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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AS4C128M16D3L-12BCNTR | - |  | 7502 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | AS4C128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | W25Q64CVZEJG | - | | 5225 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q64 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 80 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 3 ms | ||||
 | IS43R86400D-5TLI-TR | 7.8600 | | 8247 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS43R86400 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
 | AT24CS01-MAHM-E | - | | 6773 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | AT24CS01 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-UDFN (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 15.000 | 1 megahertz | Non volatile | 1Kbit | 550 n | EEPROM | 128×8 | I²C | 5 ms | |||
 | AT45DQ321-MHD-T | - | | 7138 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | AT45DQ321 | FLASH | 2,5 V ~ 3,6 V | 8-UDFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6.000 | 104 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 528 byte x 8192 pagine | SPI | 8μs, 4ms | ||||
 | 70V9269L12PRFI | - | | 1400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 128-LQFP | 70V9269 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3 V ~ 3,6 V | 128-TQFP (14x20) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volatile | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 16K×16 | Parallelo | - | ||||
 | M25P64-VMF3PB | - | | 3122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | M25P64 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 75 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||||
 | 7016L35J8 | - | | 9601 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 68-LCC (conduttore J) | 7016L35 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volatile | 144Kbit | 35 ns | SRAM | 16K×9 | Parallelo | 35ns | ||||
 | GT28F800B3T120 | 0,6700 | | 4 | 0.00000000 | Intel | ETOX™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | FLASH - Blocco di avvio | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 uBGA (7,7x9) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 8Mbit | 120 n | FLASH | 512K x 16 | CUI | 165 µs | |||||
 | MT53E256M16D1FW-046 PESO:B | 7.7349 | | 7625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-TFBGA | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | scaricamento | 557-MT53E256M16D1FW-046WT:B | 1 | 2.133GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 18ns | ||||||||
 | 24AA00/P | 0,3400 | | 1666 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 24AA00 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 24AA00/P-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 chilocicli | Non volatile | 128 bit | 3500 n | EEPROM | 16×8 | I²C | 4 ms | ||
| W634GU8QB09I | 6.6186 | | 5948 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-VFBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W634GU8QB09I | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 1,06GHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT46V128M4CY-5B:J | - | | 3881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x10) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 128M x 4 | Parallelo | 15ns | |||
 | W66CM2NQUAHJ | 10.1293 | | 8286 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | W66CM2 | SDRAM - Cellulare LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-WFBGA (10x14,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W66CM2NQUAHJ | EAR99 | 8542.32.0036 | 144 | 2.133GHz | Volatile | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128Mx32 | LVSTL_11 | 18ns | ||
 | W631GU6NB11I | 4.8800 | | 28 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1.283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1.575 V | 96-VFBGA (7,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W631GU6NB11I | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 933 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | IS42S83200B-6TLI-TR | - | | 9552 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S83200 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | - | |||
| W631GG6MB-12 | 3.6000 | | 3 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-VFBGA (7,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W631GG6MB-12 | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | - | ||
 | GM252AA-C | 17.5000 | | 4675 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-GM252AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7B139-35JI | 34,8000 | | 1305 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 68-LCC (conduttore J) | CY7B139 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLC (24,23x24,23) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 36Kbit | 35 ns | SRAM | 4K×9 | Parallelo | 35ns | ||||
 | MT29F4G08ABADAH4-AATX:D | 5.4563 | | 9466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||||
 | S25FL256SAGMFI000 | 11.8600 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | Non applicabile | Venditore non definito | 2832-S25FL256SAGMFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 43 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | Verificato | ||
 | AT28HC256-90TU-T | - | | 9674 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | AT28HC256 | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.000 | Non volatile | 256Kbit | 90 ns | EEPROM | 32K×8 | Parallelo | 10 ms | |||||
 | DS1250YP-70+ | 105.7650 | | 3148 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Modulo 34-PowerCap™ | DS1250Y | NVSRAM (SRAM non volatile) | 4,5 V ~ 5,5 V | Modulo 34-PowerCap | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | -4941-DS1250YP-70+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | Non volatile | 4Mbit | 70 ns | NVSRAM | 512K×8 | Parallelo | 70ns | |||
 | W987D6HBGX7E | - | | 8443 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Vassoio | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | W987D6 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 312 | 133 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | BR25S320NUX-WTR | 0,7600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | BR25S320 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | VSON008X2030 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 20 MHz | Non volatile | 32Kbit | EEPROM | 4K×8 | SPI | 5 ms | ||||
 | S29GL064N90FFIS23 | - | | 7295 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-N | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 64Mbit | 90 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 90ns | ||||
 | MT46V32M8CY-5B:M TR | - | | 2246 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V32M8 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR | - | | 8553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 128Mbit | 5 ns | DRAM | 8Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
| CG8414AAT | - | | 9708 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 750 | ||||||||||||||||||
 | CY7C199NL-15ZXC | - | | 6577 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | CY7C199 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 702 | Volatile | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 15ns |
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Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
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Unità di prodotto standard
2800+
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15.000 mq2
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