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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V64M8FN-75:D TR | - |  | 3203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - | RoHS non conforme | 5 (48 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 512Mbit | 750 CV | DRAM | 64Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
 | M58LT256KST8ZA6F TR | - | | 7509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | M58LT256 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 64-TBGA (10x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 52 MHz | Non volatile | 256Mbit | 85 ns | FLASH | 16Mx16 | Parallelo | 85ns | |||
 | MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D | - | | 4310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT28F400B3WG-8 TET TR | - | | 9304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT28F400B3 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 4Mbit | 80 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 80ns | |||
| MT41K128M16V89C3WC1 | 5.6000 | | 1259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | MT41K128M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | Volatile | 2Gbit | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT29F1G01AAADDH4-ITX:D | - | | 1612 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G01 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 1G x 1 | SPI | - | ||||
 | MT55L512L18FF-11 | 8.9300 | | 1825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | MT55L512L | SRAM-Sincrono, ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volatile | 8Mbit | 8,5 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||
| EDBA164B2PF-1D-FD | - | | 6282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | - | EDBA164 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 533 MHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 256Mx64 | Parallelo | - | |||
 | M29W128FL70N6FTR | - | | 3711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.200 | Non volatile | 128Mbit | 70 ns | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT41K512M16HA-125 AIT:A TR | - | | 9720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | 13,5 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
| MT62F512M32D2DS-031 AAT:B TR | 17.4150 | | 3865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AAT:BTR | 2.000 | 3,2GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 512Mx32 | Parallelo | - | ||||||||
| MT40A512M8RH-075E IT:B TR | - | | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (9x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | |||
| M29W640GB70NA6E | - | | 4266 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W640 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT47H16M16BG-5E:BTR | - | | 4143 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 256Mbit | 600 CV | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT40A512M8SA-062E AAT:F | 15.5100 | | 8010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT40A512M8SA-062EAAT:F | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | 15ns | |
| NAND02GR3B2DN6E | - | | 3618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | NAND02G | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -NAND02GR3B2DN6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 2Gbit | 45 ns | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | 45ns | ||
| MT29RZ4C4DZZMGMF-18 L.80U | - | | 5653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | MT29RZ4 | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | |||||||||||||||||
| MTFC16GJDEC-H1 PESO | - | | 6348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Massa | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | MTFC16G | FLASH-NAND | 1,65 V ~ 3,6 V | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | MMC | - | ||||||||
 | MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR | 3.7300 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||
| MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR | - | | 3252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29E1T08 | FLASH-NAND | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | Parallelo | - | |||
 | MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatile | 1Mbit | 8,5 ns | SRAM | 64K×18 | Parallelo | - | |||
 | MT35XU256ABA2G12-0AUT | 10.5900 | | 871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT35XU256 | FLASH-NOR | 1,7 V~2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 200 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | Autobus Xccela | - | |||
| N25Q00AA13G1241E | - | | 6210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-LBGA | N25Q00AA13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24LPBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 256Mx4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT29F512G08CFCBBWP-10:B | - | | 3908 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 960 | 100 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT53E1G32D4NQ-046 PESO:E TR | - | | 6086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53E1G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||||||||
| MT53B1G64D8NW-062 PESO:D TR | - | | 3232 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53B1G64 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | ||||||||
| MT53D1G16D1Z32MWC1 | - | | 3217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 557-MT53D1G16D1Z32MWC1 | OBSOLETO | 1 | |||||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8CL-031 PESO:B | 71.9300 | | 8894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | - | 557-MT62F1536M64D8CL-031WT:B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT46V32M8TG-75 IT:G TR | - | | 2252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 750 CV | DRAM | 32Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| MT48LC16M16A2B4-7E:G TR | - | | 6643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | 14ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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