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Gestione energetica (PMIC)(1138)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Corrente - Fornitura Tensione - Ingresso Tensione - Ingresso (max) Tipo di uscita Coefficiente di temperatura Rapporto - Ingresso:Uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Funzione Corrente - Uscita/Canale Tipo di riferimento Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Interfaccia Numero di uscite Corrente - Quiescente (Iq) Corrente - Fornitura (max) Cambia interni Topologia Protezione dai guasti Funzionalità di controllo Tensione - Alimentazione (max) Configurazione dell'uscita Corrente - Uscita Rds attivato (tip.) Tensione - Carico Tipo di motore: passo-passo Tipo di motore: CA, CC Risoluzione del passaggio Oscuramento Tensione - Alimentazione (Min) Tensione-Uscita Tipo di interruttore Corrente - Uscita (max) Tensione - Uscita (Min/Fissa) Rumore: da 0,1 Hz a 10 Hz Rumore: da 10 Hz a 10 kHz Tensione - Uscita (max) Numero di regolatori Caduta di tensione (max) PSRR Funzionalità di protezione
TCR3UG25B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG25B,LF 0,1261
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 ECAD 1277 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG25 5,5 V Fisso 4-WCSP-F (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 680 nA Abilitare Positivo 300mA 2,5 V - 1 0,327 V a 300 mA 70dB (1kHz) Corrente di spunto, sovracorrente, spegnimento termico
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26,LF 0,1394
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 ECAD 4130 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2DG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-UFBGA, WLCSP 5,5 V Fisso 4-WCSP (0,79x0,79) scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Abilitare Positivo 200mA 2,6 V - 1 0,13 V a 100 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
TCR5AM06,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM06,LF 0,1344
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 ECAD 8644 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR5AM Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto TCR5AM06 5,5 V Fisso 5-DFNB (1,2x1,2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Abilitare Positivo 500mA 0,6 V - 1 0,2 V a 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Blocco per sovracorrente, sovratemperatura e sottotensione (UVLO)
TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG15,LF 0,1394
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 ECAD 8750 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2DG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG15 5,5 V Fisso 4-WCSP (0,79x0,79) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA - Positivo 200mA 1,5 V - 1 0,5 V a 100 mA - Corrente di spunto, sovracorrente, spegnimento termico
TA76432AS,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432AS,T6F(J -
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 ECAD 3225 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto - -40°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA76432 - - - - LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN115,LF(SE 0,3800
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 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto 5,5 V Fisso 4-SDFN (0,8x0,8) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 1,15 V - 1 0,65 V a 150 mA - Sovracorrente
TB62218AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG,8,EL 1.0604
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 ECAD 8985 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -20°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 28-BSOP (0,346", larghezza 8,80 mm) + 2 linguette termiche TB62218 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 1.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 2A 10 V~38 V Bipolare - 1, 1/2, 1/4
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S,F(J -
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 ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA76431 - Regolabile LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 - Positivo - 2.495 V 36V 1 - - -
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG,8 3.8200
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 ECAD 5140 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -30°C ~ 85°C Scopo generale Montaggio superficiale Tampone esposto 64-TQFP TB6560 4,5 V ~ 5,5 V 64-HQFP (10x10) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 1 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 1,5 A 4,5 V ~ 34 V Bipolare -
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G,LF -
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 ECAD 4705 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 4-UFBGA Velocità di risposta controllata TCK108 Non invertito Canale P 1:1 4-WCSP (0,79x0,79) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 - Lato alto 49mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Scopo generale 1A
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG,EL 1.5300
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 ECAD 8443 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Scopo generale Montaggio superficiale 16-VFQFN Tampone esposto TC78H670 DMOS 1,5 V ~ 5,5 V 16-VQFN (3x3) scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Seriale Mezzo ponte (4) 2A 2,5 V~16 V Bipolare DC spazzolato 1, 1/2
TCR2DG295,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG295,LF 0,1394
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 ECAD 5506 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2DG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-UFBGA, WLCSP 5,5 V Fisso 4-WCSP (0,79x0,79) scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Abilitare Positivo 200mA 2,95 V - 1 0,12 V a 100 mA - Sovracorrente, sovratemperatura
TA48015BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48015BF(T6L1,NQ) -
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 ECAD 3522 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C~150°C Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 TA48015 16V Fisso PW-STAMPO - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,7mA 20 mA - Positivo 1A 1,5 V - 1 1,9 V a 1 A (tip.) 65 dB (120 Hz) Sovracorrente, sovratemperatura
TCR3RM33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A,LF -
