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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D1G32D4NQ-053 PESO ES:E TR | - |  | 7320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | ||||||||
| MT29C4G48MAZAMAMK-5 IT | - | | 2531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | MT29C4G48 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 153-VFBGA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 16 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| MT53B256M16D1Z00MWC1S | 10.4800 | | 5744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4EZ-062 PESO:A TR | - | | 1470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | |||
| MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR | - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx8 | Parallelo | 12ns | ||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6:D | - | | 6885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-LBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-LBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT25QL02GCBA8E12-0SIT | - | | 9198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25QL02 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.122 | 133 MHz | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | ||||
| MT62F768M64D4EK-023FAAT:B | 47.8950 | | 1427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | - | Montaggio superficiale | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023FAAT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | Parallelo | - | |||||||
| EDFA232A2PD-GD-FD | - | | 6334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | EDFA232 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.680 | 800 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | - | ||||
| MT62F1G32D4DS-031 AAT:B | 32.5650 | | 2651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Scatola | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT:B | 1 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| N25Q032A13EF440E | - | | 1691 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UDFN | N25Q032A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-PDFN (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 8M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| M29F040B70N1T TR | - | | 5593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29F040 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 4Mbit | 70 ns | FLASH | 512K×8 | Parallelo | 70ns | |||
| EDFB164A1MA-JD-FR TR | - | | 4046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | EDFB164 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | Parallelo | - | |||||||
| MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR | - | | 3823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29F4T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 4Tbit | FLASH | 512G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT29F16G08ABACAWP-IT:C | - | | 9904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F16G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | Parallelo | - | |||||
 | MT35XU01GBBA1G12-0AAT | - | | 7795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XU01 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Autobus Xccela | - | |||
 | MT41J64M16JT-15E:G | - | | 7524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 1Gbit | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | - | |||
 | MT48H8M32LFF5-8 IT | - | | 4642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Volatile | 256Mbit | 7 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | 15ns | ||
| MT62F768M64D4EK-026 PESO:B TR | 34.2750 | | 5784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-026WT:BTR | 1.500 | 3,2GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | Parallelo | - | |||||||
 | MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F | 3.8912 | | 3346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G16 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 256Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | MT46V16M16BG-5B:F TR | - | | 5511 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-FBGA | MT46V16M16 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 700 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| N25Q512A83G12H0F TR | - | | 9590 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q512A83 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 128M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| M29W256GH7AN6E | - | | 8097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256Mbit | 70 ns | FLASH | 32Mx8, 16Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
| MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR | 165.0000 | | 6125 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | MT28HL64 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT28HL64GRBB6EBL-0GCTTR | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||
 | PF48F3000P0ZBQ0A | - | | 5658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | StrataFlash™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 88-TFBGA, CSPBGA | 48F3000P0 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 88-SCSP (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Non volatile | 128Mbit | 85 ns | FLASH | 8Mx16 | Parallelo | 85ns | ||
 | MT41K128M16JT-125 AAT:K | - | | 4302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,75 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT62F1G32D2DS-023 PESO ES:C TR | 22.8450 | | 3297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C~85°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WTES:CTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT48LC4M32B2F5-7:G TR | - | | 8370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx32 | Parallelo | 14ns | ||
| MT41K256M8HX-15E:D | - | | 8835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (9x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | - | ||
 | M25PX32-VMF6F TR | - | | 9457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro tagliato (CT) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | M25PX32 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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