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Memoria(10402)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F2G64D8CL-023 PESO:B TR | 74.4900 |  | 6617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR5 | 1,05 V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT:BTR | 2.500 | 4.266GHz | Volatile | 128 Gbit | DRAM | 2G×64 | LVSTL | - | ||||||||
 | MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR | - | | 9437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | MT29F4G01 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT29F4G01ABBFD12-IT:FTR | OBSOLETO | 8542.32.0071 | 2.000 | 83 MHz | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 4G×1 | SPI | - | |||
 | N25Q128A13B1241F TR | - | | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI | 8ms, 5ms | |||
| MT40A512M8RH-083E AAT:B | - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (9x10,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,2GHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 512Mx8 | Parallelo | - | |||
 | M29W320ET70N6F TR | - | | 1987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | |||
 | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L128L36 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4Mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | MT46V32M16CY-5B:J | - | | 6704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.368 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| MT29C4G96MAYBACJG-5WT TR | - | | 3551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-VFBGA | MT29C4G96 | FLASH-NAND, LPDRAM mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDRAM) | FLASH, RAM | 512 MB x 8 (NAND), 128 MB x 32 (LPDRAM) | Parallelo | - | ||||
| MT62F768M32D2DS-023 FAAT:B TR | 25.6500 | | 3828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT:BTR | 2.000 | 4.266GHz | Volatile | 24Gbit | DRAM | 768Mx32 | Parallelo | - | ||||||||
 | MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR | - | | 9539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 152-TBGA | MT29F512G08 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | 166 MHz | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | Parallelo | - | ||||
 | MT48H16M32L2B5-8 | - | | 7469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Interrotto alla SIC | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM: LPSDR mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Volatile | 512Mbit | 7,5 ns | DRAM | 16Mx32 | Parallelo | - | ||
 | MT40A512M16JY-075E IT:B TR | - | | 1567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | |||
 | MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR | 2.4998 | | 7622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT:GTR | 2.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | |||||
| MT47H64M16NF-25E AUT:M | - | | 6043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | - | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 400 MHz | Volatile | 1 Gbit | 400 CV | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||
 | MT53E1G32D2NP-046 PESO:A | - | | 5645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Conformità ROHS3 | 557-MT53E1G32D2NP-046WT:A | OBSOLETO | 136 | 2.133GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - | |||||
 | MT58L256L36FT-10IT | 17.3600 | | 447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatile | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
| MT58L128L36P1T-4.4 | 4.5900 | | 247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | MT58L128L36 | SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 225 MHz | Volatile | 4Mbit | 2,6 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR | - | | 5826 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-VBGA | MT29F64G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 100 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT29F1G08ABBEAHC-IT:E | - | | 5555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F1G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | Parallelo | - | ||||
 | PC28F00BP33EFA | - | | 8607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-TBGA | PC28F00B | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-EasyBGA (8x10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Non volatile | 2Gbit | 100 n | FLASH | 128Mx16 | Parallelo | 100ns | |||
 | MT29F128G08AMCABH2-10Z:A | - | | 1542 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-TBGA | MT29F128G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 TBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | Parallelo | - | |||
| MT58L256L36PT-10 | 6.0300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 8Mbit | 5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | |||
| MTFC32GAZAOTD-AAT TR | 27.3450 | | 8792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MTFC32GAZAOTD-AATTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D1024M64D8PM-053 PESO:D TR | - | | 4876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 1G x 64 | - | - | |||
 | MTFC64GAPALBH-IT | - | | 8346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-TFBGA | MTFC64 | FLASH-NAND | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | ||||
| MT46V32M16CY-5B XIT:J TR | - | | 4932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | MT46V32M16CY-5BXIT:JTR | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
 | MT40A512M16TB-062E:R | 6.2003 | | 8632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MT40A512M16TB-062E:R | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.020 | 1,6GHz | Volatile | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | |
| MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 | - | | 9191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| MT46H256M32L4SA-48 PESO:C | - | | 3947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Attivo | -25°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 168-TFBGA | MT46H256M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-TFBGA (12x12) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 208 MHz | Volatile | 8Gbit | 5 ns | DRAM | 256Mx32 | Parallelo | 14,4ns | ||
| MT53D1G32D4NQ-062 PESO ES:D | - | | 5694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.360 | 1,6GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 1G x 32 | - | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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