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Gestione energetica (PMIC)(1138)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Caratteristiche Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Rapporto - Ingresso:Uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Interfaccia Numero di uscite Corrente - Quiescente (Iq) Corrente - Fornitura (max) Protezione dai guasti Funzionalità di controllo Configurazione dell'uscita Corrente - Uscita Rds attivato (tip.) Tensione - Carico Tipo di motore: passo-passo Tipo di motore: CA, CC Risoluzione del passaggio Tipo di interruttore Corrente - Uscita (max) Tensione - Uscita (Min/Fissa) Tensione - Uscita (max) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
TCR3UG19A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG19A,LF 0,4700
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG19 5,5 V Fisso 4-WCSPF (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 680 nA Abilitare Positivo 300mA 1,9 V - 1 0,457 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35,LF 0,4500
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR4DG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG35 5,5 V Fisso 4-WCSPE (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 68 µA Abilitare Positivo 420mA 3,5 V - 1 0,26 V a 420 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura, cortocircuito
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A,LM(CT 0,4100
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 ECAD 2099 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR3UF30 5,5 V Fisso SMV - Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 680 nA Abilitare Positivo 300mA 3V - 1 0,287 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR3LM33A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM33A,RF 0,3700
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3LM Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-DFN (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 2,2μA Limite corrente, Abilita Positivo 300mA 3,3 V - 1 0,251 V a 200 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFNG -
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 ECAD 3817 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 18-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) - TBD62783 Non invertito Canale P 1:1 18-SSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 Non richiesto Acceso/Spesso 8 - Lato alto - 50 V (massimo) Scopo generale 500mA
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG(O) -
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 ECAD 5857 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Foro passante 16 DIP (0,300", 7,62 mm) TB6549 Bi-CMOS 10 V~27 V 16-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 25 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM, seriale Mezzo ponte (2) 3,5 A 10 V~27 V - DC spazzolato -
TCR2LN11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 1,1 V - 1 1,28 V a 150 mA - Sovracorrente
TA58L06S,SUMISQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,SUMISQ(M -
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 ECAD 2351 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 105°C Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo TA58L06 29V Fisso TO-220NIS scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 50 mA - Positivo 250 mA 6V - 1 0,4 V a 200 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
TCR5AM09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM09,LF 0,4100
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR5AM Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto TCR5AM09 5,5 V Fisso 5-DFNB (1,2x1,2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Abilitare Positivo 500mA 0,9 V - 1 0,23 V a 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Blocco per sovracorrente, sovratemperatura e sottotensione (UVLO)
TCR2LE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE27,LM(CT 0,0762
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 ECAD 4589 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-553 TCR2LE27 5,5 V Fisso ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 2,7 V - 1 0,38 V a 150 mA - Sovracorrente
TC78H611FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H611FNG,EL 1.5800
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 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 16-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) TC78H611 DMOS 2,7 V ~ 5,5 V 16-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4.000 Autista PWM Pre-Driver - Mezzo ponte (2) 1.1A 2,5 V~15 V Bipolare DC spazzolato -
TCR2EN35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN35,LF(SE 0,3800
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 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 3,5 V - 1 0,18 V a 150 mA - Sovracorrente
TCR3UM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM09A,LF 0,4500
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UM Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN TCR3UM09 5,5 V Fisso 4-DFN (1x1) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 580 nA Limite corrente, Abilita Positivo 300mA 0,9 V - 1 0,273 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR2EF29,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF29,LM(CT 0,3200
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 ECAD 117 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR2EF29 5,5 V Fisso SMV scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 2,9 V - 1 0,23 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TCR3DM32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM32,LF(SE 0,4800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale Piazzola esposta 4-UDFN 5,5 V Fisso 4-DFN (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 Abilitare Positivo 300mA 3,2 V - 1 0,23 V a 300 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE08,LM(CT 0,0742
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 ECAD 7520 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-553 TCR2LE08 5,5 V Fisso ESV scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 0,8 V - 1 1,58 V a 150 mA - Sovracorrente
TCR2EN34,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN34,LF(SE 0,3800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 3,4 V - 1 0,18 V a 150 mA - Sovracorrente
TB67S149FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FTG,EL 3,5500
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 48-WFQFN Tampone esposto TB67S149 MOSFET di potenza 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (2) 3A 10 V~40 V Unipolare - 1 ~ 1/32
TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13,LF(SE 0,3800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 1,3 V - 1 1,11 V a 150 mA - Sovracorrente
TB6640FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6640FTGEL 2.8900
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 ECAD 3540 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Scopo generale Montaggio superficiale 48-WFQFN Tampone esposto TB6640 DMOS 3 V ~ 5,5 V 48-WQFN (7x7) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza PWM Mezzo ponte (2) 1A 4,5 V~38 V Bipolare CC senza spazzole (BLDC) -
TCR3DF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF15,LM(CT 0,4900
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3DF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR3DF15 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Abilitare Positivo 300mA 1,5 V - 1 0,47 V a 300 mA 70dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCK127BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK127BG,LF 0,4800
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 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 4-XFBGA, CSPBGA Scarico del carico, velocità di risposta controllata TCK127 Non invertito Canale P 1:1 4-WCSPG (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 - Lato alto 343mOhm 1 V ~ 5,5 V Scopo generale 1A
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 1,25 V - 1 0,55 V a 150 mA - Sovracorrente
TC78B015FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015FTG,EL 1.6758
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 ECAD 1800 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 36-VFQFN Tampone esposto TC78B015 CMOS 6V~22V 36-VQFN (5x5) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 5.000 Autista PWM Mezzo ponte (3) 3A - Multifase CC senza spazzole (BLDC) -
TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG(O,EL) 7.8400
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 ECAD 8129 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 64-VFQFN Tampone esposto TB67S128 MOSFET di potenza 0 V ~ 5,5 V 64-VQFN (9x9) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 5A 6,5 V~44 V Bipolare - 1/8, 1/16, 1/32
TCR1HF50B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF50B,LM(CT 0,4800
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 ECAD 6529 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Attivo - 3.000
TCR2LN095,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095,LF(SE 0,3800
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 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2LN Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Abilitare Positivo 200mA 0,95 V - 1 1,46 V a 150 mA - Sovracorrente
TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9101FNG,EL 5.1900
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 ECAD 7188 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C (TA) Automobilistico Montaggio superficiale 24-LSSOP (0,220", larghezza 5,60 mm) TB9101 Bi-CMOS 7V~18V 24-SSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 2.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Acceso/Spesso Pre-Driver - Mezzo ponte (4) 1,5 A 0,3 V~40 V - DC spazzolato -
TCK304G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK304G,LF 1.1500
Richiesta di offerta
 ECAD 447 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 9-UFBGA, WLCSP Velocità di risposta controllata, flag di stato TCK304 - CanaleN 1:1 9-WCSP (1,5x1,5) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 Sovratemperatura, sovratensione, corrente inversa, UVLO Lato alto 73mOhm 2,3 V~28 V Scopo generale 3A
TCR3UG185A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG185A,LF 0,1237
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 ECAD 2215 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UG Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP 4-WCSPF (0,65x0,65) - Conformità ROHS3 264-TCR3UG185A,LFTR 5.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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