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Gestione energetica (PMIC)(1138)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Applicazioni | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Caratteristiche | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Corrente - Fornitura | Tensione - Ingresso | Tensione - Ingresso (max) | Tipo di uscita | Coefficiente di temperatura | Rapporto - Ingresso:Uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Funzione | Tipo di riferimento | Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) | Interfaccia | Numero di uscite | Corrente - Quiescente (Iq) | Corrente - Fornitura (max) | Protezione dai guasti | Funzionalità di controllo | Configurazione dell'uscita | Metodo di rilevamento | Precisione | Corrente - Uscita | Rds attivato (tip.) | Tensione - Carico | Tipo di motore: passo-passo | Tipo di motore: CA, CC | Risoluzione del passaggio | Tipo di interruttore | Corrente - Uscita (max) | Tensione - Uscita (Min/Fissa) | Rumore: da 0,1 Hz a 10 Hz | Rumore: da 10 Hz a 10 kHz | Tensione - Uscita (max) | Numero di regolatori | Caduta di tensione (max) | PSRR | Funzionalità di protezione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR3RM29A,LF | 0,4600 |  | 105 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3RM | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XDFN Tampone esposto | TCR3RM29 | 5,5 V | Fisso | 4-DFNC (1x1) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | - | Positivo | 300mA | 2,9 V | - | 1 | 0,13 V a 300 mA | 100dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA76431S(6NETPP,AF | - | | 9510 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA76431 | - | Regolabile | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Positivo | - | 2.495 V | 36V | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG35,LF | 0,1054 | | 8756 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3DG | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG35 | 5,5 V | Fisso | 4-WCSPE (0,65x0,65) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Abilitare | Positivo | 300mA | 3,5 V | - | 1 | 0,215 V a 300 mA | 70dB (1kHz) | Corrente di spunto, sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE295,LM(CT | 0,0680 | | 3054 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2EE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-553 | TCR2EE295 | 5,5 V | Fisso | ESV | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 2,95 V | - | 1 | 0,23 V a 150 mA | 73dB (1kHz) | Sovracorrente | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE27,LM(CT | 0,0680 | | 1161 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2EE | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SOT-553 | TCR2EE27 | 5,5 V | Fisso | ESV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 2,7 V | - | 1 | 0,23 V a 150 mA | 73dB (1kHz) | Sovracorrente | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN19,LF(SE | 0,3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2LN | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFDFN Tampone esposto | 5,5 V | Fisso | 4-SDFN (0,8x0,8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 1,9 V | - | 1 | 0,6 V a 150 mA | - | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78B002FTG,EL | 0,5047 | | 7270 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Driver del motore del ventilatore | Montaggio superficiale | 16-WFDFN Tampone esposto | TC78B002 | DMOS | 3,5 V~16 V | 16-WQFN (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | PWM | Mezzo ponte (2) | 1,5 A | 3,5 V~16 V | - | CC senza spazzole (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5SB33A(T5L,F,T) | - | | 5687 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR5SB | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | TCR5SB33 | 6V | Fisso | SMV | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 75 µA | Abilitare | Positivo | 150mA | 3,3 V | - | 1 | 0,19 V a 50 mA | 80dB (1kHz) | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S40(TE85L,F) | 0,4200 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | TAR5S40 | 15 V | Fisso | SMV | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | ACCESSO/SPENTO | Positivo | 200mA | 4V | - | 1 | 0,2 V a 50 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431AS(T6SOY,AF | - | | 6330 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | - | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6586FG,EL,ASCIUTTO | - | | 8685 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 24-SOP (0,236", larghezza 6,00 mm) | TB6586 | Bi-CMOS | 6,5 V ~ 16,5 V | 24-SSOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.31.0001 | 2.000 | Controller - Commutazione, Gestione Direzione | Parallelo | Pre-Driver - Mezzo ponte (3) | - | - | - | CC senza spazzole (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48S09AF(T6L1,Q) | - | | 9154 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C~150°C | Montaggio superficiale | TO-252-6, DPak (5 conduttori + lingua) | TA48S09 | 16V | Fisso | 5-HSIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 1,7mA | 20 mA | Abilitare | Positivo | 1A | 9V | - | 1 | 0,69 V a 1 A (tip.) | 55 dB (120 Hz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCKE800NA,RF | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 10-WFDFN | TCKE800 | 4,4 V~18 V | 10-WSONB (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Fusibile elettronico | - | - | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62004AFG,EL | 0,8900 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | - | TBD62004 | Inversione | CanaleN | 1:1 | 16-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 7 | - | Lato basso | - | 50 V (massimo) | Scopo generale | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L012AP,WNLF(J | - | | 9521 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA78L012 | 35 V | Fisso | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6,5mA | - | Positivo | 150mA | 12V | - | 1 | 1,7 V a 40 mA (tip.) | 41 dB (120 Hz) | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S261FTG,EL | 2.5800 | | 370 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 48-WFQFN Tampone esposto | TB67S261 | MOSFET di potenza | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo | Mezzo ponte (4) | 2A | 10 V~47 V | Bipolare | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF135,LM(CT | 0,3300 | | 3206 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2EF | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF135 | 5,5 V | Fisso | SMV | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 1,35 V | - | 1 | - | 73dB (1kHz) | Sovracorrente | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62262FTG,EL | 1.1819 | | 1525 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 150°C (TJ) | Apparecchio | Montaggio superficiale | 48-WFQFN Tampone esposto | TB62262 | MOSFET di potenza | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | PWM | Mezzo ponte (4) | 1,4A | 10 V~38 V | Bipolare | DC spazzolato | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TA4800AF(T6L1,Q) | - | | 6637 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C~150°C | Montaggio superficiale | TO-252-6, DPak (5 conduttori + lingua) | TA4800 | 16V | Regolabile | 5-HSIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 1,7mA | 20 mA | - | Positivo | 1A | 1,5 V | 9V | 1 | 0,5 V a 500 mA | 63 dB (120 Hz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431S,T6MURAF(J | - | | 3381 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA76431 | - | Regolabile | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Positivo | - | 2.495 V | 36V | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62183AFNG,EL | 1.2000 | | 8608 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 18-LSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | - | TBD62183 | Inversione | CanaleN | 1:1 | 18-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 2,8 V~25 V | - | 8 | - | Lato basso | - | 50 V (massimo) | Scopo generale | 50mA | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DG12,LF | 0,1054 | | 5253 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3DG | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG12 | 5,5 V | Fisso | 4-WCSPE (0,65x0,65) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 65 µA | 78 µA | - | Positivo | 300mA | 1,2 V | - | 1 | 0,6 V a 300 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62215AHQ | - | | 6418 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Vassoio | Obsoleto | -20°C ~ 150°C (TJ) | Scopo generale | Foro passante | Formato principale a 25 SIP | TB62215 | MOSFET di potenza | 4,75 V ~ 5,25 V | 25 HZIP | scaricamento | 1 (illimitato) | TB62215AHQ(O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 504 | Driver: completamente integrato, controllo e stadio di potenza | Parallelo | Mezzo ponte (4) | 3A | 10 V~38 V | Bipolare | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62084APG | 1.4900 | | 517 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 18 DIP (0,300", 7,62 mm) | - | TBD62084 | Inversione | CanaleN | 1:1 | 18-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Non richiesto | Acceso/Spesso | 8 | - | Lato basso | - | 50 V (massimo) | Scopo generale | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN32,LF | 0,0896 | | 9032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR2LN | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFDFN Tampone esposto | TCR2LN32 | 5,5 V | Fisso | 4-SDFN (0,8x0,8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Abilitare | Positivo | 200mA | 3,2 V | - | 1 | 0,28 V a 150 mA | - | Sovracorrente | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA48M0345F(6L1,SNQ | - | | 2909 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | TA48M0345 | 29V | Fisso | PW-STAMPO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 1,4mA | 25 mA | - | Positivo | 500mA | 3,45 V | - | 1 | 0,65 V a 500 mA | 70 dB (120 Hz) | Sovracorrente, Sovratemperatura, Sovratensione, Inversione di polarità | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L009AP,F(J | - | | 6702 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA78L009 | 35 V | Fisso | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6,5mA | - | Positivo | 150mA | 9V | - | 1 | 1,7 V a 40 mA (tip.) | 44 dB (120 Hz) | Sovracorrente | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM33,LF | 0,3600 | | 3246 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TCR3DM | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 4-UDFN | TCR3DM33 | 5,5 V | Fisso | 4-DFN (1x1) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 65 µA | 78 µA | Abilitare | Positivo | 300mA | 3,3 V | - | 1 | 0,23 V a 300 mA | 70dB (1kHz) | Sovracorrente, sovratemperatura | |||||||||||||||||||||||||||||
| TA76431S(T6NEPP,AF | - | | 6843 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | TA76431 | - | Regolabile | LSTM | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Positivo | - | 2.495 V | 36V | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S508FTG,EL | 3.1400 | | 14 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -20°C ~ 85°C (TA) | Scopo generale | Montaggio superficiale | 36-VFQFN Tampone esposto | TB67S508 | DMOS | 2 V ~ 5,5 V | 36-VQFN (5x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Autista | PWM | Pre-Driver - Mezzo ponte (2) | 3A | 10 V~35 V | Bipolare | DC spazzolato | 1, 1/2, 1/4 |
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