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Memoria(238)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EM064LXQADG13CS1T | 42.0000 |  | 1037 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM064LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 64Mbit | RAM | 8Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
 | MR256DL08BMA45 | 7.3191 | | 8414 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR256DL08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-1062 | EAR99 | 8542.32.0071 | 348 | Non volatile | 256Kbit | 45 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 45ns | ||
 | MR5A16ACMA35 | 80.3300 | | 5224 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (10x10) | - | Conformità ROHS3 | 6 (Tempo sull'etichetta) | REACH Inalterato | 819-MR5A16ACMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 32Mbit | 35 ns | RAM | 2Mx16 | Parallelo | 35ns | ||
| EM008LXQAB313IS1T | 19.0500 | | 5387 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM008LXQADG13IS1T | 19.0500 | | 3932 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQADG13IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM008LXOAB320CS1T | 18.7500 | | 5006 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXOAB320CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM032LXOAB320CS1R | 30,9000 | | 1283 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM032LXOAB320CS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 200 MHz | Non volatile | 32Mbit | RAM | 4M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR256A08BMA35 | 7.3129 | | 9328 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR256A08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-1032 | EAR99 | 8542.32.0071 | 348 | Non volatile | 256Kbit | 35 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 35ns | ||
| EM008LXQAB313CS1R | 15.8270 | | 1066 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQAB313CS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM032LXQAB313IS1T | 31.4250 | | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM032LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 32Mbit | RAM | 4M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| EM016LXOAB320CS1T | 18.6200 | | 4085 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM016LXOAB320CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 2Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
 | MR25H256APDF | 7.1663 | | 5076 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MR25H256 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN-EP, Bandierina piccola (5x6) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR25H256APDF | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | Non volatile | 256Kbit | 9 ns | RAM | 32K×8 | SPI | - | |
 | MR256A08BYS35R | 7.3228 | | 8516 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR256A08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 256Kbit | 35 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 35ns | |||
 | MR25H256MDC | 15.0800 | | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-TDFN | MR25H256 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | Non volatile | 256Kbit | RAM | 32K×8 | SPI | - | |||
 | MR10Q010VMB | 8.6100 | | 5203 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR10Q010VMB | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 40 MHz | Non volatile | 1Mbit | 7 ns | RAM | 128K×8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |
| EM016LXQADG13IS1T | 19.5696 | | 4890 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM016LXQADG13IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 2Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR0A16AMYS35R | 18.6450 | | 6395 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR0A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 1Mbit | 35 ns | RAM | 64K x 16 | Parallelo | 35ns | |||
| EM008LXQADG13CS1T | 16.3999 | | 7382 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
 | MR3A16ACYS35 | 39,7500 | | 2040 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR3A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP2 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR3A16ACYS35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | Non volatile | 8Mbit | 35 ns | RAM | 512K x 16 | Parallelo | 35ns | ||
 | MR4A08BUYS45R | 48.8400 | | 5792 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR4A08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR4A08BUYS45RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 16Mbit | 45 ns | RAM | 2Mx8 | Parallelo | 45ns | ||
| MR1A16AMYS35 | 22.4606 | | 2309 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR1A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR1A16AMYS35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 135 | Non volatile | 2Mbit | 35 ns | RAM | 128K x 16 | Parallelo | 35ns | ||
| EM064LXOAB320IS1T | 60.6700 | | 475 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM064LXOAB320IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 64Mbit | RAM | 8Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR3A16AMA35R | 28.0050 | | 2006 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (10x10) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR3A16AMA35RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 8Mbit | 35 ns | RAM | 512K x 16 | Parallelo | 35ns | ||
| EM008LXQADG13IS1R | 19.0500 | | 5008 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM008LXQADG13IS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 8Mbit | RAM | 1M x 8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR256D08BMA45R | 7.2300 | | 8464 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR256D08 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 256Kbit | 45 ns | RAM | 32K×8 | Parallelo | 45ns | |||
| MR3A16ACMA35 | 40.7800 | | 334 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (10x10) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR3A16ACMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 8Mbit | 35 ns | RAM | 512K x 16 | Parallelo | 35ns | ||
 | MR25H128APDFR | 7.3200 | | 8547 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MR25H128 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | ||||||||||||||||
| EM016LXQAB313IS1T | 18.8860 | | 7365 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 24 TBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM016LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 2Mx8 | SPI - I/O ottale | - | ||||
| MR1A16AYS35R | 17.2350 | | 6299 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MR1A16 | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 819-MR1A16AYS35RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 2Mbit | 35 ns | RAM | 128K x 16 | Parallelo | 35ns | ||
| EM016LXQADG13IS1R | 18.8860 | | 2719 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | EMxxLX | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 1,65 V~2 V | 8-DFN (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 819-EM016LXQADG13IS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 16Mbit | RAM | 2Mx8 | SPI - I/O ottale | - |
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