3V 25 V
TCR2EN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN33,LF 0,0896
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 ECAD 3356 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto TCR2EN33 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 3,3 V - 1 0,18 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG,EL 2.2800
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -20°C ~ 150°C (TJ) Apparecchio Montaggio superficiale 36-WFQFN Tampone esposto TB62261 MOSFET di potenza 4,75 V ~ 5,25 V 36-WQFN (6x6) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 800 mA 10 V~35 V Bipolare DC spazzolato 1, 1/2, 1/4
TCR3UG41A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG41A,LF 0,1261
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 ECAD 9982 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG41 5,5 V Fisso 4-WCSP-F (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 680 nA Abilitare Positivo 300mA 4,1 V - 1 0,228 V a 300 mA 70dB (1kHz) Corrente di spunto, sovracorrente, spegnimento termico
TCR5AM055,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM055,LF 0,1344
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 ECAD 2188 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR5AM Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto TCR5AM055 5,5 V Fisso 5-DFNB (1,2x1,2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Abilitare Positivo 500mA 0,55 V - 1 0,2 V a 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Blocco per sovracorrente, sovratemperatura e sottotensione (UVLO)
TB62218AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG,C8,EL 1.5754
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 ECAD 8118 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -20°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 28-BSOP (0,346", larghezza 8,80 mm) + 2 linguette termiche TB62218 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 2.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 2A 10 V~38 V Bipolare - 1, 1/2, 1/4
TB62216FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG,C,8,EL 1.5069
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 ECAD 7667 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -20°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 28-BSOP (0,346", larghezza 8,80 mm) + 2 linguette termiche TB62216 MOSFET di potenza 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM Mezzo ponte (4) 2A 10 V~38 V - DC spazzolato -
TB6588FG,8,EL,JU Toshiba Semiconductor and Storage TB6588FG,8,EL,JU 5.3500
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C ~ 105°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 36-BSSOP (0,346", larghezza 8,80 mm) + 2 linguette termiche TB6588 MOSFET di potenza 7V~42V 36-HSOP scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 1.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (3) 1,5 A 7V~42V - CC senza spazzole (BLDC) -
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6674PG,C,8 -
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 ECAD 1620 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -30°C ~ 75°C (TA) Scopo generale Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) TB6674 MOSFET di potenza 4,5 V ~ 5,5 V 16-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 350mA 2,7 V~22 V Bipolare - -
TCR3DM35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM35,LF(SE 0,4800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN 5,5 V Fisso 4-DFN (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 264-TCR3DM35LF(SETR EAR99 8542.39.0001 10.000 Abilitare Positivo 300mA 3,5 V - 1 0,23 V a 300 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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