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 ECAD 3988 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3RM Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 4-XDFN Tampone esposto TCR3RM33 5,5 V Fisso 4-DFNC (1x1) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 10.000 - Positivo 300mA 3,3 V - 1 0,13 V a 300 mA 100dB (1kHz) Sovracorrente, sovratemperatura
KIA78L12BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L12BP -
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 ECAD 3569 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Massa Attivo KIA78 - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1
TA78L005AP,T6WNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6WNF(J -
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 ECAD 9553 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -30°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA78L005 35 V Fisso LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 6 mA - Positivo 150mA 5 V - 1 1,7 V a 40 mA (tip.) 49 dB (120 Hz) -
TA76L431S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S,Q(J -
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 ECAD 9072 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto - -40°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA76L431 - - - - LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11,LM(CT 0,3700
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-553 TCR2EE11 5,5 V Fisso ESV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 1,1 V - 1 0,67 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG,C,8,EL 3.2800
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 ECAD 9582 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C ~ 115°C (TA) Controllore della ventola Montaggio superficiale 24-SOP (0,236", larghezza 6,00 mm) TB6551 Bi-CMOS 6 V~10 V 24-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 2.000 Controller - Commutazione, Gestione Direzione Parallelo Pre-Driver - Mezzo ponte (3) - - - CC senza spazzole (BLDC) -
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG,LF 0,4800
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 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 4-XFBGA, CSPBGA Velocità di risposta controllata TCK126 Non invertito Canale P 1:1 4-WCSPG (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 - Lato alto 343mOhm 1 V ~ 5,5 V Scopo generale 1A
TB62213AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG,8,EL 1.8458
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 ECAD 1279 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -20°C ~ 150°C (TJ) Scopo generale Montaggio superficiale 28-BSOP (0,346", larghezza 8,80 mm) + 2 linguette termiche TB62213 MOSFET di potenza 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.39.0001 1.000 Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza Parallelo Mezzo ponte (4) 2.4A 10 V~38 V Bipolare - 1, 1/2, 1/4
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32,LM(CT 0,3500
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 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EE Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SOT-553 TCR2EE32 5,5 V Fisso ESV scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 3,2 V - 1 0,2 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6MURF(M -
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 ECAD 9977 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -30°C ~ 85°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo TA78L015 35 V Fisso LSTM scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 6,5mA - Positivo 150mA 15 V - 1 1,7 V a 40 mA (tip.) 40 dB (120 Hz) Sovracorrente, sovratemperatura
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(YNS,AQ) -
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 ECAD 2248 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -40°C ~ 105°C Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo TA58M05 29V Fisso TO-220NIS scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 1 1 mA 80 mA - Positivo 500μA 5 V - 1 0,65 V a 500 mA - Sovracorrente, sovratemperatura, polarità inversa
TCR2EF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF27,LM(CT 0,3300
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR2EF Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale SC-74A, SOT-753 TCR2EF27 5,5 V Fisso SMV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Abilitare Positivo 200mA 2,7 V - 1 0,23 V a 150 mA 73dB (1kHz) Sovracorrente
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNAG,EL -
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 ECAD 7768 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) - Montaggio superficiale 24-SSOP (0,154", larghezza 3,90 mm) Lineare TB62747 - 24-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 2.000 45 mA 16 SÌ Registro a scorrimento 5,5 V - 3V 26V
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN,LF 0,8900
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 4-XFDFN Tampone esposto Scarico del carico, velocità di risposta controllata TCK207 Non invertito CanaleN 1:1 4-DFNA (1,2x1,2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 Non richiesto Acceso/Spesso 1 Corrente inversa Lato alto 21,5 mOhm 0,75 V ~ 3,6 V Scopo generale 2A
TCR15AG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG30,LF 0,2294
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 ECAD 8000 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR15AG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG30 6V Fisso 6-WCSP (1,2x0,80) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 40 µA Abilitare Positivo 1,5 A 3V - 1 0,648 V a 1,5 A 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Limite di corrente, spegnimento termico, UVLO
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A,LF 0,4700
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 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TCR3UG Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TJ) Montaggio superficiale 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG12 5,5 V Fisso 4-WCSP-F (0,65x0,65) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8542.39.0001 5.000 580 nA Abilitare Positivo 300mA 1,2 V - 1 0,857 V a 300 mA 70dB (1kHz) Corrente di spunto, sovracorrente, spegnimento termico
TB62D901FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D901FNG,EL 0,6777
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 ECAD 7626 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Attivo TB62D901 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TB62D901FNGEL EAR99 8542.39.0001 2.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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