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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Caratteristiche | Tipo di ingresso | Tipo di uscita | Rapporto - Ingresso:Uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | HTSUS | Pacchetto standard | Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) | Interfaccia | Numero di uscite | Tipo di canale | Protezione dai guasti | Configurazione dell'uscita | Rds attivato (tip.) | Tensione - Carico | Configurazione guidata | Numero di conducenti | Tipo di cancello | Tensione logica - VIL, VIH | Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione lato alta: massima (bootstrap) | Tipo di interruttore | Corrente - Uscita (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FBS-GAM02P-R-PSE | 779.2000 | ![]() | 8807 | 0.00000000 | EPC Spazio, LLC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 130°C (TJ) | Montaggio superficiale | Modulo 18-SMD | Non invertito | 4,5 V ~ 5,5 V, 5 V ~ 50 V | - | 1 (illimitato) | 4107-FBS-GAM02P-R-PSE | 8541.29.0095 | 1 | Indipendente | Lato alto e lato basso | 2 | MOSFET al canale N | 0,8 V, 2,9 V | - | 35ns, 22ns | 100 V | |||||||||||||
![]() | FBS-GAM01-P-R50 | 721.9900 | ![]() | 6781 | 0.00000000 | EPC Spazio, LLC | eGaN® | Massa | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | Modulo 9-SMD | Buon potere | Non invertito | Canale P | 1:1 | - | 1 (illimitato) | 4107-FBS-GAM01-P-R50 | 8541.29.0095 | 1 | 5 V~50 V | - | 2 | - | Lato alto/basso | 10mOhm | 100 V | Scopo generale | 20A |

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