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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR | - |  | 7552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | MT29E2T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 2 bit | FLASH | 256G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT29C4G48MAZBAAKS-5 EPESO | - | | 3121 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 137-VFBGA | MT29C4G48 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 16 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||||
 | N25W032A11EF640F TR | - | | 6897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | N25W032 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 8M x 4 | SPI | - | |||||
| MT40A512M16LY-062E AT:E | - | | 9421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT:E | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 180 | 1,6GHz | Non volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | - | - | ||||||
 | MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR | - | | 9325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F256G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | | 4432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT55L256L | SRAM-Sincrono, ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatile | 8Mbit | 8,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
| N25Q00AA13G1240FTR | - | | 7257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | N25Q00AA13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24LPBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 256Mx4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
| MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR | - | | 6497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F128G08CECGBJ4-37R:GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 267 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT53E512M64D4NK-053 PESO:D | - | | 2960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT53E512M64D4NK-053WT:D | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | |||
 | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 | | 8960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28EW01 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | Non volatile | 1Gbit | 95 ns | FLASH | 128Mx8, 64Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
| MT52L256M64D2PP-107 PESO:B | - | | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 253-VFBGA | MT52L256 | SDRAM-LPDDR mobile3 | 1,2 V | 253-VFBGA (11x11,5) | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 933 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | - | - | ||||||
| MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR | - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 60-FBGA (8x16) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 167 MHz | Volatile | 128Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx8 | Parallelo | 12ns | |||
| MT58L32L32FT-10 | 6.4500 | | 49 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L32L32 | SRAM: sincronizzato | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatile | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 32K x 32 | Parallelo | - | |||
 | MT28F400B5SG-8TTR | - | | 3459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | MT28F400B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | ||||
 | MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR | 2.8500 | | 712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UDFN | MT29F2G01 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-UPDFN (8x6) (MLP8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 2G×1 | SPI | - | |||||
 | M25P16-VMW6G | - | | 1061 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | M25P16 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO O | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | Non volatile | 16Mbit | FLASH | 2Mx8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| EDB4432BBBJ-1DAIT-FD | - | | 4607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-FBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.520 | 533 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | ||||
 | MT41J128M16HA-15E:DTR | - | | 8224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | |||
 | NAND16GW3D2BN6E | - | | 1217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | NAND16G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -NAND16GW3D2BN6E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | Non volatile | 16Gbit | 25 ns | FLASH | 2G×8 | Parallelo | 25ns | |||
 | MT47H256M4CF-3 IT:H | - | | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-FBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Volatile | 1Gbit | 450 CV | DRAM | 256Mx4 | Parallelo | 15ns | |||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6:D | - | | 6885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-LBGA | MT29F256G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-LBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | Parallelo | - | ||||
| MT25QL02GCBA8E12-0SIT | - | | 9198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT25QL02 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.122 | 133 MHz | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||||
| MT25QL128ABA1ESE-0SIT | 4.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | MT25QL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -MT25QL128ABA1ESE-0SIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29F1G08ABAFAM78A3WC1 | - | | 2643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT:G | 2.7962 | | 6625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT29F2G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT:G | 8542.32.0071 | 1.122 | 83 MHz | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 2G×1 | SPI | - | Non verificato | |||
| MTFC128GAPALNA-AIT ES | - | | 8710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | MTFC128 | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 980 | |||||||||||||||||||
| MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT | - | | 3466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 137-TFBGA | MT29C4G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 256 MB x 16 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | |||||
 | MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR | - | | 5380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 512Mx8 | Parallelo | - | |||||
| MT53B384M64D4EZ-062 PESO:A TR | - | | 1470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 384Mx64 | - | - | ||||
 | MT29F8G08ABACAH4-ITS:C TR | - | | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F8G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - |
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